巻号一覧
68 巻, 4 号
選択された号の論文の18件中1～18を表示しています
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笛木 和雄1999 年 68 巻 4 号 p. 365
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
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内田 慎一1999 年 68 巻 4 号 p. 367-377
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー銅酸化物の高温超伝導機構解明をめざした実験・理論の最近の進展について報告する.高温超伝導は反強磁性絶縁体の二次元CUO2面にドーピングすることによって実現する.超伝導相は,ある狭いドーピング範囲に存在するが,それが複雑な内部構造をもつことがわかってきた.擬ギャップとよばれる常伝導状態のエネルギーギャップ,そしてスピンと電荷のストライプ秩序とその揺らぎなどである.これらの影響を受けて電子のフェルミ面がドーピングとともにどう変化するのか,また高温超伝導とのかかわり,超伝導臨界温度を決めている因子などを議論する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (12239K) -
熊倉 浩明, 戸叶 一正1999 年 68 巻 4 号 p. 378-383
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー最近,高温超伝導材料の研究が進み,その応用が真剣に検討され始めている.ビスマス系線材およびバルク材の応用としては,送電ケーブル,発電機,トランス,超伝導エネルギー貯蔵,限流器,実験室用各種マグネット,電流リードなどがあり,またイットリウム系バルク材の応用としてはフライホイールや磁気浮上搬送システム,電流リードなどがある.これらの機器のうちのいくつかはすでにプロトタイプが試作されており,試験運転が行われているが,電流りードや実験室マグネットなどを除いて,まだ性能が実用レベルには達していない.最大の問題は臨界電流密度が十分高くないことである.また交流損失が大きいことも交流応用には大きな悶題である.これらの問題を解決して実用化を達成するには,今後さらなる材料学的研究が必要不可欠である.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (5348K) -
層状窒化物高温超伝導体の発見山中 昭司1999 年 68 巻 4 号 p. 384-390
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー金属窒化ハロゲン化物β-MNX (M=Zr, Hf; X=Cl, Br) の結晶構造には金属窒化物二重層がハロゲン原子面に挟まれて存在する.このハロゲン層間にアルカリ金属をインターカレーションすることにより,窒化物層に電子をドープした. β-MNX 層状結晶はバンドギャップが3～4 eVの半導体であるが,インターカレーションにより, Zr系では13Kで, β-HfNClでは25.5Kで超伝導を示すことを見い出した.金属窒化物層は高温超伝導のCuO2層と同様に,高温超伝導の優れたマトリックスとなることが期待できる. β-MNXの合成法と,構造,インターカレーション,超伝導特性について紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2718K) -
川崎 雅司, 藤本 英司, 土屋 龍太, Mikk LIPPMAA, 佐藤 弘, 赤穂 博司, 鯉沼 秀臣1999 年 68 巻 4 号 p. 391-396
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高温超伝導体の出現で一気にブレノイクした酸化物エピタキシャル薄膜研究は、10年以上が経過した今、エレクトロニクス分野で大きな潮流となりつつある。強・高誘電体や憂大磁気抵抗物質、紫外光レーザー材料とさまざまな展開を見せる中で、デバイス構築に不可欠な酸化物ヘテロ界面の化学と物理の理解はいまだ十分ではない。高温超伝導体を用いた積層ヘテロ接合型ジョセフソントンネル接合の構築をめざして行ってきたわれわれの研究を紹介し、酸化物特有の原子レベル界面制御技術の進展を説明する。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3614K) -
室町 英治1999 年 68 巻 4 号 p. 397-402
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー新規酸化物超伝導物質の開発は,常圧下における単純な固相合成法を用いて行われることが多かったが,近年,高圧合成法の適用が注目を集めている.例えば, 100K以上のTcを有する超伝導体に限れば,その2/3以上が高圧安定相であり,ここ数年間の活発な高圧合成研究の成果が見てとれる.本稿では,さまざまな高圧安定超伝導物質の構造と超伝導特性を概観する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2772K) -
生田 博志, 岡 徹雄, 水谷 宇一郎1999 年 68 巻 4 号 p. 403-406
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー溶融法により作製された軽希土類元素系高温超伝導体の特性が,最近飛躍的に進歩した.特に,原料に銀を添加ずることによって,高い特性を有する試料を再現よく作製できるようになった.その結果,強いピン止め力によって捕捉される磁束密度の大きさが,これまでおもに研究されてきたY系を大きく上回ることがわかり,その上限はいまや超伝導特性そのものよりもむしろ試料の機械的強度によって制限されるレベルに達している.本稿では,この最近の進展を紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2064K) -
定方 伸行1999 年 68 巻 4 号 p. 407-410
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー高温超伝導材料の線材開発において,磁界特姓に優れるイットリウム系超伝導材料線材化の研究開発が進展している.イットリウム系材料のもつ高臨界電流密度特性を線材として十分に発揮させるには,可とう性のある長尺墓板の上に,多結酪超伝導体の結晶方位をそろえて舎成する必要があるが,実用的な金属テープ上に多結晶薄膜中間層を高度に結晶配向させる技術や,金属テープ自体を結晶配向させる技術の開発により,高性能線材実現の可能性が急速に進展しでいる.ここでは,先進高温超伝導線材化技術であるイットリウム系超伝導線材の研究開発の動向と今後について展望する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2358K) -
高見 誠一, 久保 百司, 宮本 明1999 年 68 巻 4 号 p. 411-414
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーコンピューターを用いて分子や原子の挙動を探る計算化学の分野は,理論的な手法の進歩と計算機環境の向上があいまって,近年大きな展開を遂げている.一方,エレクトロニクス材料の分野ではデバイスの微細化に伴って,その構造を原子レベルで設計・制御する手法が求められている.本稿では計算化学を活用し,デバイス材料の設計・製作支援を行った実例について紹介したい.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3032K) -
大内 伸夫, 斎藤 健治1999 年 68 巻 4 号 p. 415-418
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー原研では,大出力核破砕中性子源による中性子科挙研究計画を推進している.中性子源を駆動するための大強度陽子加速器は,既存の陽子加速器の約10倍のビームパワーが要求される.その実現のためには,ビームロスによる放射化の抑制,建設および運転コストの低減が重要である.これらを満足するものとして,主加速部に超伝導陽子リニアックを採用することとした.超伝導空胴の陽子加速器への適応は世界初の試みであり,その設計・開発を高エネルギー加速器研究機構 (KEK) と共同で進めている.超伝導陽子加速器システムの概念設計においては加速器構成の最適化を行い,それをもとに超伝導加速空胴の設計を行った.また,超伝導空胴自身の開発では,空胴性能試験用テストスタンドを製作するとともに,単セル空胴の試作・試験を行った.試験結果は良好であり,陽子用超伝導空胴実現の見通しを得た.本研究紹介では,超伝導陽子リニアックの概念設計と超伝導加凍空胴開発の現状について述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1960K) -
平家 誠嗣, 渡邊 聡, 和田 恭雄, 橋詰 富博1999 年 68 巻 4 号 p. 419-423
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー走査トンネル顕微鏡 (STM) による表面微細加工技術を用いて, Si (111)-7×7再配列表面の表面準位を介した表面電気伝導度の直接測定に初めて成功した. Si (111)-7×7表面においては,フェルミ準位が表面準位にピン止めされ,ショットキー障壁が形成される. STM探針から注入ざれた電子は,この障壁で散乱され,表面準位を介して伝導する.われわれは,探針によるファプリケーションで表面準位を一部除去して,表面準位を介した電流経路を制御した.この手法で形成した人工構造のSTM像ではシヨットキー障壁の影響が現れ,さらに表面に生じた電圧降下の解析により表面準位電気伝導度を晃積もることができる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2726K) -
川上 彰二郎, 佐藤 尚, 川嶋 貴之1999 年 68 巻 4 号 p. 424-425
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
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野田 進1999 年 68 巻 4 号 p. 426-427
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
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倉持 栄一, 天明 二郎, 玉村 敏昭1999 年 68 巻 4 号 p. 428-429
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
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大津 元一1999 年 68 巻 4 号 p. 431-434
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー近接場光学技術の微細加工への応用について述べた.その例としてナノ寸法物質の堆積とその将来展望、さらには加工の応用としての超高密度光メモリーの実現のための問題点とその解決策の現状について概説した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3722K) -
堀 浩雄1999 年 68 巻 4 号 p. 435-441
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー液晶のおもな電気光学モードとそれらを用いたLCD, さらにアクティブマトリックス駆動型LCDについて,誕生の経緯と案用にいたるまでの変遷を概観した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1542K) -
難波 進1999 年 68 巻 4 号 p. 442-443
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
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多田 邦雄1999 年 68 巻 4 号 p. 444-447
発行日: 1999/04/10
公開日: 2009/02/05
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