Ga
2Se
3の結晶成長を分子線エピタキシー法を用いて行った,その結果, GaP基板上へのGa
2Se
3のエピタキシャル成長に成功するとともに,成長条件によりGa空孔が規則配列することを見出した.さらに,透過スペクトルの偏光特性からGa空孔が規則配列したGa
2Se
3の光学的異方性について検討し,波長525nm付近の光に対する吸収係数差が, 10
4cm
-1以上と極めて大きいことを見出した.これらの結果より, Ga
2Se
3は半導体的性質を示すとともに,光学的異方性を示す材料として特異な存在であることが明らかとなった.
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