アモルファス構造もでる作りにおけるコンピューターシミュレーションの役割をまず述べる.なかでも,a-Si:Hのように,原子の配置が電子状態に大きく左右される物質については,ミクロは原子構造の詳細や,電子の関与した過程を理論的に解明する際に,原子と電子の相互の関わりを第一原理に基づいて取り入れなければならない.この目的で,量子力学的な粒子である電子を取り入れた新しい分子動力学法(カー・パリネロの方法)について解説する.この方法をa-Si:Hに応用したわりりのシミュレーションの結果を表示し,光誘起欠陥生成のミクロな過程とステブラーロンスキー効果について,議論する.また,これらの結果を原子配置,電子密度の等高線,などを通して視覚化し図示する.
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