巻号一覧
62 巻, 2 号
選択された号の論文の17件中1～17を表示しています
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生駒 俊明1993 年 62 巻 2 号 p. 101
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
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石川 知則, 河西 秀典, 田中 信幸, 杉本 喜正1993 年 62 巻 2 号 p. 102-112
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー電気的・光学的な不活性中心として働く結晶欠陥や表面不純物は,半導体素子寸法の微小化に伴い一層重大な障害となる.特に量子細線など,ナノメーターオーダーの化合物半導体極微構造やデバイスでは致命的な存在である.真空一貫プロセスは,デバイスの微細化が著しい今日こそ,このような欠陥や不純物を除去し,より複雑化した化合物半導体デバイスの開発を可能ならしめるものとして大きく期待されている.本報告で1嵐量子細線に限らず,光・電子デバイスなど化合物半導体作製において,真空一貫プロセスがなぜ有効であるかをまず説明する.次に,真空一貫プロセスの例として,表面汚染のみならずプロセス誘起損傷を著しく抑制した,われわれの“in-situ電子線リソグラフィー”について最近の到達点を述べる.最後に,真空一貫プロセスの課題と将来展望について論ずる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (12680K) -
大川 和宏, 三露 常男1993 年 62 巻 2 号 p. 113-119
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー青色から緑色領域での注入型半導体レーザーが実現し,ZnSe系半導体が新しい光デバイス材料として注目されている.長い間,ZnSe系のII-VI族半導体は伝導型制御が難しいために,デバイス作製が困難とされていた.しかし,新しいドーピング技術が次々に開発さ:れ,この問題も今や克服されつつある.ここでは,高純度・高抵抗ZnSeとClドーピング法による低抵抗n型,窒素ラジカルドーピング法による低抵抗p型ZnSeの作製と特性について解説する.そして,ZnSe系半導体レーザーの最近の進展についても概説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (6696K) -
小林 敏志1993 年 62 巻 2 号 p. 120-126
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー短波長発光ダイオードへの応用が期待される,広禁制帯幅のI-III-VI2族力ルコパイライト型半導体について,その光物性と,発光デバイスを概観した.まず,結晶構造とバンド構造を述べ,いくつかの化合物のルミネッセンス特性と電気的特性を,著者のデータも取り入れながら紹介した.次に,青色発光材料と,現在実現している緑色発光ダイオードの現状を具体的に述べた.また,薄膜エレクトロルミネッセンス表示素子の可能性にも触れた.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4270K) -
古屋 一仁1993 年 62 巻 2 号 p. 127-133
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー固体内電子の波動性を積極的に利用した電子デバイス実現のための条件について議論している.原理的なモデルとして干渉計をとりあげ,電子波干渉が生じるための条件を整理し,要求される位相コヒーレンス,許容される電子波源のエネルギー幅を求める.そして,熱平衡に近い電子のコヒーレンスデータ,ざらにバリスティック伝導するホットエレクトロン利用の意義について述べる.また,これまでに提案されている電子波デバイスについて触れる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2522K) -
上條 健, 堀川 英明1993 年 62 巻 2 号 p. 134-138
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー半導体レーザーの活性層である量子井戸構造にひずみを導入して電子構造を変化させることでレーザー性能を改善することができる.長波長レーザーを中心にひずみ導入によるしきい電流密度,光出力,高速変調特性,TE/TMモード制御について性能改善が明らかにされてきた.今後,電子構造の詳細な理解とひずみ量子井戸構造に対する素子構造の最適化により,さらに性能の向上が進むと考えられる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4579K) -
中田 時夫1993 年 62 巻 2 号 p. 139-142
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー最近,CuInSe2系太陽電池の変換効率が,溶液成長CdS薄膜を窓層に用いることで大幅に向上し,15%の大台を越えた.ここでは,なぜ溶液成長で変換効率が上がるのか,CdS薄膜の成長機構や界面化学など最新の話題を取り上げ,その理由;を明らかにする.さらに,これを用いたCuInSe2系太陽電池の最近の進展について紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2332K) -
盛田 芳雄1993 年 62 巻 2 号 p. 143-146
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー半導体結晶のエピタキシャル成長技術として確立された分子線エピタキシー(MBE)成長技術が,種々の材料系の薄膜形成に適用されてきている.このMBE法をCu-Al-Se系に適用し,室温のフオトルミネッセンスで青色に光る新しいワイドギャップ半導体であるCu5AlSe4化合物を見いだした.さらに最近,Gu-Al-S系でもMBE成長実験を行い青色発光する薄膜を得ている.本稿では,これらの多元系薄膜について,MBE成長と結晶評価を行った結果について紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2382K) -
小柳 剛, 阿武 宏明, 松原 覚衛1993 年 62 巻 2 号 p. 147-150
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーせん亜鉛鉱型MnTe薄膜およびCd1-xMnxTe-MnTe超格子薄膜をクラスターイオンビー(ICB)法によりサファイア基板上に成長させ,その光学的,磁気光学的特性について研究を行った.せん亜鉛鉱型MnTe薄膜は,Mn2+イオンのd-d遷移による磁気円二色性(MCD)を示した.Cd1-xMnxTe-MnTe超格子薄膜は,サブバンド準位への磁気光学遷移によるMCDピークを示し,このピークは井戸幅が薄くなるにつれてブルーシフトした.このサプバンド準位の井戸幅依存性はKronig-Penneyバンドモデルによる計算結果とよい一致を示し,良好な量子サイズ効果が現われていることがわかった.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3557K) -
その新しい物性佐々木 昭夫1993 年 62 巻 2 号 p. 151-154
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー原子配列,化学組成,不純物分布などの不規則によって生ずる性質と,エピタキシャル成長が可能であるという単結晶の性質を兼ね備えた不規則結晶半導体を紹介し,その一例として,不規則超格子について述べる.層厚を不規則に変化させた超格子によって,発光機能が強められ,同一組成のバルク混晶,規則超格子と比べて,低温において,AIGaAs系で約1000倍以上,AIGaP系で約100倍以上の強い発光が観測された.この新しい性質は,人工的に導入された不規則による捕獲局在準位によるものと推測される.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3376K) -
二硫化モリブデンなどの原子操作細木 茂行, 長谷川 剛1993 年 62 巻 2 号 p. 155-159
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー走査型トンネル顕微鏡 (STM) を用いた表面修飾について概観し,原子操作の実例を解説する.
二硫化モリブデン表面から硫黄 (S) 原子を電界蒸発法によって引き出して文字を形成した結果,および探針に蒸着したSiクラスターを加熱したSi基板に付着させて基板上でのクラスターの形状変化をその場観察した結果について示す.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3080K) -
村田 誠, 上北 正和, 太和田 善久1993 年 62 巻 2 号 p. 160-163
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー直線性の高い主鎖構造を持つポリイミド前駆体により,高い配向度のラングミュア・プロジエツト膜を得ることができた.このラングミュア・プロジェット膜を用いることにより,良好なネマティツク液晶配向を得た.また,ポリイミド前駆体のイミド化率を制御することにより,液晶へのプレチルト角付与を可能とし,リバース欠陥のない液晶表示素子を得た.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2237K) -
西田 進1993 年 62 巻 2 号 p. 164-167
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー近年,知的所有権,とりわけ特許をめぐる企業間の係争事件が増加し,企業の技術者は知的所有権に無関心では済まされなくなった.本講義では,下記について解説する. 1. 知的所有権とは何か. 2. 特許制度の目的は何か,またどのような仕組みか. 3. コンピュータープログラムを保護する著作権は,特許権とどう違うのか. 4. 企業は,特許の管理と教育をどのように行えばよいか.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1360K) -
黒田 規敬1993 年 62 巻 2 号 p. 168-169
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
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毛利 信男1993 年 62 巻 2 号 p. 170-171
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーPDF形式でダウンロード (1046K) -
南 不二雄1993 年 62 巻 2 号 p. 172-173
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
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早川 三郎1993 年 62 巻 2 号 p. 174-175
発行日: 1993/02/10
公開日: 2009/02/05
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