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6 号 p. 243-
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4 号 p. 145-
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21 巻 (1952 - 1953)
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20 巻 (1951 - 1952)
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3 号 p. 83-
2 号 p. 41-
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19 巻 (1950 - 1951)
9-12 号 p. 243-
7-8 号 p. 211-
6 号 p. 179-
5 号 p. 143-
4 号 p. 107-
3 号 p. 65-
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18 巻 (1949 - 1950)
10-12 号 p. 293-
8-9 号 p. 229-
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12 巻 (1943)
12 号 p. 553-
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12 号 p. 550-
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9 巻 (1940)
12 号 p. 549-
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10 号 p. 451-
9 号 p. 401-
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3 号 p. 101-
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8 巻 (1939)
12 号 p. 547-
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7 巻 (1938)
12 号 p. 549-
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1 号 p. 1-
6 巻 (1937)
12 号 p. 551-
11 号 p. 501-
10 号 p. 451-
9 号 p. 401-
8 号 p. 351-
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3 号 p. 101-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
5 巻 (1936)
12 号 p. 559-
11 号 p. 509-
10 号 p. 459-
9 号 p. 409-
8 号 p. 359-
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6 号 p. 259-
5 号 p. 209-
4 号 p. 157-
3 号 p. 105-
2 号 p. 54-
1 号 p. 1-
4 巻 (1935)
12 号 p. 487-
11 号 p. 437-
10 号 p. 387-
9 号 p. 333-
8 号 p. 293-
7 号 p. 251-
6 号 p. 211-
5 号 p. 169-
4 号 p. 129-
3 号 p. 77-
2 号 p. 39-
1 号 p. 1-
3 巻 (1934)
12 号 p. 445-
11 号 p. 403-
10 号 p. 365-
9 号 p. 323-
8 号 p. 283-
7 号 p. 243-
6 号 p. 201-
5 号 p. 161-
4 号 p. 121-
3 号 p. 81-
2 号 p. 41-
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2 巻 (1933)
12 号 p. 445-
11 号 p. 409-
10 号 p. 369-
9 号 p. 331-
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6 号 p. 211-
5 号 p. 169-
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3 号 p. 87-
2 号 p. 48-
1 号 p. 1-
1 巻 (1932)
6 号 p. 221-
5 号 p. 178-
4 号 p. 131-
3 号 p. 1-
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1 号 p. 1-
67 巻, 11 号
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産学共同研究に対する意識改革の必要性
谷口 研二
1998 年 67 巻 11 号 p. 1233
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1233
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(Ba,Sr) TiO
3
(BST)薄膜を用いたギガビットDRAM用キャパシター形成技術
加藤 芳健, 笠井 直記
1998 年 67 巻 11 号 p. 1239-1248
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1239
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DRAMの大規模集積化は,設計寸法の縮小に伴うメモリーセルの微細化により実現されてきた.メモリーのセルサイズが縮小されてもDRAMの安定動作のためにはキャパシター容量値を一定以上に保つ必要がある.キロビット世代では誘電体であるシリコン酸窒化膜の薄膜化を進め,メガビット世代では電極面積の増大を図った.そして,ギガビット世代では容量絶縁膜の誘電率の増大が必要となった.本報告では,高誘電率(Ba,Sr)Tio
3
膜を用いたキャパシター開発上の課題,および現状技術について報告する.
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(8662K)
強誘電体における分極反転
石橋 善弘
1998 年 67 巻 11 号 p. 1249-1255
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1249
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強誘電体の分極反転に関する基本的な事項について解説する.強誘電体の履歴曲線および分域壁について,現象論的な考察を行う.また,分極反転を念頭において,アヴラミ・モデルに言及し,格子モデルを導入する.
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(1460K)
SrBi
2
Ta
2
O
9
(SBT) 薄膜による低電圧不揮発性メモリーの現状と将来展望
上本 康裕
1998 年 67 巻 11 号 p. 1256-1262
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1256
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強誘電体を用いた不揮発性メモリーはSrBi
2
Ta
2
O
9
系ビスマス層状ぺロブスカイトなどの強誘電体材料技術,強誘電体/半導体集積化技術の飛躍的な進歩により,低電圧かつ高速動作の特長を武器に従来の不揮発性メモリーの置き換えを開始した. ICカード応用を第一のステップとして今まさに本格的な量産化の時代を迎えようとしている.
ここでは,特にSrBi
2
Ta
2
O
9
系の強誘電体薄膜を用いた強誘電体不揮発性メモリーの技術の現状と課題,および今後の展望と応用について解説する.
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(5640K)
Pb(Zr,Ti)O
3
膜による強誘電体メモリーの開発
中村 孝
1998 年 67 巻 11 号 p. 1263-1269
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1263
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強誘電体メモリーは高速性・高集積性・低消費電力性などに非常に優れており,既存半導体メモリーの大部分を置き換える司能性をもつメモリーデバイスとして注目されている.強誘電体材料にPZT (Pb(Zr,Ti)O
3
)系を用いて256kbitまでのメモリーはすでに製品化が行われており,今後市場が拡大していくものと予想される.ここでは,強誘電体メモリーの特徴とその応用について述べ,さらなる高集積化・大容量化のために必要なプロセス技術について触れる.
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(5765K)
フラクタル構造における光散乱現象
魚住 純
1998 年 67 巻 11 号 p. 1270-1275
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1270
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全体と部分が同じように児えるフラクタルは,自然の造形やさまざまな物理現象に多く存在する.そのような構造によって回折・散乱された光の場にはフラクタル特有の性質が現れる.その特異性は,物体のフラクタル性の評価,フラクタル構造をもつ光デバイス,フラクタル光波の工学的応用などの観点から興味深い.ここでは,フラクタル構造からの前方単一散乱や後宵多重散乱,散乱によるフラクタルな場の生成などについて紹介する.
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(3848K)
GaNバルク結晶の育成とデバイス応用への展望
酒井 士郎
1998 年 67 巻 11 号 p. 1276-1280
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1276
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昇華法で成長されたバルクGaN結晶に重点を置きながら,バルク結晶の成長方法とその特性について述べる.窒化物系光電子デバイス作製用基板として十分な大きさのバルクGaN結晶は得られていないが,その上に成長された窒化物結晶の特性はサファイア上のそれと比べて格段に優れている.さらに,バルクGaN結晶とサファイア上GaNとの比較により明らかとなった転位の効果についても解説した.
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(3568K)
ひずみイメージングによる強誘電体薄膜の微視的評価
高田 啓二
1998 年 67 巻 11 号 p. 1281-1285
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1281
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走査型プローブ顕微鏡(SPM)の高い王次元空間分解能を利用した高分解能強誘電体計測法とその観察結果について述べる.Pb(Zr,Ti)O
3
(PZT) などの大きな圧電定数をもつ強誘電体簿膜に, SPM探針を用いて電圧を印加すると,圧電性ひずみが発生し表面が変位する.この表面変位をSPMで検出し画像化することにより,圧電的強誘電的特性をとらえることができる高分解能ドメイン観察,分極方向制御,抗電場・圧電定数の定量計測などが実現できた.
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(4351K)
(Ba,Sr)TiO
3
膜のエピタキシャル成長と強誘電特性
阿部 和秀, 梁瀬 直子, 小松 周一, 佐野 賢也, 川久保 隆
1998 年 67 巻 11 号 p. 1286-1289
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1286
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エピタキシャル強誘電体薄膜に格子不整合を利用して応力を加え,キュリー温度を上昇させることを試みた.従来キュリー温度が低いために不揮発性メモリーの応絹には適さないと考えられていた (Ba,Sr) TiO
3
(EST) のエピタキシャル膜をSrRuO
3
/SrTiO
3
基板上に作製し,ヒステリシス曲線,スイッチング電流など強誘電特性の測定結果から,キュリー温度が200℃以上に上昇していることを確認した.これは, BST膜をDRAM用高誘電率薄膜としてだけではなく,不揮発性メモリー用の強誘電体薄膜としても利用できることを示している.
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(2943K)
三重量子井戸構造による光非線形性とその高速応答
安 亨洙, 山口 雅史, 澤木 宣彦
1998 年 67 巻 11 号 p. 1290-1294
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1290
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GaAs/AIGaAs非対称三重量子井戸構造 (ATQW) の光非線形性の起源とその応答速度について述べる. ATQWの光弊線形性は電子の量子井戸間のトンネル効果を利用するため,きわめて高効率で,高速応答が可能である.特定の量子井戸を共鳴的に励起して得られるフォトルミネッセンス (PL) スペクトルの励起光強度依存性を調べたところ,光吸収により生成された電子と正孔がトンネル効果により量子井戸間を移動し,このことにより発生する内部霞界によって生じるシュタルクシフトと振動子強度の変化が非線形性を誘起することが明らかになった.本稿では,この動作原理とピコ秒分光法による実験結果を紹介する.
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(3998K)
新紫外材料ZnO系半導体の励起子光物性
瀬川 勇三郎
1998 年 67 巻 11 号 p. 1295-1298
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1295
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励起子の束縛エネルギーが60meVであるZnO薄膜で用い,室温での,明らかな励起子・励起子散乱過程(P線)によるレーザー発振が初めて観測ざれた.レーザー発振であることは,発振強度の急速な増加,および共振器縦モードの存在より確認された.またZnMgO混晶とZnOとのヘテロ構造の製作とその熱安定性,あるいはZnO/ZRMgO垂子井戸の製作,およびその光学的性質について述べる. ZnO/ZnMgO系量子井戸では,電子正孔ともに閉じ込め効果を受けていることが示された.
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(3491K)
MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O
3
(PZT)系薄膜の成長
清水 勝
1998 年 67 巻 11 号 p. 1299-1300
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1299
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(1256K)
ゾル・ゲル法によるSrBi
2
Ta
2
O
9
(SBT)薄膜の作製
小岩 一郎
1998 年 67 巻 11 号 p. 1301-1302
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1301
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(1901K)
スパッタ法によるシリコン基板上へのPb(Zr,Ti)O
3
(PZT)薄膜のヘテロエピタキシャル成長
堀田 將
1998 年 67 巻 11 号 p. 1303-1304
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1303
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(1047K)
アモルファス半導体の構造
田中 一宜
1998 年 67 巻 11 号 p. 1306-1310
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1306
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アモルファス半導体の構造について,まず,その表現方法,熱力学的状態を路記した.また,平均配位数を用いて構造安定性を議論し,アモルファス半導体を分類した.次に,応用上,最も重要な水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)を取り上げ,その構造について,水素と欠陥を中心にしてややくわしく議論した.最後に,電子物性と構造の関係を直観的に整理し,概略を表に示した.
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(1239K)
〈応用編〉〈太陽光発電システムと応用物理〉火星探査ロボットの太陽電池—Ge基板上のGaAs太陽電池—
山口 真史
1998 年 67 巻 11 号 p. 1311-1314
発行日: 1998/11/10
公開日: 2009/02/05
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.67.1311
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Ge基板上のGaAs太陽電池は,火星探査ロボットをはじめ各種人工衛星に用いられている.最近では,Ge基板上のlnGaPIGaAs2接合構造太陽電池を搭載した衛星も打ち上げられるなど,宇宙用化合物太陽電池の進展は著しい.本稿では,Ge基板上の太陽電池の特徴と物理,火星探査ロボットに用いられた太陽電池の概要とおもな知見,宇宙用太陽電池の将来展望について述べる.
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