巻号一覧
70 巻, 2 号
選択された号の論文の13件中1～13を表示しています
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前田 三男2001 年 70 巻 2 号 p. 133
発行日: 2001/02/10
公開日: 2009/02/05
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白田 耕藏2001 年 70 巻 2 号 p. 138-148
発行日: 2001/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーレーザー場と強く相互作用するラマン型3準位系に典型的に現れる量子干渉効果を用いた光学過程を「量子コヒーレンスによる光学応答の制御」の立場から議論する.とりわけ,共鳴3準位系と遠共鳴系を対比させながら議論する.遠共鳴系の作業物質として固体水素を例示して議論する.最近のいくつかのトピックス:超低速光伝搬,極低光強度での非線形光学,最大コヒーレンスを用いるパラメトリック過程,パルス伝搬の固有状態,サブフェムト秒光パルス発生の可能性などについて議論する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (9683K) -
阪井 清美, 谷 正彦2001 年 70 巻 2 号 p. 149-155
発行日: 2001/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー光波と電波の境界にある技術的に立ち遅れたテラヘルツ帯(100GHz～10THz)を開拓するために,最新のレーザー技術や半導体および高温超伝導体の新技術を使って,新しい電磁波技術を発展させた.すなわち(a)フェムト秒光パルスが超高速の光スイッチ,半導体表面,量子井戸,高温超伝導デバイス等を励起して生じる,テラヘルツ電磁波パルスの発生,(b)2本の連続波(CW)レーザービームの光混合による,周波数可変のテラヘルツ電磁波の発生について述べるとともに,応用例も示した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (6866K) -
須田 亮, 鳥塚 健二, 緑川 克美2001 年 70 巻 2 号 p. 156-160
発行日: 2001/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーモード同期チタン・サファイアレーザーから2サイクルの光パルスが発生されるに至り,レーザー発振器からの直接的な超短パルス発生は,ほぼその限界に達している.筆者らは,この時間限界をブレークスルーするアト秒光パルスの発生と利用に関する研究プロジェクトを進めており,これまでさまざまな提案をするとともにそれらの実現の可能性を検討してきた.本稿では,アト秒パルスへのアプローチの現状と課題について紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2440K) -
溝口 計2001 年 70 巻 2 号 p. 161-164
発行日: 2001/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー100nm以下のLSI回路パターン加工用の有力候補として最近注目されているF2リソグラフィーの技術的課題および光源の技術課題について紹介し,それらの課題を解決するためのレーザー光源開発へのわが国の取り組みとその将来展望について述べる抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3197K) -
吉見 信2001 年 70 巻 2 号 p. 165-168
発行日: 2001/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーSOI技術の各種LSIにおける最近の研究開発動向が述べられる.高速MPUにおいては,基板浮遊効果を回避しながら,バルクシリコン素子に比べて20～30% の高速化が達成されている. DRAM 応用においてはソフトエラ一フリー,ビット線容量低下などの利点とともに,ダイナミックリテンション特性の劣化問題などが指摘されている.通信用LSIでは,支持基板に高抵抗シリコンを用いることによりインダクターの性能改善とクロストーク改善が可能となる.そのほか,動作電圧0.5V 以下で動作するLSIへの応用,SOIを用いたポストスケーリング素子構造,および今後のSoCに向けた開発の方向性などが述べられる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1091K) -
腰原 伸也2001 年 70 巻 2 号 p. 169-172
発行日: 2001/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー微弱な光励起によって結晶全体か相転移する新しい現象,光誘起相転移,ならびにそのダイナミックスについて紹介する.光誘起相転移現象は,多電子励起状態などの非平衡状態におかれた物質における,共同現象を研究する格好の舞台として多くの研究者の興味を集めつつある.本稿では,イオン性状態と中性状態を光励起によって入れ替わる有機電荷移動錯体結晶,テトラチアフルバレン-クロラニル (TTF-CA) 結晶を例として取り上げ,フェムト秒レーザー励起による光誘起相転移とその高速ダイナミックスの特徴,さらには光誘起相転移に伴う2次の非線形光学特性の劇的な変化を紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1049K) -
藤本 正俊, 青島 紳一郎, 細田 誠, 土屋 裕2001 年 70 巻 2 号 p. 173-177
発行日: 2001/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー媒質中を伝搬する高密度パルス光のフェムト秒時間分解スナップショットを得るための新しい方法を提案・実証した.この方法は高密度パルスによって媒質中に誘起される瞬時的な複屈折を利用する.空気中を伝搬する高密度フェムト秒レーザーパルスの連続的なフェムト秒時間分解画像により,空間光強度分布の超高速時間変化が明確に観測できた.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3763K) -
角谷 正友, 福家 俊郎2001 年 70 巻 2 号 p. 178-182
発行日: 2001/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー六方晶GaNを中心としたIII-V族窒化物で構成される青色発光および電子デバイスは極性面上に形成されている.われわれはこの極性構造を切り口にしてMOCVD-GaN 薄膜の成長,特性に関する研究を行ってきた.その結果,成長プロセス(基板処理,低温緩衝層など)と成長方位(極性)に非常に大きな相関があることを定性的ながら見いだした. GaN 薄膜成長や特性に極性が関与する現象(成長モードや特性)に対するわれわれの現在の理解を紹介する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4438K) -
安井 公治, 今野 進, 藤川 周一, 小島 哲夫2001 年 70 巻 2 号 p. 183-184
発行日: 2001/02/10
公開日: 2009/02/05
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平山 陽一, 今鉾 友洋, 尾園 和恵, 小原 實2001 年 70 巻 2 号 p. 185-187
発行日: 2001/02/10
公開日: 2009/02/05
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中嶋 堅志郎2001 年 70 巻 2 号 p. 188-190
発行日: 2001/02/10
公開日: 2009/02/05
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名取 研三2001 年 70 巻 2 号 p. 192-196
発行日: 2001/02/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー前回まで,集積化・微細化が推し進められている実用レベルのメモリーを見てきた.今回は21世紀初頭の実用化をめざし研究・開発の進んでいる新しいタイプのメモリーを概観しよう.この十数年,新しいデバイス原理として注目を浴びてきたクーロンブロッケード現象を応用した単一電子メモリー,新しい型のメモリーとして急速に注目を集めてきた磁性ランダムアクセスメモリー,長年の地道な研究が重ねられてきた負性抵抗メモリーにっいて,その原理および現状を解説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2350K)
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