巻号一覧
69 巻, 2 号
選択された号の論文の14件中1～14を表示しています
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長谷川 英機2000 年 69 巻 2 号 p. 139
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
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末光 哲也2000 年 69 巻 2 号 p. 141-151
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーInP基板上に作製された高電子移動度トランジスタ (HEIMT) は高い電子速度が実現でき,電子ビーム描画を用いて作製したゲート長30nmのHEMTは今日までに報告されているあらゆるトランジスタの中で最高速の特性を示している.本報告では,まず微細ゲートInP系HEMTにおける電子輸送について議論した後,デバイス作製技術やIC応用例を紹介し,最近の研究動向や残された課題について議論する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (10993K) -
常信 和清, 田中 均2000 年 69 巻 2 号 p. 152-158
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーInGaP/GaAsヘテロ接合を用いた電子デバイスは,従来より研究開発されてきたAIGaAs/GaAsヘテロ接合デバイスに比べ,優れた高周波特性を示す。本解説では,ヘテロ接合のバンドラインナップおよび界面再結合速度,衝突イオン化係数の違いについて,またこの違いがInGaP/GaAsヘテロ接合を用いたFETならびにヘテロ接合バイポーラトランジスタHBT (Hetero junction Bipolar Transistor) の高周波特性やパワー特性,雑音特性,素子寿命特性へもたらす利点について概説する。抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3459K) -
生駒 英明2000 年 69 巻 2 号 p. 159-165
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー化合物半導体は高速素子材料として期待されているが,その表面・界面には高密度の界面準位が存在してフェルミ準位ピンニング現象を引き起こし,きわめて不安定である.ここではフェルミ準位ピンニングや界面準位およびそれらのデバイスなどへ及ぼす影響にふれた後,最近注目されているいくつかの表面安定化方法について述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1542K) -
鷲尾 勝由2000 年 69 巻 2 号 p. 166-171
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーSiGeヘテロ接合バイポーラトランジスタ (SiGeHBT) は, SiGeをベース領域に用い化合物半導体デバイスに匹敵する高周波・高速性能を有し,マイクロ波からミリ波帯にいたる無線通信システムや高速伝送システムなどのキーデバイスとして期待されている.本稿では, SieHBTに関する,エピタキシャル成長,プロセス・デバイス技術,トランジスタ特性, ICへの応用について解説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2593K) -
本城 和彦, 古谷 之綱2000 年 69 巻 2 号 p. 172-175
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーCDMA方式では,受信信号品質を一定値以上に上げると,誤り訂正符号技術を有効に活用して大幅に伝送誤りを低減することができる.このため画像やデータなどのマルチメディアサービスに適しているが,高周波部品には広いダイナミックレンジと線形性が要求される. FET系デバイスでは,飽和電流以下の信号には優れた線形性を示し,逆に飽和機構を有さないバイポーラデバイスでは過入力に対しても十分に再現できる能力を有する.これらデバイスの超高周波化の現状と施策について述べた.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1802K) -
谷野 憲之2000 年 69 巻 2 号 p. 176-178
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー最近の高速電子デバイスに関するシミュレーション技術の進展について述べる.物理的なモデルに基づいたデバイスシミュレーション技術がどこまで進んだか,またデバイスの設計にどう生かされているかについて幅広く紹介する.さらに,関連する回路シミュレーション技術についてもふれ,今後の展望について述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1094K) -
河合 弘治, 中村 文彦, 今永 俊治2000 年 69 巻 2 号 p. 179-181
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー6nmの極薄AINを絶縁鷹としたAIN/GaN MISFIET (絶縁ゲート型電界効果トランジスタ)を試作した.ゲート長1.4μmで500mA/mmのドレーン電流と220mS/mmの相互コンダクタンスが得られ,化合物半導体で, MISFETが可能であることを示した.しかし,ゲートリーク電流が予想より大きく,この解決には結晶成長技術の向上が不可欠である. AIN/GaN MISFETの二次元モンテカルロ計算を行い, FET特性を予測した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2102K) -
中川 敦, 渡辺 健一2000 年 69 巻 2 号 p. 182-185
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーガンダイオードは良好な位相雑音や1/ƒノイズ特性をもつことから,ミリ波帯の有用なパワーソースとして期待されている.ミリ波帯素子の高性能化と低コスト化をめざして提案・開発した,ベアチップの形態で平面回路基板上に搭載できる新構造のフリップチップガンダイオードを紹介する.マルチメサの素子構造と熱伝導率の高い窒化アルミニウム (AIN) 基板を用いることにより素子の動作温度の上昇を抑制し,発振動作のための熱的制限を解決した.この素子を用いたプレーナー構造ガン発振器はマイク環ストリップ共振器による単純な回路で構成され,高い発振出力と低位相雑音という優れた特徴を有する.本稿では本素子の原理,応用例についても報告する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2099K) -
猪俣 浩一郎2000 年 69 巻 2 号 p. 186-190
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー強磁性スピントンネル接合 (MTJ) は薄い絶縁層を挟んだ2つの強磁性層からなり,両端に電圧を印加すると電子はスピンを保存したままトンネルすることができる.磁性層の磁化を互いに平行,反平行にスイッチさせることで大きなトンネルMR (TMR) が得られ,その値は最近の技術進展により室温で40%を超える.また,絶縁層の膜厚を制御することで7桁にわたって接合抵抗を変えることができる.現在, MRAMへの応用研究が進んでいる.本稿では, TMRの物理と特徴,接合の作製法と材料特性,およびMRAMへの応用研究動向を紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1184K) -
三島 友義2000 年 69 巻 2 号 p. 191-192
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーPDF形式でダウンロード (1653K) -
岡本 敦, 柴崎 一郎2000 年 69 巻 2 号 p. 193-194
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
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岡崎 信次2000 年 69 巻 2 号 p. 196-200
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー半導体素子の微細化,高集積化をけん引してきた,リソグラフィー技術の基礎を紹介する.リソグラフィー技術は,露光装置技術とマスク技術,それにレジスト材料とそのプロセス技術から成り立っている.また露光に用いる光源として,従来は紫外線や,深紫外線を用いてきたが,将来は電子線やX線,極端紫外線等利用が検討されており,それぞれの方式に対応した技術について解説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2105K) -
金子 正秀2000 年 69 巻 2 号 p. 201-207
発行日: 2000/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーテレビや映画に代表される動画像信号に含まれる情報量は膨大であり,これを現実に利用可能な蓄積系メディアや伝送路を用いて効率よく記録したり伝送するためには,情報量の圧縮,すなわち動画像符号化技術の利用が不可欠である.本稿では,蓄積系メディアでの利用を念頭に置いて,動画像符号化のための基本的な考え方について解説する.また,発生情報箪の時間変動に対する制御や蓄積系メディアで多用される特殊再生への対応についても述べる.最後に,動画像符号化の国際標準化や実利用の動向についても簡単に紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1772K)
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