巻号一覧
61 巻, 2 号
選択された号の論文の17件中1～17を表示しています
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柊元 宏1992 年 61 巻 2 号 p. 103
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
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石原 宏, 古川 静二郎1992 年 61 巻 2 号 p. 104-116
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー半導体基板上への導電性・絶縁性薄膜のエピタキシャル成長技術,およびこれらの薄膜上への半導体薄膜の成長技術の動向とデバイス応用について概観している.導電性薄膜としては, Si基板上のシリサイド膜,特にNiSi2膜とGoSi2膜を中心に,成長方法や界面の原子構造などについて述べている.また,絶縁性薄膜としては, Si, GaASなどの半導体基板上に成長させたCaF2, SrF2などのフッ化物薄膜を中心に,技術の現状を紹介している.最後に,これらの構造を用いた電子デバイスの特性,特に界面を原子的に制御することにより得られる新しい電子物性について述べ,将来動向をまとめている.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (14229K) -
市野 邦男, 川上 養一, 藤田 静雄, 藤田 茂夫1992 年 61 巻 2 号 p. 117-125
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーII-VI族半導体は短波長光デバイス材料として研究されてきたが, ZnSe系レーザーダイオードの実現が報告され,とくにレーザー材料としての観点から,一層の注目を浴びている.そこで,光とキャリアを閉じ込めることのできる,レーザー構造を設計することを目的に,現時点で可能な範囲で, ZnCdSSe系半導体の基礎物理パラメーターの検討を行った.一方,結晶成長技術の進歩により, ZnOdSSe系三元,四元混晶を用いた,高品質な多層デバイス構造の作製も可能となってきた.このようにして設計・作製した光励起レーザーなどの特性から,この材料系のもっ可能性が示された.今後,電流注入による安定した室温連続発振にむけての研究の進展が,大いに期待される.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2831K) -
上田 修1992 年 61 巻 2 号 p. 126-133
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーSi基板上のGaAs成長における転位の発生機構と,その抑制技術に関する研究の現状を解説する.まず,格子ひずみの起源と,そのヘテロエピタキシャル層中への蓄積について述べる.次いで,格子不整合の大きな系での転位の発生の問題を論じる.結晶中での転位の挙動について言及した後,格子不整合ヘテロエピタキシーにおける転位の発生機構を,成長初期,成長中および成長後の冷却過程の三段階にわたり解説する.最後に,GaAs/Siにおける転位の低減技術とその効果について詳細に述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (5738K) -
大野 泰夫, 後藤 典夫, 伊東 朋弘1992 年 61 巻 2 号 p. 134-140
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー半導体中の深い準位に関連する現象は,不可解でかつ再現性のないものが多く,一般のデバイス研究者にとってはわかりにくいテーマのひとつである.しかし,高速,高周波の化合物半導体10を半絶縁性基板上に作る場合には,避けては通れない問題である.半絶縁性基板での寄生効果としz,古くから問題となっているサイドゲート効果について,その研究の歴史と,最近の数値解析により解明されつつあるメカニズムについて解説した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4862K) -
福井 孝志, 安藤 精後1992 年 61 巻 2 号 p. 141-144
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー有機金属気相成長法による選択成長を用いた新しい量子細線・量子ドット構造として,ファセット量子細線,ラテラル量子細線および四面体量子ドット構造を作製した.他の方法と比較した利点は,lOnm以下の半導体極微構造が,加工ひずみなしに得られることにある.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2947K) -
武部 敏彦, 山本 悌二, 藤井 元忠, 小林 規矩男1992 年 61 巻 2 号 p. 145-148
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーGaAs (111) B面上量子井戸によるPL発光強度増大, (110) 面上へのファセット形成による量子細線の可能性,成長速度面方位異方性を利用した (100) V字加工基板への量子細線形成について概説する. (111) A面の基板前処理による成長膜の表面モホロジー改善, (111) A面の結晶学的3回対称性と (111) A面上でのドーパントSiのアクセプター性を利用した正三角形加工基板上の横方向p-n接合の実現,一原子層以下の界面の平坦性;を持つ (111) A面上の単一量子井戸の形成についてのべる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3173K) -
和田 一実, 山田 孝二, 植松 真司, 中西 秀男1992 年 61 巻 2 号 p. 149-153
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーデバイスプロセスにより誘起される損傷を低温で消去する方法として少数キャリア注入処理による再結合促進欠陥反応の活用を提案する. GaAsおよびInPのイオン注入誘起損傷の低減が室温付近で可能なことを示す.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3788K) -
時間分解分光法による評価松末 俊夫, 土屋 昌弘, 秋山 英文, 榊 裕之1992 年 61 巻 2 号 p. 154-158
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー最子井戸構造中の光励起キャリアの輸送ダイナミックスについて,ピコ秒レーザーを用いた時間分解分光法による筆者らの研究を紹介する.まず,時間分解蛍光測定による量子井戸からバルク領域へのトンネル脱出時間の実験結果を示し,それを多重反射形式を使って理解する.次に,二重量子井戸構造中のトンネル過程について,各量子井戸からの発光の時間積分強度と発光寿命の電界依存性の測定結果の解析を行って,共鳴および非共鳴時のトンネル機構を明らかにする.最後に,過渡回折格子法を用いて,二次元キャリアの量子井戸面内での拡散過程を調べ,拡散定数の温度および構造依存性を明らかにし,拡散機構を検討する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3387K) -
小野 春彦1992 年 61 巻 2 号 p. 159-162
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーフーリエ変換赤外吸収を用いた赤外分光法により,化合物半導体薄膜結晶中の局所構造を評価した結果を紹介する.極低温,高分解能測定により,局所環境に敏感な不純物局在振動モードを観測した.はじめに, AIGaAs混晶中のAl原子による局在振動モードの実験結果を示す.さらに, GaAs中に埋め込まれたAl単原子層による二次元局在振動モードについて述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2391K) -
大坂 次郎, 井上 直久1992 年 61 巻 2 号 p. 163-166
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーMBE法で成長中のGaAs表面上の過剰なGa原子の挙動は成長機構を理解するためにも,また応用上も非常に興味が持たれる.このような成長機構の研究にはその場観察が有効である.
ここでは,まず開発した電子顕微鏡一MBE複合装置と二次電子を用いたGaAs成長表面の成長その場観察法について述べる.次いで,観察により明らかとなったGa液滴の挙動について述べ,その形成機構を考察する.最後に,液滴を制御した新しい単原子層成長法を紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2388K) -
井須 俊郎1992 年 61 巻 2 号 p. 167-168
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
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長谷川 繁彦1992 年 61 巻 2 号 p. 169-170
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
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片山 光浩, 青野 正和1992 年 61 巻 2 号 p. 171-172
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーPDF形式でダウンロード (1057K) -
小林 直樹, 堀越 佳治1992 年 61 巻 2 号 p. 173-174
発行日: 1992/02/10
公開日: 2009/02/05
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1992 年 61 巻 2 号 p. 196a
発行日: 1992年
公開日: 2009/02/05
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1992 年 61 巻 2 号 p. 196b
発行日: 1992年
公開日: 2009/02/05
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