巻号一覧
71 巻, 5 号
選択された号の論文の17件中1～17を表示しています
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水野 博之2002 年 71 巻 5 号 p. 509
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
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渡辺 美代子, 為近 恵美, 堂免 恵, 岡田 佳子2002 年 71 巻 5 号 p. 510-520
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
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山本 憲治2002 年 71 巻 5 号 p. 522-528
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー低温でプラズマCVD法にて形成した粒径の非常に小さな薄膜多結晶シリコン(微結晶シリコン)を,太陽電池の発電層として用いた2μm厚の薄膜多結晶シリコン太陽電池にて効率10%以上が得られた.粒界での再結合速度を非常に小さくできれば,必ずしも結晶粒を大きくする必要のないこと,吸収係数の小さなシリコンが光閉じ込め効果により薄膜でも十分な電流を取り出せることを実証したもので,今後の低コスト太陽電池の本命として期待できる起爆剤となった.そして,この微結晶シリコンとアモルファスシリコンのタンデム太陽電池モジュールで初期効率12%が得られ,商業生産が開始された.さらに小面積では初期効率14.5% (1cm2) が得られ,さらなる効率向上が期待できる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3738K) -
でき上がった構造をナノスケール非破壊で見る竹田 美和, 田渕 雅夫2002 年 71 巻 5 号 p. 529-535
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー放射光を用いたX線CTR散乱法によって,全成長過程を経た後の埋もれたヘテロ構造を,ナノスケ-ルでしかも非破壊で,明らかにできることをInP/偽GaAs/mPを例に上げて述べる. V族元素の切り替えを伴うヘテロ構造の成長は当初より困難さが意識され,装置上も成長プ日セス上もさまざまな工夫がなされてきたが,「作ったつもり」の構造が実際にどのような(ナノスケールの)構造になっているのかを確める必要がある.これを非破壊で行う方法として,放射光を用いたX線CTR散乱法が有力である.ほかの方法では見えないさまざまな構造が明らかにされる.それらの構造は,われわれが期待しているとおりになっている場含もあるが,まったく異なる場含もあることを具体的に示す.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4159K) -
バルク合成を超える内藤 方夫, 狩元 慎一, 山本 秀樹2002 年 71 巻 5 号 p. 536-542
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーより高い臨界温度をもつ新超伝導体の探索は,超伝導研究の中で最も夢のある研究の一つである.これまでの材料探索は,原料粉末を高温で焼き固めるバルク合成法によって行われてきたが,バルク合成では,旧93年に水銀系銅酸化物で臨界温度 (Tc) 135Kを記録して以来, Tcとの上昇はない.この状況の中で,筆者らは,分子線工ピタキシー法を用いた薄膜合成により,新しい視点に立った超伝導材料探索を行っている.低温成長・エピタキシー・強酸化といったバルク合成にはない特長を生かし,従来の物質合成の枠を超えた高温超伝導材料の開発を進めている.本稿では,物質合成手段としての分子線工ピタキシー法のポテンシャルを展望する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3713K) -
松村 正清2002 年 71 巻 5 号 p. 543-547
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーSi薄膜のエキシマレーザー溶融再結昌化法における横方向成長が初めて観測されてから10年が経過した.この間のさまざまな工夫により,ガラス基板上に数μm以上の結晶粒を再現性よく形成できるようになった.一方,次世代液晶ディスプレイのために,超高性能薄膜トランジスタが望まれている.このニーズとシーズから,結晶Si薄膜トランジスタの開発が進んでいる。本稿では,このエキシマレーザー誘起横方向結晶成長法について概説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2699K) -
山根 久典, 青木 真登, 皿山 正二2002 年 71 巻 5 号 p. 548-552
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーGaN半導体ヂバイス作製用のホモエピタキシャル基板としてバルクGaN単結晶が求められており,高品質大型GaN単結晶の育成法が模索されている.Naをフラックスに用いる方法では, 600～800°C, N2圧力5MPaの条件でGaN単結晶を合成することができ,現在, 10mm程度の板状単結晶が得られている.本稿では,フラックス法によるGaN単結贔の作製に関する研究の経過を概観し,今後を展望する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3231K) -
滝沢 武男, 日高 千晴2002 年 71 巻 5 号 p. 553-556
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー青色発光用蛍光体として有望なIIa-III2-VI4系化合物の溶融法によるバルク単結晶作製について,アルカリ土類チオガレートを中心として紹介する,この系の化合物は,融点が高いとともに化学反応性が大きく,従来,溶融法による単結晶作製が困難とされていた.筆者らは,示差熱分析と粉末X線解析により, IIa-VIとIII2-VI3系化合物との擬二元相図を作成し,これをもとに単結晶作製を試みた.さらに,紫外光励起発光特性を測定するために,これらの化合物にCeをドープした単結晶の作製も行ったのであわせて報告する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2966K) -
浅野 種正, 牧平 憲治2002 年 71 巻 5 号 p. 557-561
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー単一の結晶粒内にシリコン薄膜トランジスタを実現する技術として,金属インプリント法を紹介する.これは,非晶質のシリコン薄膜を固相で結昂化する際に,金属のティップアレイから薄膜表蜀に金属を局所的に転写し,その点で結晶核を発生させる方法である.結晶核の発生位置を制御した結果,大きさが10μmを超える巨大な結晶粒を,トランジスタを配置したい所望の位置に形成することができる.この技術を使って作製した薄膜電界効果トランジスタが優れた特性を示すこと,および,薄膜バイポーラトランジスタも動作可能であることを示す.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1494K) -
山田 昇2002 年 71 巻 5 号 p. 562-565
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー近年,梢変化材料の開発に結晶工学的理解の重要性か増している. DVD-RAMやCD-RWなど,書き換え型光ディスクに用いられ,ている相変化薄膜材料の構造的特徴は,(i)広い組成域にわたる準安定相(単一相)の出現, (ii) 上記単一相の示す構造対称性の高い原子配置という点で共通し,これらが数十nsのレーザー照射で結晶化するという高速結晶化性能,また結尾化速度が組成を変えることで微調整可能という実用性能と強く結びつく.高い繰り返し性能で知られるGeTe-Sb2Te3系材料では,最近, NaCI型構造中に10%前後の格子欠損を含むことが報告されたが,この事実は相変化に伴う体積変動を低減し,繰り返し性能向上に寄与するものと考えられる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1913K) -
メモリー保持特性の解析と改善奥山 雅則, 児玉 一志, 高橋 光恵, 野田 実2002 年 71 巻 5 号 p. 566-570
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー強誘電体ゲートFETメモリーで問題となっている記億保持特性について,理論的に解析し,構造・膜質改良により記憶保持時間を延長することができた.記憶保持特性劣化を引き起こすさまざまな要因の中で強誘電体への電荷注入に注目し, MFIS構造のバンドプロファイルが時間的にどのように変化するかを解析し,上部金属電極層から強誘電体層への電流が電荷注入をもたらし,界面電荷として蓄えられることが記億保持特性に重大な影響を生じさせていることがわかった。そこで,種々の構造,膜質の改良を試みた結果, SBT膜のアニールが記億保持特性改善に最も有効であることを見いだし,その改善の機構を議論した.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (1190K) -
小南 裕子, 中西 洋一郎2002 年 71 巻 5 号 p. 571-575
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー低速電子線の蛍光体内への侵入深さについて評価を行っている.この測定のためには,蛍光体に入射する低速電子線のエネルギーを正確に測定する必要がある,われわれは,試料上部にメッシュ電極を設置し,電極の電流一電圧特性を調べることにより,一定の条件下における電子線の照射工ネルギーを測定する方法を確立した.この方法により,蛍光体に電子線が照射された場合,蛍光体層において電圧降下が生じていること,実際の励起エネルギーは陽極電圧よりも低いことなどが定量的に示された.この方法を用いて得られた入射電子のエネルギーに対する蛍光体への侵入深さは,電圧降下を考慮しない従来の関係式から得られる侵入深さに比べて深いことが明らかとなった.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2025K) -
鎌田 功穂, 土田 秀一2002 年 71 巻 5 号 p. 576-577
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
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小平 紘平2002 年 71 巻 5 号 p. 578-579
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
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坂井 直道, 成木 紳也, 村上 雅人2002 年 71 巻 5 号 p. 580-581
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
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青山 隆2002 年 71 巻 5 号 p. 583-587
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー透過型電子顕微鏡 (TEM) の基本的な構成と, TEM像,および電子回折図形の基本事項について述べる. TEM像においては,試料中の重い元素の領域ほど電子線を強く散乱させるため,明視野像では暗く見え,結晶中に転位が存在すると,格子面に対する電子の入射角が変化するため,転位領域の明暗変化として観察される.電子線の波長は格子間隔に比べて短いため,ある格子面を観察するには,この面に平行に電子線を入射させることにより,その格子面から反射が観察され,格子間隔が求まる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3197K) -
西 謙二2002 年 71 巻 5 号 p. 588-592
発行日: 2002/05/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー半導体のシミュレーション技術の基礎の導入部分として,シミュレーション技術の概要を紹介する.シミュレーション技術とは何かを概説した後に,産業界での使用目的,効果に関して説明する.次に,シミュレーション精度に関する問題点を,モデルのレベル,および合わせ込みとの関連で説明する.最後に,今後のシミュレーションの課題に関して,ロードマップに従って概説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (4722K)
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