巻号一覧
61 巻, 8 号
選択された号の論文の18件中1～18を表示しています
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西野 種夫1992 年 61 巻 8 号 p. 775
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
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古川 義純1992 年 61 巻 8 号 p. 776-787
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー氷結晶の表面は,結晶の温度が融点近傍になると一次の相転移の一種である表面融解を起こす.表面融解により生じた擬似液体層(表面融解層)の物理的性質が偏光解析法をはじめいろいろな手法により明らかになりつつある.その結果,氷の{0001}面では-2°Ｃ以上で,{1010}面では-4°Ｃ以上で表面融解が起こり,擬似液体層の構造や物理的性質はバルクの水に近いことが明確に示される.一方,表面融解を起こした表面が氷の結晶成長とどのように関わっているのかが,雪の晶癖変化および成長速度と擬似液体層の自己拡散係数との関連を例に述べられる.さらに,氷と基板との界面,および氷結晶の粒界における融解転移現象と,氷の結晶成長に対するそれらの役割についても述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (11845K) -
磯谷 順一1992 年 61 巻 8 号 p. 788-795
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー電子スピン共鳴法を用いると,半導体結晶の禁制帯に深い準位をもたらす点欠陥の,微視的構造同定の直接の証拠が得られることを,原子空孔や置換型Ni不純物を例にあげて紹介する.点欠陥の電子の波動関数の周囲の原子へのひろがりは,バンドギヤップが小さくなるにつれて,著しく増加する傾向がみられる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (756K) -
萱沼 洋輔1992 年 61 巻 8 号 p. 796-799
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー量子ドット(超微粒子)の光学的研究に関する最近の話題について紹介する. Ge, Si. AgBrなどの間接ギャップ物質の超微粒子での発光のメカニズムを,ゼロ次元性に由来するintervalley mixingの立場から検討する.単純な有効質量近似のモデルでは発光過程を説明しきれない.CuCl超微粒子において,励起子分子の発光が見いだされた,発光ピークエネルギーのサイズ依存性を,現象論的モデルにより解析することで,励起子分子の有効半径が約1.5nmと見積もられる.量子ドットの超格子構造における擬ポラリトンの光応答についても紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2117K) -
荒川 泰彦1992 年 61 巻 8 号 p. 800-804
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー半導体微細加工技術の進歩に伴い,最近量子細線,量子箱構造が広く注目を集めている.展望では,有機金属気相選択成長法(MocVD選択成長法)によるGaAs量子細線の作製技術について,著者らの最近の研究成果を中心に議論する.われわれが作製したGaAs量子細線は,SiO2パターン上の選択成長により形成され,一辺20nm以下の三角形状の断面を有している.キャリアの二次元的量子閉じ込め効果は,フォトルミネッセンスや磁気フォトルミネッセンスなどの測定によりその存在が確認された.また,キャリア寿命や時間分解スペクトルなどの観測も行い,キャリアの低次元性に起因すると思われる結果を得た.ざらに岡様な手法を用いてGaAs量子ドット構造の作製も試みている.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3108K) -
越田 信義, 小山 英樹1992 年 61 巻 8 号 p. 805-808
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー単結晶SiをHF溶液中で陽極酸化することにより形成される多孔質Si(PS)が室温で可視発光を示すことが,最近明らかになった.本稿では,PSの基本的性質,フォトルミネッセンスおよびエレクトロルミネッセンスの特性に関する研究の状況を報告する.また,考えられているいくつかの発光機構にっいて述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2503K) -
吉田 博1992 年 61 巻 8 号 p. 809-812
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーバルク結晶では混じり合わないような二種類の化合物半導体を,中間の格子定数をもつ化合物半導体の基板上にエピタキシャル気相成長させることによって,自然界には存在しなかった新しい規則半導体合金を作成するとができる.これらの結晶成長の微視的な起源を,第一原理からの電子状態計算に基づいて解説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2495K) -
西村 正, 山口 泰男, 塚本 克博, 中井 哲弥, 新屋敷 浩, 新行内 隆之1992 年 61 巻 8 号 p. 813-816
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーSIMOX (Separation by IMplanted OXYgen) は高濃度の酸素をSi基板にイオン注入し,埋め込みSiO2層を形成するものであり,将来のULS1用基板技術として注目されいる.
表面Si層の結晶性はイオン注入直後の結晶性とよく対応づけられ,注入条件の制御による結晶性向上が試みられている.それらに対し,筆者らはアニール時の内部酸化で生じる過剰格子間Siが貫通転位の形成に大きな役割を果たしていると考えた.酸素濃度を十分低下させる低温保持ステップと,反応速度を急増させない低い昇温速度で1300°Cまで昇温し,その後高温保持する3段階のアニールシークエンスを考案し,従来に比べ,転位密度を2桁減少させることができた.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3381K) -
小塚 義成, 今枝 美能留, 大内 龍一, 松沢 素一郎1992 年 61 巻 8 号 p. 817-820
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー固相反応による単結晶育成法は,多結晶体に種となる単結晶を接合し,これを加熱することによって,単結晶を育成する方法である.この方法の一例として,特定のフェライト多結晶体がある温度で不連続的に粒成長することを利用し,フェライト単結晶の製法を確立した.
この多結晶体で起きる不連続粒成長は使用する酸化鉄原料に大きく依存している.また単結晶の成長に液相,不純物(インヒビター)などが関与しているとは断じがたく,その成長機構は解明できていない.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3204K) -
寺鳴 一高, 河内 勝, 谷川 庄一郎1992 年 61 巻 8 号 p. 821-825
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー粒径が10μmサイズのZnSe多結晶体をSe雰囲気中で熱処理する事により1cmサイズの粒径に成長する異常粒界成長が観察される.点欠陥の測定結果から,格子閤型の欠陥が深く関与している事が示唆された.ここでは,II-VI族化合物半導体結晶のひとつであるZnSeの固相成長および成長機構の考察を筆者らの実験結果および点欠陥の評価結果をもとに述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3366K) -
山本 信行, 堀中 博道1992 年 61 巻 8 号 p. 826-829
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーCulnSe2などのI-III-VI2族カルコパイライト化合物が最近太陽電池材料として注目されている.しかし,これらの化合物は複雑な相図をもつために成分原料の融液からの固化では良質の単結晶を得るのがむつかしい.筆者らは比較的簡単な固相成長法によってこの困難を避け良質の結晶成長が可能であることを見いだしたので報告する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1998K) -
特にコレステロール胆石の形成過程を中心として小松 啓1992 年 61 巻 8 号 p. 830-834
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー多数のコレステロール胆石の,外形と内部組織を調べ,これらが,一水化コレステロールの平板微細単結晶の,放射状の集合からできていることを明らかにした.
アルコール溶液中で,一水化コレステロールを成長させ,渦巻成長,対応格子による接合,および八イドロキシアパタイトとコレステロールのエピタキシーを見出した.さらに,ヒト胆汁中の一水化コレステロールで,同様な現象を観察し,以上の観察事案を矛盾なく説明する,コレステロール胆石の形成過程を提案した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2423K) -
本堂 武夫1992 年 61 巻 8 号 p. 835-838
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー氷は,シリコンなどと同様,四面体配置の結晶構造を持ち,両者の格子欠陥の性質には類似点が多い.自己格子間分子が優勢な点欠陥として熱平衡で存在することも,その一つである.ここでは,筆者らが開発したX線トポグうフィを用いる方法で,従来の方法では求めることのできなかった,氷の自己格子間分子の種々のパラメーターを定量的に求めうることを紹介する.さらに,このデータに基づいて,氷結晶中の拡散機構および表面融解層と水における拡散現象に関して,最近の議論を紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (454K) -
日比谷 孟俊, 中村 新, 山本 文雄, 横田 孝夫1992 年 61 巻 8 号 p. 839-842
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリードイツの小型無人ロケツトTEXUS-24号機および無重力落下実験施設を用いて,地上では対流があるために適用が困難な非定常細線法により,化合物半導体InSb融液の熱伝導率の精密測定を行った.この方法を,半導体融液の熱伝導率測定に初めて用いるために,専用のセラミックプローブを開発するとともに,専用の熱伝導率測定装置TCMFを開発した.lnSb融液の熱伝導率の値から,溶融状態のlnSbは金属的であり,自由電子により熱伝導が生じていることが明らかとなった.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1304K) -
近浦 吉則1992 年 61 巻 8 号 p. 843-844
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
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八木 直人1992 年 61 巻 8 号 p. 845-846
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
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吉松 満1992 年 61 巻 8 号 p. 847-848
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
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原田 光1992 年 61 巻 8 号 p. 849-852
発行日: 1992/08/10
公開日: 2009/02/05
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