巻号一覧
61 巻, 4 号
選択された号の論文の28件中1～28を表示しています
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西澤 潤一1992 年 61 巻 4 号 p. 313
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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巨大パワーから単一光子まで松岡 正浩1992 年 61 巻 4 号 p. 314-317
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー80年代のレーザー技術と科学の発展を,軟X線レーザー,高次高調波発生,波長可変固体レーザー,フェムト秒レーザー,スクイーズド状態の発生,レーザー冷却などについてレビューし,その鍵となった諸点を明らかにする.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2749K) -
半導体レーサーの発展を中心にして池上 徹彦1992 年 61 巻 4 号 p. 318-321
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリーオプトエレクトロニクスの誕生は,誘導放出現象を介しての電子(正孔)と光子の結合によって生まれた半導体レーザーダイオードにまでさかのぼる.その後, 20年にわたる技術革新を支えた技術は,薄膜半導体成長技術(エピタキシャル成長技術)であり,最近では原子オーダーの厚さの制御も試みられている.この技術により,半導体中に人工結晶構造の導入が可能となり, 60年代に提案された量子効果素子も実現できるようになった.数多くの優れた研究者が集まっているオプトエレクトロニクスの分野では,数多くの小さなブレークスルーの積み重ねが技術革新を着案にすすめてきたといえよう.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (404K) -
青野 正和1992 年 61 巻 4 号 p. 322-325
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー表面計測技術における最近の発展とブレークスルーにっいて述べる.遠隔法から近接法への発想の転換,各種プローブビームを量的に改善したことによる質的変化,装置あるいは測定条件の幾何学的工夫,動的変化の追跡のための新手法の開発などによっていくつかのブレークスルーがもたらされた.最近可能になりつつある原子の操作についても述べる.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (3547K) -
早川 尚夫1992 年 61 巻 4 号 p. 326-329
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー超伝導エレクトロニクスは次世代のエレクトロエクスとして期待され,現在精力的な研究が行われている.この中で,ここ10年を見渡してみてNb系ジョセフソントンネル接合の開発は,超伝導デバイスを高性能にし,現実的にしたという点においてひとつの重要なブレークスルーであった.Nb系接合開発の経緯を中心に,超伝導エレクトロニクスの最近の発展を展望することにより,研究開発のあり方を探る.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2415K) -
福田 敦夫1992 年 61 巻 4 号 p. 330-333
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー第8回国際液晶会議(京都,1980年)の前後10年間における液晶ディスプレイ (LCD) 分野のブレークスルーを,主として表示原理に注目して,紹介する. LCDという発想そのものを可能にしたDS-LCD,セグメント電極による腕時計・電卓を現実のものとしたTN-LCD,ワープロ・ラップトップコンピューター用のSTN-LCD,フルカラー動画像(テレビ)対応のAM-TN-LCD,強誘電性液晶 (FLC) を用いて大型・高精細を可能にするSS-FLCD, FLCの弱点を克服する新材料として期待される反強誘電性液晶 (AFLC) を用いたAFLCDについて解説する.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2672K) -
武田 英次1992 年 61 巻 4 号 p. 334-337
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー産業のあらゆる分野に技術パラダイムシフトをもたらしているSi-ULSI革命は,1チップ上に1億個以上の素子が形成されるまでになっている.メモリー分野では64MDRAMの研究開発,研究レベルでは0.2μmルールを用いた256MDRAMの時代が始まっている.90年代後半には・ゲート長～0.1μmのMOSFETを用いたギガビットメモリー,ワンチップ化されたマルチプロセッサーが現れてくると思われる.一方,事業面では技術の高度化に伴い設備投資額の増大が生じ,1ビット当りの単位の高騰を招く恐れも出てきている.今後, Si-ULSlを取り巻く事業・技術環境は大きく転換することが予想される.これに伴い新たなブレークスルーが必要になっている.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (2568K) -
生駒 俊明1992 年 61 巻 4 号 p. 338-341
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
ジャーナル フリー化合物半導体の研究開発における主な出来事について,ここ10年間を振り返って述べている.結晶成長プロセス技術,デバイス応用,物性物理の新展開という3つの視点から,ブレークスルーと思われる進歩と展開に焦点を当てた.1980年代は,1960年末から1970年初めにかけて提案あるいは実証された着想や技術が,花開いた時代といえる.
また,ここ10年間の出来事の中で,将来ブレークスルーであったと認められるかもしれない技術革新についても述べた.抄録全体を表示PDF形式でダウンロード (458K) -
後藤 俊夫1992 年 61 巻 4 号 p. 342-343
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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土屋 裕1992 年 61 巻 4 号 p. 344-345
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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藤原 裕文1992 年 61 巻 4 号 p. 346-347
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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岡 芳樹1992 年 61 巻 4 号 p. 348-349
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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伊賀 健一1992 年 61 巻 4 号 p. 350-351
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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山本 喜久1992 年 61 巻 4 号 p. 352-353
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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小野 雅敏1992 年 61 巻 4 号 p. 354-355
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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堀池 靖浩1992 年 61 巻 4 号 p. 356-357
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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木村 錫一1992 年 61 巻 4 号 p. 358-359
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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斎藤 省吾, 筒井 哲夫1992 年 61 巻 4 号 p. 360-361
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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鈴木 博之1992 年 61 巻 4 号 p. 362-363
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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赤坂 洋一1992 年 61 巻 4 号 p. 364-365
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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滝川 忠宏1992 年 61 巻 4 号 p. 366-367
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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秋山 正博1992 年 61 巻 4 号 p. 368-369
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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安部 正幸1992 年 61 巻 4 号 p. 370-371
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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石橋 幸治1992 年 61 巻 4 号 p. 372-373
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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高須 新一郎1992 年 61 巻 4 号 p. 374-375
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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碓井 彰1992 年 61 巻 4 号 p. 376-377
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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岡本 博明1992 年 61 巻 4 号 p. 378-379
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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岩本 雅民1992 年 61 巻 4 号 p. 380-381
発行日: 1992/04/10
公開日: 2009/02/05
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