応用物理
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58 巻 , 2 号
選択された号の論文の14件中1~14を表示しています
  • 原 宏
    1989 年 58 巻 2 号 p. 179
    発行日: 1989/02/10
    公開日: 2009/02/09
    ジャーナル フリー
  • 末松 安晴, 岸野 克巳, 荒井 滋久, 伊賀 健一, 小山 二三夫
    1989 年 58 巻 2 号 p. 180-192
    発行日: 1989/02/10
    公開日: 2009/02/09
    ジャーナル フリー
    光ファイバー伝送はすでに実用期に入り,大容量の400Mbita/sといった光ケーブルが幹線系に導入されている.また,近い将来,音声から画像へといった情報の質的変換から,伝送する情報量が飛躍的に増大し,数Gbits/s以上の大容量伝送システムの必要性が高まってくると考えられる.光ファイバーは,屈折率に有限の波長分散をもつため,光源のあるいは信号自身のスペクトル広がりによって伝送帯域が制限される.一方,光源として用いる半導体レーザーでは,共振器の屈折率変動に起因した時間的な波長の変動(動的波長シフトあるいは波長チャーピングと呼ばれる)が生じ,それが伝送帯域を制限する要因となっており,これを解決する技術が種々試みられている.
    本稿では,半導体レーザの動的波長変動とそれを避けるための外部変調方式も含めた技術について解説する.
  • 大見 忠弘
    1989 年 58 巻 2 号 p. 193-211
    発行日: 1989/02/10
    公開日: 2009/02/09
    ジャーナル フリー
    サブミクQンULSI製造には,低温化,高選択性,無損傷,t完金な均一性といった要件を十分に満足する高牲能プロセス技術の確立が不可欠である.超清浄プロセス雰囲気,超清浄ウエハー表面およびプロセスパラメーターが所定の値に完全に制御できるプロセス装置といった3要件をすべて備えた超クリーンシステムが,サブミクロンULSI用高性能プロセス技術の基礎である.半導体プロセスの勝負はウエハー表面で決まる.しかし,関連する技術分野はきわめて広い.スパッタ成膜,酸化を例にして,ウエバー表面の最大の汚染源である級着分子および自然酸化膜のプロセスへの影響を記述し,超クリーンシステム確立の中枢的存在であるガス供給技術についても解説する.
  • 増井 良平
    1989 年 58 巻 2 号 p. 212-224
    発行日: 1989/02/10
    公開日: 2009/02/09
    ジャーナル フリー
    コイル電流をフィードバック制御することによって磁性体を宙に保持する,磁気浮上技術を用いた測定技術について述べる.例として,磁気浮上型天びん,密度計,浸透圧計,粘度計の典型的な装置についてその動作原理と構造を説明する.この技術は,外から機械的にアクセスできない密閉容器中の物質の性質を,外から測定するのに適している.最後にこうした装置を実現する上で注意すべき点を述べる.
  • 山家 光男, Brian HENDERSON, Kevin P. O'DONNELL
    1989 年 58 巻 2 号 p. 225-236
    発行日: 1989/02/10
    公開日: 2009/02/09
    ジャーナル フリー
    可変波長固体レ-ザーのもとになるバイプロニックな励起状態を電子一格子相互作用を用いて解説するとともに,最近注目されているCr3+を添加したガーネット結晶の光物性について報告する.特に、ガーネットの組成,格子定数とCr3+錯体の結晶場の強さの関係を観測された励起状態2Eg, 4T2gからの蛍光スペクトルの組成,温度依存性より明らかにする.
  • 黒田 和明
    1989 年 58 巻 2 号 p. 237-242
    発行日: 1989/02/10
    公開日: 2009/02/09
    ジャーナル フリー
    数年前に提唱された「第5の力」は,理論,案験を問わず,物理の広い分野に衝撃を与えたが,その検証には,微小で精密な力の測定技術が必要とされるために,旧来の手法の改善と共に新しい実験技術の開発も精力的に続けられている.工業技術院の計量研究所 (NRLM) では,その昔,ガリレイが行ったとされる自由落下による実験を手掛けているが, 2つの物体を並べて同時に落下させるやり方では,計測の誤差,重力勾配の影響などで信頼に足る値は得にくい.これらを克服するために開発した自由落下干渉計について,その原理と特徴を紹介する.
  • 田代 英夫, 武内 一夫
    1989 年 58 巻 2 号 p. 243-248
    発行日: 1989/02/10
    公開日: 2009/02/09
    ジャーナル フリー
    理化学研究所では,昭和60年度から3力年計画で,分子法レーザーウラン濃縮(分子法, MLIS (Molecular Laser Isotope Separation))の原理案証研究を進めてきた. 63年4月には過冷却されたUF6ガスに強力な16μm赤外レーザーを照射する理研方式により,従来分子法では不可能とされていた高い分離能を得る,すなわち-段で3%以上の濃縮ウランの生成が可能であることを実験的に確認した.この原理実証研究の成果を受けて,本年度からは理化学研究所において工学的基礎概究が,動力炉核燃料開発事業団において工学システム研究がスタートした.
  • 森岡 昇, 浜田 博義, 新井 昇, 佐藤 康彦, 金井 英次, 藤田 尚徳
    1989 年 58 巻 2 号 p. 249-257
    発行日: 1989/02/10
    公開日: 2009/02/09
    ジャーナル フリー
    原子レーザー法の実験機開発のため,実験的,理論的研究と併行して,現在,装置開発が行われている.ウラン光電離用のレーザー開発に関しては,銅蒸気レーザーと色素レーザーの大出力化および色素レーザーのスペクトル制御について,分離装置開発に関しては,ウラン貯溜用のるつぼ串の液体金属の熱流動と金属蒸気の流れ分布,ウラン加熱用の電子銃のビーム集束性と高加速電圧化るつぼ等材料ならびに弱電離プラズマからのイオン回収特性について紹介する.
  • 山口 喬
    1989 年 58 巻 2 号 p. 258-266
    発行日: 1989/02/10
    公開日: 2009/02/09
    ジャーナル フリー
    出登りやドライブをするときに地図が必要であるように,材料とつきあうときにはそのための案内図がいる.これが平衡状態図である.この講座は,利用する立場から平衡状態図を理解することを目的としている.次に挙げる項目について4回にわたって説明する.
    (1) 状態図とは何か, (2) 状態図からどんな情報がわかるか, (3) 状態図をどう読むか, (4) 状態図を決める要因は何か, (5) 状態図は何に使えるか, (6) 状態図をどのようにして作るか,どこから捜し出ずか,どのようにして推定するか.
  • 八子 忠明, 伊勢村 雅士
    1989 年 58 巻 2 号 p. 273-274
    発行日: 1989/02/10
    公開日: 2009/02/09
    ジャーナル フリー
  • 原田 光
    1989 年 58 巻 2 号 p. 275-280
    発行日: 1989/02/10
    公開日: 2009/02/09
    ジャーナル フリー
  • 春山 修身, 朝日 信夫
    1989 年 58 巻 2 号 p. 281-287
    発行日: 1989/02/10
    公開日: 2009/02/09
    ジャーナル フリー
    The effects of metalloid elements (B and Si) on the crystallization in amorphous Ni77B23-xSix (x=3, 5, 6.5) and Ni77.5B14.6Si7.9 alloys were investigated by means of electrical resistance measurement, thermal analysis (DSC) and X-ray diffractometry. The crystallization always started with the formation of fcc-Ni (containing metalloid elements), which was followed by the precipitation of Ni3B. The crystallization temperature and the activation energy for the crystallization of Ni both increased with increasing Si content in alloys. The Avrami exponent found for the crystallization of Ni was 1.5 showing no compositional dependence. The increase in thermal stability by Si addition is discussed from the difference of bonding strength between Ni-B and Ni-Si atom pairs.
  • 上村 佐四郎, 清住 謙太郎, 中村 正
    1989 年 58 巻 2 号 p. 288-297
    発行日: 1989/02/10
    公開日: 2009/02/09
    ジャーナル フリー
    An active-matrix addressed vacuum fluorescent display (VFD) has been investigated to develop an on-chip image display and a multichip character display.
    It consists of low energy cathodoluminescent phosphor elements deposited on the respective MOS transistors and an area cathode. In the case of conventional VFD, the phosphor lighting is turned off by cutting-off the elect ron irradiation to the phosphor. But, for the active-matrix addressed VFD, the electron flow is controlled continuously by a transistor to produce a gray shade. Therefore, there are certain physical restrictions to be satisfied by the components for the device to perform.
    This paper considers the physical mechanism of operation and it clarifies the relations among the physical parameters of materials composing the device. Based on these relations, examples applied to the actual devices are presented.
  • 芹澤 和泉, 石橋 紀雄, 木下 昭一, 安達 伸雄, 高橋 恭介
    1989 年 58 巻 2 号 p. 298-306
    発行日: 1989/02/10
    公開日: 2009/02/09
    ジャーナル フリー
    Photo ashing process as a resist stripping method in microlithography cause less damage to devices than the conventional Oz plasma ashing. Resist stripping charactaristics and its mechanisms in the photo ashing were investigated with novolak base photoresist and some other resists. There are two types in photo ashing mechanism of polymer resist. The photo ashing of PMMA is the photomechanical stripping by deep ultraviolet radiation (direct photo ashing). The photo ashing of cyclised rubber base and novolak base photoresists are the reactive stripping by active oxygen produced by deep ultraviolet radiation (photo assisted ashing). In the case of the reactive stripping of the resists, it is required that the active oxygen effectively attack the resist surface, since the reaction of resist removing is limitted to the surface of the resist.
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