巻号一覧
66 巻, 2 号
選択された号の論文の16件中1～16を表示しています
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堀越 佳治1997 年 66 巻 2 号 p. 95
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
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田部 道晴, 小田 俊理, 平本 俊郎, 中里 和郎, 雨宮 好仁1997 年 66 巻 2 号 p. 99-108
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーひとつひとつのの電子の動きを制御する,単電子デバイスと呼ばれる新しい概念が産声をあげて約10年が経った.この間,「単電子」を頭に冠するトランジスタ,メモリー,論理回路などさまざまなデバイス・回路が急ピッチで試作され,単電子物理に根差した独特の振舞が次々と実証されている.さらに,単電子に適した新しい回路や情報処理手法の研究も進展している.一方で,将来の集積化を念頭に置いたさまざまな課題も浮き彫りにされつつある.ここでは,デバイス応用の立場から,単電子に関わる研究状況と今後の展望について述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (10275K) -
筒井 哲夫1997 年 66 巻 2 号 p. 109-116
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー自発光型ディスプレイとしての有機エレクトロルミネッセンス(EL)(用語)デバイスがまさに実用化一歩手前まできた.有機ELの発光効率は極めて高く,これまで実用化へ向けての最大の難関であるとされてきた連続駆動寿命も1万時間を越えるようになった.そして,有機ELのデバイス動作の原理は従来の半導体デバイスとは全く異なるものであることが次第に明らかになってきた.多量の空間電荷を電極から有機絶縁体薄膜へ注入し,輸送する新しい電気-光変換デバイスの特徴を,新しく出現したデバイス物理のパラダイムとしての解釈のもとにまとめた.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (9469K) -
小山 二三夫, 伊賀 健一1997 年 66 巻 2 号 p. 117-122
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー光インターコネクションなどの新しい光エレクトロニクス応用のために,低消費電力で勤作し,二次元的に多数の素子を集積できる面発光レーザーの研究開発が進められている.今や,マイク目アンペアで動作する素子も現実のものとなり,その発光波長も紫外～近赤外の広い波長帯で研究が進められ,今後いろいろな応用分野への展開が期待されている.ここでは,面発光レーザーの低しきい値化の研究動向を中心に,その最近の進展について解説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2120K) -
堀尾 和重1997 年 66 巻 2 号 p. 123-126
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー化合物半導体デバイスのシミュレーションには未解決の問題も幾つか残っているが実用化が間近い.ここでは,最近の話題として,GaAs金属・半導体電界効果トランジスタ(MESFEIT)における深い不純物(トラップ)の影響のモデル化と,急峻なヘテロ接合界面のキャリア輸送のモデル化をデバイスシミュレーションの立場から論ずる.最後に,今後の課題と展望について述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2067K) -
榎木 孝知1997 年 66 巻 2 号 p. 127-131
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーInP基板に格子整舎するInAlAs/InGaAs HEMTの研究開発は,新材料電子デバイスとしての萌芽期を終え,集積回路応用での性能検証の段階に到達している.将来のミリ波帯MM沿や超高速光通信用ICのために,筆者らが開発したデバイス構造や,試作した集積園路を紹介し,その可能性について議論する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3362K) -
田中 雅明1997 年 66 巻 2 号 p. 132-136
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー材料の性質が大きく異なる磁性体と半導体からなる八イブリッド構造についての研究を紹介した.Mn系強磁性金属間化合物とIII-V化舎物半導体という結晶構造・物性・機能が大きく異なる物質からなる薄膜ヘテロ構造を形成するための考え方を述べ,続いてエピタキシャル成長,構造,磁性,電気伝導を調べた結果について報告した.このような異種物質からなるヘテロ構造では,エピタキシャル成長初期の衰面・界面制御がその構造や物牲(特に磁気異方性)を決定する璽要な役割を果たしていることを示した.また,最近新たな展開がみられたIII-V族ベース希薄磁姓半導体についても簡単に触れた.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2754K) -
三露 常男, 冨増 多喜夫1997 年 66 巻 2 号 p. 137-140
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー自由電子レーザーは,従来にない広範囲の波長可変性と,短パルス・高出力を特徴とするコヒーレント光源である.ここでは,自由電子レーザー装置の概要とそれを用いた半導体量子構造評価の研究動向を紹介するとともに,量子井戸光制御光変調素子および半導体ヘテロ接合の評価に関するわれわれの実験について述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1515K) -
蔡 兆申, 中村 泰信, 陳 啓東1997 年 66 巻 2 号 p. 141-145
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーアルミニウム単電子デバイスは理想的なゲート変調を示し,高電流密度が得られ,再現牲に優れ,往々にして完全に動作解析が珂能である.この素子の動作温度は微細加工技術の進展により大きな向上を見せている,われわれは電子ビームリソグラフィにより20nmの島を有ずるアルミニウム単電子デバイスを作った.この素子で,他には類を見ない理想的なゲート変調を高い温度で観測し,その電荷計としての動作を100K以上の渥度まで確認した.また電気化学的微細加工法(ACME法)を開発し,アルミニウム素子の動作温度を,最高で約10倍にすることが簡便にでぎた.デジタル回路の一例として,これら作製技衛の延長により室温動作も十分可能な単電子フラッシュメモリーを提案し,その動作を数値解析により示した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2615K) -
尾江 邦重1997 年 66 巻 2 号 p. 146-150
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー光通信の分野では,マルチメディア時代を迎えて増大する通信容量に対応するため,波長多重(WOM)通信方式が検討されている.この方式で使用する半導体レーザーには,環境温度が変化しても,その波長が変動しない素子が強く望まれているが,従来のレーザーは,この要求にこたえられない.目的とする温度無飯存発振波畏半導体レーザーを籍るための方法は,そのバンドギャップが,温度によりあまり変化しない半導体材料を創製し,それを活性層に用いる事である.本稿では,半導体レーザー波長や,半導体バンドギャップの温度依存性について論じた後,候補となる半導体材料について紹介し,温度無依存発振波長半導体レーザーをうる挑戦的試みについて記述している.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (624K) -
早藤 紀生, 山本 佳嗣, 石田 多華生, 佐藤 和彦1997 年 66 巻 2 号 p. 151-155
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーAlInAs/GaInAs系高電子移動度トランジスタ(HEMT)の劣化機構を熱処理実験を通して調査した.フッ素がA-InAs層に選択的に熱拡散してキャリアを補償する.この現象はフッ素とドナー不純物との電気化学反応が律速しており,AlInAs/GaInAS系HEMTの高温通電加速試験におけるドレイン飽和電流の劣化現象も上記機構で定量的に説明できる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (530K) -
岩井 大介1997 年 66 巻 2 号 p. 156-160
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー近年の移動体通信の急速な発展に伴い,端末である携帯電認に対するデバイスとしにの要求も厳しくなってきている.その要求の一つに低電圧動作がある.InGaAsはバンドギャップがGaAsに比べ小さく低電圧勤作を考えた時,非常に有望な材料である.このInGaAsの長所をいかしたInGaAS系HBTは低電圧単一電源での高効率のマイクロ波増幅が可能であり,次世代の携帯端末におけるキーデバイスとなる可能性を秘めている.本稿では,携帯端末用低電圧パワーデバイスとして今まで進めてぎたInGaAs系HBTのデバイス構造,プロセス技術に関する研究を概説するとともに今後のInGaAs系HBTの可能性について検討する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4050K) -
船戸 充, 藤田 静雄, 藤田 茂夫1997 年 66 巻 2 号 p. 161-165
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー原子価不整合系の半導体ヘテロ構造では,バンド不連続量が界面構造によって変化すると考えられる.本研究では,ZnSe/GaAsヘテロ構造において,界面近傍でのGaAs固相組成を人為的に変調することによって,価電子帯不連続量を0.6～1.1eVの範囲で制御でぎることを光電子分光法によって明らかにする.さらに,界面組成の異なるZaSe/GaAsヘテロ接合ダイオードを作製し,その電気的特性が,設計したバンド不連続量に強く依存していることを示す.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (537K) -
上田 大助, 竹中 浩1997 年 66 巻 2 号 p. 166-167
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
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嶋脇 秀徳1997 年 66 巻 2 号 p. 168-169
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
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平野 真1997 年 66 巻 2 号 p. 170-171
発行日: 1997/02/10
公開日: 2009/02/05
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