巻号一覧
67 巻, 2 号
選択された号の論文の15件中1～15を表示しています
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権田 俊一1998 年 67 巻 2 号 p. 123
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーPDF形式でダウンロード (765K) -
川原田 洋1998 年 67 巻 2 号 p. 128-138
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーダイヤモンドは,ブレークダウン電界,熱伝導度,飽和速度,キャリア移動度などが高いため,八イパワー,高周波,高集積におけるデバイスの性能指標が他の半導体と比べ著しく高い.これを生かす電界効果トランジスタ(FET)開発の視点から,水素終端表面,エピタキシャル成長,キャリア制御,シヨットキー障壁形成,各種FETについて解説した.著者が開発した水素終端表面を利用したダイヤモンドFETでは,室温での高いキャリア密度と低い表面準位密度のため,電流駆動能力が同サイズのシリコンFETに匹敵し,ダイヤモンドの特長を引き出すのに,現状では非常に適した構造になっている.ダイヤモンドFETの発展において,表面吸着原子制御は,結晶成長と同様に非常に重要なプロセス技術となろう.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (11097K) -
樋口 克彦, 三島 友義1998 年 67 巻 2 号 p. 139-143
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高In組成InGaAsチャネルを有するInP基板上HEMTは,現在,最も高い高周波特性を有するデバイスであり,将来のミリ波帯応用システムや高速光伝送システムなどのキーデバイスとして有望視されている.本稿では,InP基板上HEMTの最近の発展と展望について述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (5536K) -
栗島 賢二1998 年 67 巻 2 号 p. 144-148
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー本稿では,光通信用超高速ICの実現をめざして筆者らが研究開発を進めているlnP/lnGaAs系HBTのデバイス構造と性能を簡単に紹介し,本技術の可能性を検証する.また,実際のシステムへ応用する際に最も重要となるデバイス信頼性についても最近の進捗状況を報告する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (5588K) -
小出 康夫, 村上 正紀1998 年 67 巻 2 号 p. 149-154
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー金属/半導体界面に形成される“ショットキーバリア”は,発見からすでに50年以上が経過しているが,その形成機構に明快な解答は得られていない.すべての半導体デバイスには必ず“電極”が必要であり,電極の高性能化はショットキーバリァに関する情報なくしてはありえない.発見初期にはSiやGeを中心にその形成機構が議論ざれていたが,1970年代後半からIII-V族ならびにII-VI族化合物半導体にその議論が発展し,現在にいたっている.本稿はショットキーバリアの形成機構について,これまでの研究成果を踏まえて講義する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3320K) -
大野 隆央1998 年 67 巻 2 号 p. 155-159
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー最近フッ素がAInAs混晶中の不純物を不活性化することが報告され,化合物半導体のヂバイスへの応用上で問題となっている.化合物半導体中におけるフッ素の安定原子位竈,荷電状態,拡散経路,他の不純物との相互作用などの振舞を,同じハロゲン元素である塩素および最も硲究が進んでいる水素との比較を交えながら,第一原理計算による理論的な立場から解説する.得られた計算結果からAIInAs混晶のフッ素による不活性化がどのように理解できるかを論じる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3663K) -
庄司 多津男, 坂和 洋一1998 年 67 巻 2 号 p. 160-166
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーヘリコン波放電は,磁化プラズマに励起される波動を利用したプラズマ生成法で,次のような特徴をもつ. (1) 高密度プラズマ(～1013cm-3)を比較的低電力(～1kW)で効率よく生成できる. (2) 磁場に関連したサイクロトロン共鴫を用いないため,磁場の広い範囲でプラズマ生成が可能となる.この解説ではヘリコン波プラズマ生成の機構について説明し,これに関連した応用を禽む最近の実験の一部を紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1835K) -
最近の研究動向樽茶 清悟, 都倉 康弘, 藤澤 利正, 平山 祥郎1998 年 67 巻 2 号 p. 167-171
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーメソスコピツク構造の研究が,半導体の世界で始動してから,ほぼ10年が経過した.この間,研究分野は急速に拡大し,電子輸送に関しては,コンダクタンス量子化,バリスティツク伝導,単一電子トンネル効果などが特徴的な現象として観測されてきた.これらのほとんどは,基本的には,非相互作用電子系の古典的描象で説明される.しかし,最近になって,朝永-ラッティンジャー液体や人工原子のフント則などの,相互作用電子系の量子力学的描象が重要と考えられる伝導現象が観測され,また,量子力オス,光介在単一電子トンネル,単一光子制御などの新しい研究分野が開けてきた.本稿では,これらの新しい研究動向をトピックス的に紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (5108K) -
小路 元1998 年 67 巻 2 号 p. 172-175
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高ひずみのエピタキシャル成長によって作製される自己形成量子ドットは,結畠成長により自然に微細構蓋が形成されることから,低次元構造応用デバイスの作製にブレークスルーをもたらすものと期待されている.量子ドットレーザーへの応用においても,電流注入によるレーザー発振が報告さにれ,急展開を晃せつつある.ここでは, InAs自巴形成量子ドットの半導体レーザーへの応用について紹介するとともに,現状の問題点を明らかにし,今後を展望する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3065K) -
松本 和彦1998 年 67 巻 2 号 p. 176-180
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーSTMの探針,あるいはAFMの導電性力ンチレバーを陰極として用い,大気中の水分を介して金属の表面を局部的に陽極酸化させる「STM/AFMナノ酸化プロセス」を用いて,プレ-ナー構遊の単一電子索子を作成する手法について紹介する.本手法を用いると単一電子素子のトンネル容量力MO-19Fのオ.ダーになり,室温動作が可能となる.また,基板に原子オ.ダ-で平坦なアルミナ (α-AI203) を用いることにより, STM/AFMナノ酸化プロセスの信頼性が向上することについても述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4414K) -
福政 修1998 年 67 巻 2 号 p. 181-185
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高温・高速.高活性な熱プラズマ流であるプラズマジェットを取りあげ,その材料プロセスへの応用について述べる.まず,広い圧力範囲にわたって安定なプラズマジェットの生成・制御法を紹介する.次に,プラズマジェット・を減庄下で用いた材料プロセスとしてダイヤモンド膜の高速會成,ニコ.一セラミックス合成,傾斜構造膜の作製を紹介し,その基本的な考え方を述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4360K) -
坂田 治久, 松島 裕一1998 年 67 巻 2 号 p. 186-189
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー光技術は超並列性という電子技術にはない特徴を有しているため,情報処理には魅力的である.このような並列光情報処理分野における新しい面型光機能素子として,三角バリア光スイッチ (TOPS) を提案する.この素子はn+i-δp+-i-n+の三角バリア構造からなるinGaAs/InAIAs系半導体を用いた一種の光電変換素子であり,アバランシェ増倍に起因するS寧型負性抵抗を有してにいる.この素子は光入カー電流出力特性において微分利得,双安定,ラッチという異なった機能をバイアス電圧を制御するだけで実現でき,かつ高感度,高利得という優れた特徴がある.さらに,この素子を用いた光入力によるAND,OR,XORの論理動作を実証した.本稿では本素子の原理,応用例について紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2956K) -
坂井 一文1998 年 67 巻 2 号 p. 190-194
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー結晶中の微細析出物による赤外線レーザーの散乱光を光散乱トモグラフ装置を用いて非焦点面上で観察した.散乱体像は焦点面上では点状あるいは円状であり,形状の区別はできないが,非焦点面上では個々に特有の回折パタ-ンを示した.これらの回折像をフレネル回折近似を用いて表し,フーリエ変換すると散乱体の形状が得られる.シミュレ.ション結果と熱処理したSi結晶中の析出物への応用例をもとに,この方法(フーリエ変換光散乱トモグラフ法lFT-LST法)で数100nm程度の欠陥の形状が推定できることを示す.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3157K) -
和田 浩, 上條 健1998 年 67 巻 2 号 p. 195-196
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
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香川 俊明1998 年 67 巻 2 号 p. 197-198
発行日: 1998/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーPDF形式でダウンロード (1402K)
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