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応用物理
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53 巻 (1984)
12 号 p. 1019-
11 号 p. 915-
10 号 p. 825-
9 号 p. 751-
8 号 p. 663-
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31 巻 (1962)
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7 号 p. 433-
6 号 p. 359-
5 号 p. 287-
4 号 p. 211-
3 号 p. 139-
2 号 p. 73-
1 号 p. 1-
28 巻 (1959)
12 号 p. 677-
11 号 p. 615-
10 号 p. 553-
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8 号 p. 439-
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5 号 p. 253-
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3 号 p. 123-
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1 号 p. 1-
27 巻 (1958)
12 号 p. 709-
11 号 p. 643-
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4 号 p. 181-
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1 号 p. 1-
26 巻 (1957)
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24 巻 (1955)
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1 号 p. 3-
23 巻 (1954)
12 号 p. 543-
11 号 p. 493-
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9 号 p. 387-
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7 号 p. 293-
6 号 p. 243-
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4 号 p. 145-
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2 号 p. 51-
1 号 p. 3-
22 巻 (1953)
11-12 号 p. 369-
10 号 p. 327-
9 号 p. 287-
7-8 号 p. 251-
6 号 p. 211-
5 号 p. 169-
4 号 p. 131-
3 号 p. 89-
2 号 p. 45-
1 号 p. 3-
21 巻 (1952 - 1953)
12 号 p. 418-
10-11 号 p. 383-
9 号 p. 339-
8 号 p. 291-
7 号 p. 243-
6 号 p. 195-
5 号 p. 147-
4 号 p. 103-
2-3 号 p. 43-
1 号 p. 1-
20 巻 (1951 - 1952)
8-9 号 p. 263-
6-7 号 p. 207-
5 号 p. 163-
4 号 p. 123-
3 号 p. 83-
2 号 p. 41-
1 号 p. 1-
19 巻 (1950 - 1951)
9-12 号 p. 243-
7-8 号 p. 211-
6 号 p. 179-
5 号 p. 143-
4 号 p. 107-
3 号 p. 65-
2 号 p. 33-
1 号 p. 1-
18 巻 (1949 - 1950)
10-12 号 p. 293-
8-9 号 p. 229-
6-7 号 p. 163-
4-5 号 p. 97-
2-3 号 p. 49-
1 号 p. 1-
17 巻 (1948)
11-12 号 p. 337-
10 号 p. 289-
8-9 号 p. 241-
7 号 p. 193-
6 号 p. 145-
5 号 p. 97-
3-4 号 p. 49-
1-2 号 p. 209-
16 巻 (1947)
10 号 p. 161-
9 号 p. 129-
6-8 号 p. 97-
3-5 号 p. 65-
2 号 p. 33-
1 号 p. 1-
15 巻 (1946)
7 号 p. 1-
6 号 p. 1-
5 号 p. 1-
3-4 号 p. 2-
1-2 号 p. 2-
14 巻 (1945)
2 号 p. 2-
1 号 p. 3-
13 巻 (1944)
11 号 p. 332-
10 号 p. 307-
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7 号 p. 225-
6 号 p. 193-
5 号 p. 161-
4 号 p. 129-
3 号 p. 97-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
12 巻 (1943)
12 号 p. 553-
11 号 p. 503-
10 号 p. 453-
9 号 p. 403-
8 号 p. 353-
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1 号 p. 1-
11 巻 (1942)
12 号 p. 557-
11 号 p. 507-
10 号 p. 457-
9 号 p. 403-
8 号 p. 353-
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6 号 p. 255-
5 号 p. 205-
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3 号 p. 105-
2 号 p. 53-
1 号 p. 1-
10 巻 (1941)
12 号 p. 550-
11 号 p. 499-
10 号 p. 449-
9 号 p. 399-
8 号 p. 349-
7 号 p. 299-
6 号 p. 249-
5 号 p. 199-
4 号 p. 149-
3 号 p. 101-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
9 巻 (1940)
12 号 p. 549-
11 号 p. 502-
10 号 p. 451-
9 号 p. 401-
8 号 p. 351-
7 号 p. 301-
6 号 p. 251-
5 号 p. 201-
4 号 p. 151-
3 号 p. 101-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
8 巻 (1939)
12 号 p. 547-
11 号 p. 497-
10 号 p. 447-
9 号 p. 397-
8 号 p. 347-
7 号 p. 297-
6 号 p. 247-
5 号 p. 199-
4 号 p. 149-
3 号 p. 99-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
7 巻 (1938)
12 号 p. 549-
11 号 p. 499-
10 号 p. 451-
9 号 p. 402-
8 号 p. 351-
7 号 p. 301-
6 号 p. 251-
5 号 p. 201-
4 号 p. 151-
3 号 p. 101-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
6 巻 (1937)
12 号 p. 551-
11 号 p. 501-
10 号 p. 451-
9 号 p. 401-
8 号 p. 351-
7 号 p. 301-
6 号 p. 251-
5 号 p. 201-
4 号 p. 151-
3 号 p. 101-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
5 巻 (1936)
12 号 p. 559-
11 号 p. 509-
10 号 p. 459-
9 号 p. 409-
8 号 p. 359-
7 号 p. 309-
6 号 p. 259-
5 号 p. 209-
4 号 p. 157-
3 号 p. 105-
2 号 p. 54-
1 号 p. 1-
4 巻 (1935)
12 号 p. 487-
11 号 p. 437-
10 号 p. 387-
9 号 p. 333-
8 号 p. 293-
7 号 p. 251-
6 号 p. 211-
5 号 p. 169-
4 号 p. 129-
3 号 p. 77-
2 号 p. 39-
1 号 p. 1-
3 巻 (1934)
12 号 p. 445-
11 号 p. 403-
10 号 p. 365-
9 号 p. 323-
8 号 p. 283-
7 号 p. 243-
6 号 p. 201-
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1 号 p. 1-
2 巻 (1933)
12 号 p. 445-
11 号 p. 409-
10 号 p. 369-
9 号 p. 331-
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7 号 p. 249-
6 号 p. 211-
5 号 p. 169-
4 号 p. 125-
3 号 p. 87-
2 号 p. 48-
1 号 p. 1-
1 巻 (1932)
6 号 p. 221-
5 号 p. 178-
4 号 p. 131-
3 号 p. 1-
2 号 p. 1-
1 号 p. 1-
61 巻, 11 号
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古くて新しい教訓
菊池 誠
1992 年 61 巻 11 号 p. 1103
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1103
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Siヘテロ超構造技術とそのデバイス応用
宮尾 正信, 中川 清和
1992 年 61 巻 11 号 p. 1104-1115
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1104
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Siヘテロ超構造の形成に関し,Si-MBEとその関連技術について概観した.まず,ヘテロエピタキシーの基本現象をドーパント原子の表面偏析,ヘテロ界面の原子ミキシング・格子ひずみに着目し,物理的解釈を行うとともに課題を指摘した.次いで,ヘテロ超構造(Si/半導体/Si, Si/金属/Si, Si/絶緑膜,単原子層ドーピング)技術の現状とそのデバイス応用を述べ,将来を展望した.
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層間絶縁膜の平たん化技術
小谷 秀夫, 松浦 正純, 林出 吉生, 阿部 東彦
1992 年 61 巻 11 号 p. 1116-1123
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1116
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半導体デバイスの高密度・高集積化に伴い,その表面段差を平たん化する技術は重要かつ不可欠な課題となっている.本稿では,活発な研究開発が行われている層間絶縁膜の形成法および平たん化法を概観し,最近注目を集めている,テトラエチルオルソシリケートとオゾンを用いた常圧CVD法による,Si酸化膜形成技術について紹介する.
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(4375K)
Si自然酸化膜制御
広瀬 全孝
1992 年 61 巻 11 号 p. 1124-1131
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1124
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Siウエハーを希釈HFやバッファフッ酸で洗浄すると,その表面は水素結合で覆われる.表面の原子スケールの凹凸は,処理薬液の組成やpH値に敏感である.Siの大気中や純水中での自然酸化も,表面の原子スケールでのモフォロジー,結晶面方位,自由電子濃度に依存する.これらの実験事実に基づいて,Siの自然酸化のメ力ニズムについて議論している.
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(3490K)
タングステンの化学的気相成長法
伊藤 仁, 梶 成彦, 中田 錬平, 岡野 晴雄
1992 年 61 巻 11 号 p. 1132-1138
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1132
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高集積・超高速なULSI (Ultra-Large-Scaled Integrated Circuits) の製造では,配線に用いる金属薄膜の段差被覆性が重要な評価項目になり,段差被覆性に優れる化学的気相成長法で金属膜を形成する研究が盛んになってきた.金属膜をCVDで形成するときの特徴は,通常,基板全面に薄膜がたい積するのに対して,成長条件を適当に選ぶと,下地を選んで薄膜の選択的な成長が可能なことである.その代表的な材料であり,ULSIの細くて深い接続孔の平たん化技術に実用化されつつあるタングステンのCVDについて解説する.
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(5459K)
新照明系を用いた高解像光リソグラフィー
斜入射照明と瞳面フィルターを用いた投影露光法(SSBL法)
松尾 誠太郎, 原田 勝征
1992 年 61 巻 11 号 p. 1139-1142
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1139
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投影露光法による光リソグラフィーにおいて,照明系の工夫(斜入射照明)とコントラスト改善手法を組み合わせることにより,解像性が大きく向上する.この方法の原理と微細化の可能性について述べる.
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(2146K)
積み上げ拡散層型0.1 μm-MOSFET
木村 紳一郎, 武田 英次
1992 年 61 巻 11 号 p. 1143-1146
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1143
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ゲート長が0.1μmに迫る超微細MOSFETでは,パンチスルーの克服が最大の課題である.しかし,従来のMOSFET構造では,拡散層の浅接合化や,パンチスルーを効果的に抑制するための,基板濃度プロファイル設定が限界にきているため,これまでのように微細化を続けるのは困難な状況にある.本稿では,この微細化限界を突破できるデバイス候補の一つである,積み上げ拡散層型のMOS-FETに関して,光リソグラフィーを用いた試作結果をもとに,その可能性を展望する.
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(2197K)
半球状グレインポリシリコンの形成機構
辰巳 徹, 酒井 朗, 五十嵐 多恵子, 渡辺 啓仁
1992 年 61 巻 11 号 p. 1147-1151
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1147
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Si
2
H
6
を用いた選択核付けHSGの形成について述べた. HSGの粒径は形成温度とポストアニール時間によって決まり,核付け中は粒数は増えるがHSG成長はほとんど起こらない. Si
2
H
6
照射をやめたとき,すべての核が同時にHSG成長を始めるため,粒径はきわめてよくそろっている.核付け中,HSG成長を妨げているものは,a-Si上に吸着した水素であると考えられる.
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(4296K)
PZT系強誘電体薄膜の化学気相成長
岡田 勝, 富永 浩二
1992 年 61 巻 11 号 p. 1152-1155
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1152
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64Mビット以降の次世代 LSIに対して, PZT系強誘電体薄膜をDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)キャパシターや不揮発性メモリーに応用しようとする試みが注目されている.有機金属を原料に使う化学気相成長法(MOGVD法)は,大きい析出速度,組成制御性,段差被覆性など, ICプロセスに適した成膜法として期待される.ここでは, MOCVD法による PZT系強誘電体薄膜の研究の現状と, LSIへの応用の可能性について紹介する.
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(2161K)
Cu配線技術
化学気相成長および反応性イオンエッチング技術
有田 睦信, 粟屋 信義, 大野 一英, 佐藤 政明
1992 年 61 巻 11 号 p. 1156-1160
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1156
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将来のULSI微細配線には低抵抗でマイグレーション耐性の高い金属材料が必要である.Cu配線の特徴を損なうことなくCu多層配線を実現するために必要な, Cu選択およびブランケットの高速CVD技術,および高温での高速微細Cu RIE技術を中心に紹介する.さらにCu微細配線の抵抗,ビア抵抗および遅延時間を検討する.
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高温走査型トンネル顕微鏡 (HT-STM) によるSi表面の実時間観察
岩槻 正志, 北村 真一, 佐藤 智重
1992 年 61 巻 11 号 p. 1161-1164
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1161
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半導体材料などで,結晶の成長初期過程を調べることは,安定した特性の材料を得るために重要である.特に高温下での観察は,表面欠陥の生成メカニズムや異種原子の吸着過程の解明,さらには表面特性を研究するためにも関心がもたれている.ここでは,高温下で原子レベル観察が可能になったUHV-STM装置の概要説明を行い,その応用例としてSi (111) 面での1×1から7×7再配列構造への相転移の観察,高温での種々の表面挙動やSTM法を用いた超微細加工法,異種原子の吸着,成長過程について報告する.
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(2314K)
Si表面酸素の除去
津久井 克幸, 大泊 巌
1992 年 61 巻 11 号 p. 1165-1166
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1165
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(2027K)
表面有機物
高萩 隆行
1992 年 61 巻 11 号 p. 1167-1168
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1167
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(1933K)
Siウ工八一表面金属の洗浄液中での挙動
桜井 真理, 龍田 次郎, 新行内 隆之
1992 年 61 巻 11 号 p. 1169-1170
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1169
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(1064K)
Si基板表面のラフネス評価
丹羽 正昭
1992 年 61 巻 11 号 p. 1171-1172
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1171
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(2003K)
超LSIプロセスの安全
菅原 活郎
1992 年 61 巻 11 号 p. 1173-1175
発行日: 1992/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.61.1173
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