巻号一覧
59 巻, 12 号
選択された号の論文の15件中1～15を表示しています
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西川 治1990 年 59 巻 12 号 p. 1579
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
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筒井 哲夫, 安達 千波矢, 斎藤 省吾1990 年 59 巻 12 号 p. 1580-1592
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー有機薄膜を使った光電相互変換系(電気-光変換系としてのエレクトロルミネッセンス (EL) デバイスと光-電気変換系としての太陽電池)の研究はこの数年新しい展開を見せている. ELデバイスはフルカラーフラットパネルディスプレイとしての基本性能の見通しが見え始め,太陽電池は太陽光下でのエネルギー変換効率が1%を越える段階へと達している.真空蒸着法を用いた有機色素薄膜の超薄膜化の重要性と, 2種以上の異なる有機超薄膜の積層化の概念の有効性,が明確にされたことが高性能光電相互変換系を生み出した.本稿では有機薄膜系の光電相互変換機能の研究の歴史を振り返った上で,最近の進歩について概観し,さらに今後の展開方向について議論する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1053K) -
上田 一之1990 年 59 巻 12 号 p. 1593-1603
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー固体表面と水素の相互作用の研究が盛んになっているなかで,現在もっとも手軽に水素を検知できて,他の分析機器との組み合わせに適している電子励起イオン脱離法 (ESD) が注目を集めている.まずはじめに,水素吸着後の固体の性質の変化を電子状態や振動スペクトルの測定にもとついて行った研究を紹介し,直接水素を検知できるESDとの対応関係を述べつつ,今後ESDが水素との相互作用の研究手段として果たすべき役割について述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2423K) -
矢田 雅規, 中村 恵吉, 小川 恵一1990 年 59 巻 12 号 p. 1604-1617
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー近年進展の著しいMBE, スパッタなどの物理蒸着法により作製された積層膜について,その作製法と成長機構,作製された膜の結晶完全性の評価と機能特性について解説する.原子スケールで構造の制御された積層膜を作製するためには,積層された各層間の拡散をいかに抑えて望みの相を合成・積層させるかが重要なかぎとなる.本稿では,このような観点から一般的な問題点,ならびにPd-Te系金属問化合物とBi系酸化物超伝導体の積層膜作製における問題点を取り上げ議論する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (6350K) -
アモルファス・微結晶・エピタキシー清水 勇, 半那 純一, 白井 肇1990 年 59 巻 12 号 p. 1618-1628
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー大面積電子デバイス材料として, Si薄膜作製技術の研究動向を概観する.アモルファス相のSi網目構造形成プロセスに関する,最近の研究成果を整理し,その構造制御の化学反応過程について,これまでに集積された知識を紹介する.そして,原子状水素を用いる「化学アニーリング」が,アモルファスSi網目構造の緻密化に有効であることを述べる.また,堆積表面近傍の化学反応制御によるμc-Si, Poly-Si, そしてエピタキシャル成長プロセスについて,その概要を解説し,低温基板上におけるSi網目構造形成に関する化学反応とその制御の可能性について述べた.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4867K) -
名西 憓之1990 年 59 巻 12 号 p. 1629-1635
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高真空中で低エネルギー高密度のイオンを発生できる特徴を持つ, ECRプラズマを利用したMBE成長法に関して,最近の研究の成果と本技術の展望について述べる.通常のMBE法では困難な基板表面のクリーニングとその基板上への連続的成長,さらに選択成長などが,プラズマ励起効果を利用することにより,低温で可能となる.これらを可能にする機構,プラズマ中のイオン・ラジカルなどの役割についても検討した結果を示す.本技術は低温・再成長技術として有望であるが,低温化の必要性が最近特に指摘されている熱膨張係数が大きく異なる材料系(例えばGaAs/Siなど)のヘテロ成長技術としても適用性が注目される.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (5283K) -
重田 諭吉1990 年 59 巻 12 号 p. 1636-1641
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーシリコンやゲルマニウムの薄膜を,それぞれの結晶基板上に真空蒸着・スパッタリング法で作製した場合ある温度(いわゆるエピタキシー温度)以上で方位のそろった結晶層が,それ以下ではアモルファス層が成長する.一方,エピタキシー温度より十分に低い温度でも,基板結晶の影響により,界面付近のアモルファス層内に結晶の方位を引きついだ粒子が,形成されること(方位近接効果)が指摘されている.ここでは,基板温度を200°C以下に保ったSi (111) 7×7表面に蒸着した,厚さ14 nm以下のSi膜の低速電子線回折による観察結果を中心に,膜の構造階層化について示し,方位近接効果を明らかにするとともに,エピタキシー成長との関連について見解を述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2718K) -
長谷川 哲也, 南任 真史, 北沢 宏一1990 年 59 巻 12 号 p. 1642-1647
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー液体ヘリウム温度においても安定に動作する走査型トンネル顕微鏡 (STM) 装置を開発し, Bi2Sr2 CaCu2Oy系超伝導体の極低温での原子像観察,ならびに局所電子分光測定への適用を試みた.へき開面 (BiO面)のSTM観察では, Bi原子の正方格子状の配列およびその変調構造が観測され,また-部では刀状転移も認められた.一方,分光測定からは明確なギャップ構造が観測されたが,その大きさは測定位置に依存し,局所的な電子状態の変化を反映していると考えられる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4484K) -
香山 正憲, 山本 良一1990 年 59 巻 12 号 p. 1648-1653
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー太陽電池など,各種デバイスへの応用が期待される多結晶半導体の特性は,その結晶粒界に支配される.半導体中の結晶粒界の微視的原子配列と電子構造について,筆者らのSi中の粒界に関する理論計算結果を中心に紹介する.理論計算からは,少なくとも頻繁に出現する規則粒界は,ダングリング・ボンドの再構成によりギャップ中に深い準位を持たないことが示され,観測される粒界の活性準位は,規則粒界に導入された二次的欠陥や不規則粒界,不純物偏析などに関係していることが推定される.これは最近の各種実験結果をよく説明している.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (436K) -
村田 好正1990 年 59 巻 12 号 p. 1657-1658
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
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栃原 浩1990 年 59 巻 12 号 p. 1659-1660
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
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濱口 宏夫1990 年 59 巻 12 号 p. 1661-1662
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
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間瀬 一彦1990 年 59 巻 12 号 p. 1663-1664
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
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阪井 清美, 吉川 治, 中野 隆, 小林 平治, 西田 浩幸1990 年 59 巻 12 号 p. 1665-1673
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーThe construction and performance of a Fourier transform spectrometer designed for the far infrared spectroscopy is described. The spectrometer has a combined optics of Michelson's and Martin -Puplett's. Some cooled high sensitive semiconducting detectors are used. Gaseous absorption spectra and the optical constants of dielectrics including some new materials have been measured and the results are presented. Resolution of 0.03 cm-1 and accuracy of wavenumber within ±0.001cm-1 are obtained.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (558K) -
萱嶋 一弘, 大嶋 希代子, 立石 文和, 菅田 文雄1990 年 59 巻 12 号 p. 1674-1680
発行日: 1990/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーWe developed a flexible infrared optical fiber to direct a CO2 laser beam with the capability of incision and vaporization into the interior of a human body to destroy diseased organs. The features of our optical fiber are the following: (1) high flexibility with radius less than 20mm and high endurance capability against repeated flexing of more than 5000 times; (2) high power transmission output capability of up to 65 W. To achieve this high flexibility, the diameter was decreased and the materials strength was increased. We developed a new hot extrusion method whose load avoids deformation of the fiber due to the small radius, and got a straight fiber with 0.3mm in diameter. With the high pressure extrusion method, we got a yield strength four times higher than that of the AgCl0.5Br0.5 crystalline.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (483K)
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