応用物理

液晶の魅力

岡野光治

1995 年 64 巻 10 号 p. 973
発行日: 1995/10/10
公開日: 2009/02/05

DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.973

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バイオ分子素子研究の現状と将来

相澤益男

1995 年 64 巻 10 号 p. 974-984
発行日: 1995/10/10
公開日: 2009/02/05

DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.974

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分子スケールのバイオエレクトロニクス素子,バイオフォトニクス素子に急速な進展が見られる.バイオ分子特にタンパク質のナノファブリケーション技術の開発に負うところが大きい.さらに,走査プローブ顕微鏡(SPM)技術,近接場光学願磁鏡(SNQM)掠術が分子への真接アクセ不を可能とし,分子スケール素子への道を開いた.神経素子へのチャレンジも目覚ましい.脳機能め計剣,神経細胞ネットワークの人主構築などの最近の進展を総括した.

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有機π-d電子糸の研究動向

薬師久弥

1995 年 64 巻 10 号 p. 985-994
発行日: 1995/10/10
公開日: 2009/02/05

DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.985

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最近遷移金属錯体の固体に新材料としての期待がよせられているが,中でもπ-d電子系とよばれる一群の物質の固体物性に大きな関心がはらわれている.π-d電子系では比較的遍歴性の強いπ電子共役系と局在性の強いd電子系が共存し,それらがフェルミ準位近傍で相互作用している.これらの相互作用を通し之,.d-π電荷移動,相転移に伴う次元性の交差現象,磁場による金属性の回復現象など従来の分子性物質では観測されなかった新しい現象が見つかりっつある.これらの現象を金属フタロシアニン導体,銅-DCNQI錯体,BEDT-TTF錯体, BETS錯体,金属グリオキシム錯体の研究例を紹介しながら解説する.

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アモルファスシリコンの光劣化のメカニズム

久米田稔, 清水立生

1995 年 64 巻 10 号 p. 995-1001
発行日: 1995/10/10
公開日: 2009/02/05

DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.995

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水素化アモルブァスシリコンの光劣化の主たる原因は中性ダングリングボンドの光生成によるものと考えられている.これまでに提案されている光による欠陥生成の主なモデルとして,(1)弱いSi-Si結合切断モデル,(2)荷電欠陥モデル,(3)不純物モデル,があげられる.これらのモデルについて説明し,それらの問題点について述べる.さらに,最近の低温での光劣化およびSi-N合金系での光誘起ESRの結果にっいて述べ,これらのモデルとの関係を考える.また,光生成欠陥を評価する上での注意点についても述べる.

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分子コンピューティング:実現へのステップ

Michael Conrad, Klaus-Peter Zauner

1995 年 64 巻 10 号 p. 1002-1006
発行日: 1995/10/10
公開日: 2009/02/05

DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1002

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著者らは,たんぱく質や核酸などのマクロな分子が持つ之いる形状認識能力に注目し, 「統計的集団ではなく個々の分子が重要な機能的役割を果たすような情報処理システム」(分子コンピューター)の研究に取り組んできた.したがって,ここで述べているコンピューティング(計算)は,集積回路などを用いたフォンノイマン型計算ではなく,個々の分子の機能や相互作用を利用した非フォンノイマン型計算を指している.現在の段階では,計算は,さし当たり一般的な計算能力を実証するものではなく,個々の具体的な問題を有効に解くことができることを例証する段階にあるだろう.
さて,分子のレベルのミクロな現象を計算に利用するためには,これをマクロな世界と結びつけることが必要となるが,著者らはこれを変換と増幅(Transduction and Amplification)の並列的な連鎖を用いて行うことを提案している.また,非常に速い分子の形状認識過程には,分子の異なる状態が並行して存在する量子力学的な過程が有効に作用しているとも述べている.
分子コンピューティングの可能性を示唆する具体例として,以下の四つの代表的なプロトタイプシステムを用いて,異なったモードでの計算が可能なことを示している.
1.脂質膜を用いたバイオセンサー.このセンサーの動作には,変換と増幅の原理が使われている.光敏感な媒質との組み合わせを提案している.
2.バクテリオロードプシンを用いた光計算.光メモリー,ホログラフィックプロセシングなど.
3.口NA鎖を用いた計算.口NA鎖の連結反応などのバイオテクノロジーを用いて八ミルトンパス問題などを解くことが可能なことを示したAdlemanの研究を紹介している.本手法に基づく一般的な計算の可能性を指摘している.
4. 神経を変換と増幅の構成単位とした仮想的な脳のシミコ.レーション.
最後に,要素技術・素子の開発とコンピューティングの質の向上が相乗的に進むという分子コンピューティングのシナージェティックな研究の進展を展望している.(論文紹介岩崎裕)

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光二量化反応性高分子膜を用いた液晶配向制御

飯村靖文, 小林駿介

1995 年 64 巻 10 号 p. 1007-1012
発行日: 1995/10/10
公開日: 2009/02/05

DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1007

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光二量化反応を示ずポリビニルシンナメート(PVCi)を用いて,液晶分子の配向制御を行った.PVCi膜への直線偏光紫外線照射により,その膜上での液晶分子は均一なホモジニアス配向を示した.PVCi膜上での液晶分子の配向機構を明らかにし,またPVCi/液晶界面で起こる幾つかの興味ある現象について紹介する.最後に,直線偏光紫外線の二回照射法によるPVCi膜上でのプレティルト角発生法について述べ,今後の光を用いた液晶分子の配向制御法の問題点を指摘する.

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アモルファスシリコンメモリー

野々村修一

1995 年 64 巻 10 号 p. 1013-1017
発行日: 1995/10/10
公開日: 2009/02/05

DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1013

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水素化アモルファスシリコンを金属電極にてサンドイッチした構造の素子をパルス電圧にてフォーミングする事により,プログラム可能なメモリー素子が作製できる.最近,金属/p⁺a-Si:H/金属構造の素子において上部電極にV,Ni,CO, Wを用いることにより抵抗値10⁶Ωから10³Ω間を連続的に書き込みおよび消去可能な不揮発性アナログメモリー素子が報告され,その伝導特性がメゾスコピック系にて観測されるバリスティク伝導を示す事が報告されている.本稿ではこの素子のメカニズムに関する研究成果の現状とその応用例を紹介する.

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運動方向を検出する大脳皮質視覚野の自己組織化のモデル

田中繁

1995 年 64 巻 10 号 p. 1018-1022
発行日: 1995/10/10
公開日: 2009/02/05

DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1018

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大脳皮質視覚領には,さまざまな視覚情報に関する地図が存在する.本解説記事では特に,物体が視野内を運動するときめ方向につい之の情報表現がmiddletemporal area(MT)内にいかにして自己組織化されるのか,という問題を取り上げ理論脳科学における最近の進展の一端を紹介したい.

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ジクロロシランからのシリコン薄膜の形成

清水勇

1995 年 64 巻 10 号 p. 1023-1027
発行日: 1995/10/10
公開日: 2009/02/05

DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1023

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原料ガスとしてSiCl₂H₂を用いたa-Si:H薄膜作製法とその特性について,最近の研究成果をまとめた.製膜法としては,ECRプラズマ,DCプラズマ, Hg光増感法,RFプラズマ法と,バラエティーに富んでいるが,この原料ガスから作製されたa-Si:H膜に蹟著な(?)光安定性の向上が認められている.シリコン網目にも,これまでのものと異なる構造が認められ,今後の高安定・高品質a-Si:H膜作製に一つの指針を与える.

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アモルファスシリコンの物性と形成パラメーターの相関

菱川善博

1995 年 64 巻 10 号 p. 1028-1031
発行日: 1995/10/10
公開日: 2009/02/05

DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1028

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アモルファスシリコン(a-Si)薄膜は通常,原料ガスのSiH₄をプラズマによって分解するプラズマCVD法によP形成される. a-Siの物性(光吸収係数・禁制帯幅・導電率など)は数多くの形成パラメーターによって広範囲に制御できるが,どのようなパラメーターがa-Siの物陛と基本的に関係して、否のかは長年十分に理解されていなかった.a-Slめ形成から物性の測定・解析にわたり系統的な検討を行った結果,100%SiH₄を原籾とした太陽電沖蓼どへの応用に車要な高品質(未結合手など9欠陥の少ない)a一Siの形成に用いられる条件範囲内では,物性が実は形成時の温度と成膜速度の2つのパラメーターのみでほぼ決定されていることが明らかになった.

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プラスチック光導波路を用いた電気光混載実装技術

高原秀行, 小池真司, 岡田顕, 松井伸介

1995 年 64 巻 10 号 p. 1032-1035
発行日: 1995/10/10
公開日: 2009/02/05

DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1032

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光通信系装置に適用する毛ジュールには,光素子とLSIをマルチチップに八イプリツド実装することが必要であり,光導波路を用いたチップ間光インターコネクションのみならナLSIの高速・高集積化に対応できる電気光混載実装技術の開発が不可欠である.そこで,LSIの高速高密度実装に適する銅ポリイミド配線板をべ一スに,この配線板と親和性の高いプラスチック光導波路を積層した電気光混載配線板を開発し,マルチチップ実装の課題となる光素子の実装技術について研究している内容を紹介する.

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有機多層薄膜構造を持つ光増幅デバイス

平本昌宏, 勝目正, 横山正明

1995 年 64 巻 10 号 p. 1036-1039
発行日: 1995/10/10
公開日: 2009/02/05

DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1036

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有機電界発光(EL)ダイオードの「電子→光」変換機能と,有機顔料薄膜の「光→電子」変換機能を組み合わせた,光増幅デバイスについて紹介する.本デバイスは,光電導性有機顔料における光電流増倍現象を利用して,最大25倍の光増幅を行うことができる.また,光の短波長変換,出力光のフィードバツク効果による光スイッチング,光パターン記憶など,多くの面白い機能を備えている.

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ポリマー分散型液晶の光散乱特性

平井良典, 若林常生

1995 年 64 巻 10 号 p. 1040-1041
発行日: 1995/10/10
公開日: 2009/02/05

DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1040

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強誘電性高分子液晶の光スイッチング特性

関谷隆司

1995 年 64 巻 10 号 p. 1042-1043
発行日: 1995/10/10
公開日: 2009/02/05

DOIhttps://doi.org/10.11470/oubutsu1932.64.1042

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