巻号一覧
61 巻, 12 号
選択された号の論文の18件中1～18を表示しています
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磯村 滋宏1992 年 61 巻 12 号 p. 1213
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
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新庄 輝也1992 年 61 巻 12 号 p. 1214-1224
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー最近注目されている金属人工格子の巨大磁気抵抗効果とはどのような現象か,実験的研究成果の紹介を中心に説明する.これまでの金属人工格子の研究の経過および垂直磁化膜に関する話題にも簡単にふれる.磁気抵抗効果は,磁性と伝導性のからみあう現象であり,そこに人工格子の新奇性が発揮され,従来の物質にはなかった特性が見出された.今後の研究方向についても考察する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (10643K) -
一宮 彪彦1992 年 61 巻 12 号 p. 1225-1230
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーSi (111) 7×7再構成表面は積層欠陥を含む構造であることが知られている.この表面におけるシリコンのエピタキシャル成長では,積層欠陥を解消させる必要がある.Si (111) 上のシリコン吸着過程および成長過程における反射高速電子回折 (RHEED) 図形および強度の解析は,成長表面における準安定構造の形成により積層欠陥が誘起されることを示した.また固相エピタキシーにおいても界面に形成された準安定構造による不安定性が固相成長;を誘起することを示竣した.さらにRHEED強度振動と成長表面に形成される5×5構造との関連についても述べた.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (5713K) -
福井 萬壽夫, 奥野 雄太郎1992 年 61 巻 12 号 p. 1231-1237
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー金属薄膜は,ショットキーダイオード,金属超格子,光導波路,偏光子など種々のデバイスに利用されている.金属薄膜の表面凹凸は,金属一半導体界面や金属一金属界面などでの現象,たとえば,電子や光の散乱に大きく寄与する.また,金属薄膜の構造・欠陥・電子エネルギー帯・電子遷移などに関する情報は,金属薄膜の利用・応用を考える上で必要不可欠のものである.このような点を念頭において,表面ポラリトンの特性を用いて金属薄膜の表面凹凸や物性の情報を容易に得られることを解説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4213K) -
藤安 洋, 石田 明広1992 年 61 巻 12 号 p. 1238-1245
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー室温で動作可能な青色発光素子や赤外で発光可能な素子の開発は重要な課題である.これらの発光材料としては,ワイドギャップII-VI族半導体およびナローギャップIV-VI半導体がそれぞれ有望である.これらの開発においては,最近,急速に発展しつつある.量子井戸や超格子構造という超微構造の導入は興味深い.この構造は本来の物質そのものや対称性に変化をもたらすので,これを利用して新しい材料やデバイスを作製することは興昧深い.本解説ではこれらの超微構造の成膜技術としてのホットウオール法の特徴とその有用性および薄膜作製について解説する.さらに作製したデバイスの諸特性を示す.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (6611K) -
吉原 一紘1992 年 61 巻 12 号 p. 1246-1250
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー表面化学分析法では,電子線やX線により励起されたオージェ電子や光電子のスペクトルをいかに正確に測定できるかが基本である.このためには,何よりもまず信OT7強度とそのエネルギー値が正確に求められねばならないが,実際には分光器の特性を中心としたさまざまな要因が加わり,測定されるスペクトルは本来のスペクトルとは異なったものとなる.本論文では,VAMAS活動の一環として行われている,共通でデータ処理を行う環境や,スペクトルデータベースの構築計画について紹介し,分光器特性に影響を与える因子を明らかにして,スペクトルデータを共有化するための標準化手順を示す.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2078K) -
前田 佳均1992 年 61 巻 12 号 p. 1251-1254
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーSiO2ガラス中に析出したナノメートルサイズのGe超微粒子からの室温での可視発光の緒特性について紹介する.発光特性のサイズ依存性を調べたところ,発光ピークエネルギーと発光寿命は,平均サイズ依存性を示さなかった.しかし,発光強度は平均サイズがおよそ4nm以下から,著しく増大した.これは,約4nm以下のサイズの超微粒子のみが,バルクGeのE1遷移付近での発光に寄与していることを示唆している.また,ポーラスSiやSi超微粒子などの発光特性との共通点と相違点について比較する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2313K) -
南 内嗣1992 年 61 巻 12 号 p. 1255-1258
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー近年,フラットパネル・ディスプレイや薄膜太陽電池などの開発が活発に行われるに伴って,高性能で低価格な透明導電膜の開発が強く望まれている.ここでは,新しい透明導電膜用材料として注目されているZnO系薄膜の性能および成膜技術に関する研究開発の現状を述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2392K) -
奥山 文雄1992 年 61 巻 12 号 p. 1259-1263
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーイオン衝撃下にある固体表面に発現するいわゆる“コーン”(円錐状突起)は,しばしば,結晶性の異なる脚部と先端部からなる“二重構造”を示す.一方,発達過程にあるコーンに気相より供給された不純物は,コーン斜面に薄膜状に堆積し,かつ,基板構造との整合性いかんでは堆積層はエピタキシャル成長する.これらは,イオン衝撃がコーン先端部における優先的原子再堆積を誘起し,また,堆積原子の規則配列を促す効果をもつことを示唆しており,コーン発現は,異方性エッチングの結果にすぎないとする既存モデルの見直しが求められる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2562K) -
青野 正和, 小林 中, Francois GREY, 内田 裕久, Du Hua HUANG, 吉信 淳1992 年 61 巻 12 号 p. 1264-1268
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー走査トンネル顕微鏡 (STM) を用いたSi表面の原子単位での構造制御の方法とその機構について述べる.Si(111)-7×7表面の任意の位置からSi原子を1個ずつ引き抜くことができる. Si(001)-2×1表面の場合には,一般にダイマーを形成している2個の原子が同時に引き抜かれる.いずれの場合にも,結晶学的に異なる位置のSi原子は異なる確率で引き抜かれ,それはそれらのSi原子の結晶学的安定性と密接に関係している,Si(111)-7×7表面の場合について,引き抜かれたSi原子の表面への再付着と,そのSi原子の意図的な移動の実例も示す.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4264K) -
越田 信義, 小山 英樹1992 年 61 巻 12 号 p. 1269-1271
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー単結晶Siを陽極酸化することにより形成される多孔質Si (PS) の可視発光特性と電気的・光学的性質および表面電子状態との間には密接な関係がある.この事実は,PSの可視発光機構がSiクリスタリットのバルクのバンド構造変化と表面の束縛電子状態との両者に関係していることを示唆する.発光過程において,前者は効率的な励起に,後者は非発光緩和の抑制にそれぞれ寄与しているとみられる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1238K) -
嶋田 寿一, 中川 清和, 西田 彰男1992 年 61 巻 12 号 p. 1272-1274
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー多孔質Siの発光機構解明のため,発光対象の構造を明確にする必要がある.そのため光学顕微鏡,フォトルミネッセンス顕微鏡,走査型電子顕微鏡,透過型電子顕微鏡による構造解明を試みた.その結果,ーラスSiは数nmから数十nm程度の径のSi単結晶球が酸/水素化物に被われた構造からなってることが判明した.このSi単結晶球自身またはこれに関連した極微構造が発光の源と考えられる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2820K) -
宮崎 誠一, 広瀬 全孝1992 年 61 巻 12 号 p. 1275-1277
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーN2希釈O2中熱酸化したポーラスSiにおいて,通常の水素終端表面をもつポーラスSiと同様な,室温・高効率・可視光ルミネッセンスを観測した.この熱酸化ポーラスSiには水素結合が残留していないことから,シロキセン誘導体など,水素結合を含んだ化合物の存在が高効率・可視発光の必要条件でないことが明らかになった.また,フォトルミネッセンスの,酸化の進行に伴った挙動および励起強度依存性から,この発光が局在準位を介した発光再結合過程による可能性を示した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (395K) -
新井 敏弘1992 年 61 巻 12 号 p. 1278-1279
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
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尾高 憲二1992 年 61 巻 12 号 p. 1280-1281
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
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大島 忠平, 金持 徹1992 年 61 巻 12 号 p. 1282-1283
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
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国分 清秀, 一村 信吾, 清水 肇, 岡野 達雄, 寺田 啓子1992 年 61 巻 12 号 p. 1284-1285
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
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本間 禎一, 青野 正和1992 年 61 巻 12 号 p. 1286-1287
発行日: 1992/12/10
公開日: 2009/02/05
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