巻号一覧
59 巻, 8 号
選択された号の論文の15件中1～15を表示しています
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西永 頌1990 年 59 巻 8 号 p. 995
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
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野澤 敏矩, 須藤 昭一, 宮澤 信太郎1990 年 59 巻 8 号 p. 996-1013
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー光通信の高速化などの実用にすぐに対応できる光デバイスとして, LiNbO3単結晶基板を用いるデバイスの研究開発が進展している.さらに,SHG素子による青色光源の製品化,NdドープLiNbO3導波路レーザーの試作,単結晶ファイバーとその非線形光学応用などの研究開発が再び活発になっている.本稿では,LiNbO3光デバイスの実用化時代を迎えるにあたり,基板結晶の高品質化, Ti拡散導波路作製と高速光デバイス,単結晶ファイバー作製とSHG素子などについて,著者らが行った研究を中心に最近の研究状況を概説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (14476K) -
シリレン置換体の電子状態と反応性小関 史朗, 石谷 明彦1990 年 59 巻 8 号 p. 1014-1026
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーSiH4(シラン)をソースガスとして含む熱CVD(Chemical Vapor Depogition)では,最初にSiH4からH2分子が脱離し,SiH2(シリレン)が生成する.他のソースガスを用いた場合にも,シリレン置換体(SiH2のH原子が他の原子団と置き変わったもの)が生成する.SiH2およびシリレン置換体の反応性は,引き続いて起こる連鎖反応の方向に大きな影響を与える.したがって,シリレン置換体の電子状態や反応性を理解することは,様々なソースガスを用いたシリコンCVDの詳細な反応過程を解明する上で重要である.本解説では,シリレン置換体に関する最近の量子化学計算による研究結果を紹介し,概説する.さらに,熱CVDのモデリングの例として,SiH4からシリコンが析出する過程に関する量子化学的な研究について解説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (6781K) -
春日 正伸1990 年 59 巻 8 号 p. 1027-1037
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーZnOは,古くから私たちの生活の中に広く用いられてきた物質であるが,単結晶として成長・応用された歴史は極めて浅い.にもかかわらず,今や,発光・導波・センサーなど光エレクトロニクスのあらゆる分野で応用される可能性を持っている.このZnOの膜をサファイア基板上に気相成長させる場合,格子系が異なり,ミスマッチも大きいのになぜ単結晶層ができるのか,結晶性や電気的特性にどのような影響があるのかについて,結晶工学的観点から紹介し,現在残された問題点,発展の方向を探る.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2678K) -
斉木 篤1990 年 59 巻 8 号 p. 1038-1043
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーLSI(大規模集積回路)の最小加工寸法が1μmを切るような時代になり,デバイスの信頼性,性能,歩留まりを高いレベルに維持するためには,従来の粒子状の不純物に加えて重金属,分子状の不純物を管理し,制御することが重要になってきた。このためにはこれらの不純物の存在を高い精度で検知する必要がある.本稿では,これらの計測評価技術をLSIプロセス技術者,すなわち分析技術のユーザーの立場から,整理しまとめた結果について紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (404K) -
高須 新一郎, 大和 充博, 鈴木 修, 樋口 孝良1990 年 59 巻 8 号 p. 1044-1050
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーシリコン結晶の磁界下引き上げは1980年に発表されて以来10年を経過した.この間種々の磁界印加方法・装置が発表された.しかしながら現在実用化されている方法はトランスバーサル磁界印加方式のみである.また用途も当初の期待ほどには拡大していない.新材料が産業に使用されるためには,コストの壁と従来プロセスへ導入した場合の変化に対する抵抗がある.この点に的を絞り磁界下の結晶成長を装置の面からわれわれの経験をもとに展望する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4159K) -
松波 弘之1990 年 59 巻 8 号 p. 1051-1056
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーシリコンカーパイド単結晶のホモエピタキシャル成長には従来1800°C以上の高温が必要であった.ここでは,基板として,低指数面(自然面)をある結晶方向に沿って数度傾けて碍磨した面(オフアングル面)を用い,単結晶成長を1500°C以下で行っている.オフアングルの導入により基板表面のステップ密度を増加させ,そこを核とした横方向結晶成長を実現し,その結果として低温でのホモエピタキシャル成長を可能にしたもので,ステップ制御エピタキシーと名付けている.基板面極性,オフアングルの方位などによる結晶成長の違いを述べ,成長メカニズムについて検討している.ステップ形状の違いに起因する結晶成長の違いを論じている.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4559K) -
高原 秀房, 星野 和友, 青野 正和, 太田 浩1990 年 59 巻 8 号 p. 1057-1064
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー生体特に脳から発する極微弱磁場をSQUIDで検出し,脳内部を非接触で探るという学問研究および臨床研究においては,地磁気以下の低磁場もノイズの対象となる。これを下げるには強磁性磁気シールドでは十分ではない.特に脳磁気は低周波領域にあるが,この領域における強磁性磁気シールド効果は貧弱である.それゆえこの目的のためには超伝導磁気シールドに依らなければならない.ここでは酸化物超伝導容器を試作し,磁気シールド効果を測定した結果, 1×10-5～3×10-4T (T:テスラ) 10～1000Hzにおいて,外部磁場を6桁下げうることを報告する.これは特にMEG (Magnetoencepha-lography, 脳磁図)の手法に有効であるとみられる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4623K) -
真下 正夫, 川久 慶人, 佐々木 正洋, 石川 博規1990 年 59 巻 8 号 p. 1065-1069
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーMOCVDを用いたGaAsのALE成長にKrFエキシマレーザーを照射するとALEの成長温度範囲が拡大する.照射効果は熱的ではなく,光化学的であることを実験結果は示している.光励起の機構として吸着層励起と表面励起の可能性をとりあげ考察する.特に吸着層励起にたいしては吸着層の光吸収スペクトルの測定結果を用いてALEの光励起効果を説明する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (353K) -
筒井 一生, 古川 静二郎1990 年 59 巻 8 号 p. 1070-1075
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーCaF2 (111) 面上に濡れ性の悪いGaAsをエピタキシャル成長させる際, CaF2表面を電子線照射で表面改質すると,その上に成長したGaAs層の結晶性が飛躍的に向上する.後方散乱法,電子エネルギー損失分光法を用いた検討から,これは,電子線照射によってCaF2表面のF原子の離脱とAs原子への置換がおこり, GaAsとの濡れ性が良好になったためであることを明らかにした.本方法は,異種物質間ヘテロエピタキシーで問題となる表面エネルギー不整合に対する新しい解決策であるとともに,選択成長法などへも応用可能である.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2722K) -
和田 一実1990 年 59 巻 8 号 p. 1083-1084
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
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中山 正昭1990 年 59 巻 8 号 p. 1085-1086
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
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松井 純爾, 水木 純一郎, 秋本 晃一, 廣沢 一郎1990 年 59 巻 8 号 p. 1087-1088
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
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松谷 謙三, 神宝 昭, 内海 通弘, 岡田 龍雄, 前田 三男, 村岡 克紀, 赤崎 正則1990 年 59 巻 8 号 p. 1089-1092
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーThis paper reports the laser action in nine styryl dyes which were newly synthesized over a tunable range from 698 to 890 nm.
These dyes showed the same or better performance than those of traditional styryl dyes in the same wavelength range for the pumping by a frequency-doubled Nd: YAG laser. The optimum concentration, efficiency and tunable range were measured for 532 nm and 308 nm pumping, and their dependence on the chemical structure is briefly discussed.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (271K) -
中島 信一, 服部 武志, 萩行 正憲, 山本 愛士, 阪井 清美, 三石 明善, 橋本 忍1990 年 59 巻 8 号 p. 1093-1102
発行日: 1990/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーWe have constructed an interferometric spectrometer in millimeter and submillimeter range (2_??_11cm-1). It consists of a continuous light wave source from a backward wave oscillator and its frequency multipliers, a symmetric Mach-Zehnder type interferometer, and a detection system. Analytical methods were developed to obtain optical constants rapidly and accurately. The refractive index and extinction coefficient were measured for several materials and the characteristics of the constracted spectrometer were evaluated.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (773K)
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