巻号一覧
82 巻, 8 号
『応用物理』 第82巻 第8号
選択された号の論文の29件中1～29を表示しています
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会長メッセージ
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小長井 誠2013 年 82 巻 8 号 p. i-ii
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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企画の意図
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『応用物理』編集委員会2013 年 82 巻 8 号 p. 642
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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解説
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浅井 祥仁2013 年 82 巻 8 号 p. 643-648
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
ジャーナル フリーヒッグス粒子の発見は，ただ単に「標準理論」最後の未発見粒子が発見されたというチョロい話ではない．真空の概念を変えるこの発見は，時空や真空の物理へのパラダイムシフトの始まりである．この新しいパラダイムでは，宇宙の暗黒物質や暗黒エネルギーの理解や，宇宙誕生の謎に迫ることが期待されている．本解説では，ヒッグス粒子の基礎と，実験でどのように発見したかを解説する．
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Ⅰ. これからの応用物理
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小長井 誠2013 年 82 巻 8 号 p. 649-652
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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河田 聡2013 年 82 巻 8 号 p. 653-656
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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Ⅱ. これからの大学・人材育成
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松本 紘2013 年 82 巻 8 号 p. 657-658
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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村上 正紀2013 年 82 巻 8 号 p. 659-660
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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濱田 純一2013 年 82 巻 8 号 p. 661-663
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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Ⅲ. これからの産業
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田中 健一2013 年 82 巻 8 号 p. 664-665
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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長我部 信行2013 年 82 巻 8 号 p. 666-667
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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種谷 元隆2013 年 82 巻 8 号 p. 668-669
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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菅原 充2013 年 82 巻 8 号 p. 670-671
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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産総研を事例として一村 信吾2013 年 82 巻 8 号 p. 672-673
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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Ⅳ. 海外の目
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Chao PENG2013 年 82 巻 8 号 p. 678
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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陽(ひ)はまた昇る河野 淳一郎2013 年 82 巻 8 号 p. 678-679
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
ジャーナル フリーPDF形式でダウンロード (1002K) -
宋 奉植2013 年 82 巻 8 号 p. 680
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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堀口 直人2013 年 82 巻 8 号 p. 680-681
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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張 保平2013 年 82 巻 8 号 p. 681-682
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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安藤 崇志2013 年 82 巻 8 号 p. 682-683
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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Ⅴ. 若い研究者の目
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藤嶌 辰也2013 年 82 巻 8 号 p. 684
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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畠山 大輝2013 年 82 巻 8 号 p. 684-685
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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堀江 優2013 年 82 巻 8 号 p. 685-686
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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堀田 健二2013 年 82 巻 8 号 p. 686-687
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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丹正 亮平2013 年 82 巻 8 号 p. 687-688
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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岡本 大典2013 年 82 巻 8 号 p. 688
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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今月のトピックス
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奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科 情報機能素子科学研究室2013 年 82 巻 8 号 p. 635-639
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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小山 二三夫2013 年 82 巻 8 号 p. 639
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
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知財スペシャリスト対談
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高田 正日出, 池田 敦2013 年 82 巻 8 号 p. 674-677
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
ジャーナル フリー国の知的財産を戦略的に考え実践的に取り組んでいる高田氏と，メーカの中で特に知財に力を入れているキヤノンのR&D担当知財部門のトップの池田氏．これからの日本の技術発展を支えてゆくうえで，「知的財産を守る」ことが重要であると考えているお2人にお話を伺いました．
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基礎講座
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神谷 利夫2013 年 82 巻 8 号 p. 698-702
発行日: 2013/08/10
公開日: 2019/09/27
ジャーナル フリー新しい半導体である酸化物半導体の特徴について，シリコンと比較しながら解説する．まず，薄膜トランジスタ（TFT）の動作原理を説明し，シリコンと酸化物TFTの移動度や欠陥密度の違いを明らかにする．特にアモルファス酸化物TFTの移動度が高いこと，欠陥密度が低いこと，オフ電流が低いことを，強いイオン結合性とそれに伴う電子構造に関連付けて説明する．
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