応用物理
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63 巻 , 7 号
選択された号の論文の11件中1~11を表示しています
  • 木村 茂行
    1994 年 63 巻 7 号 p. 659
    発行日: 1994/07/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
  • 西永 頌
    1994 年 63 巻 7 号 p. 660-673
    発行日: 1994/07/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    結晶成長の原子レベルでのプロセスを明らかにするため,最も理想的環境で成長が行われる分子線エピキタシー (MBE) を例にとり,最新の理解を述べた.まず,成長の律速過程を説明し, BOF理論とその結論を簡単に紹介した.次に, GaAsを例にとり, MBE成長の原子レベルさのプロセスにつき理解の現状を述べた.それによると,ステップが整列している微傾斜面での成長の振る舞いは, BOF理論によりほぼ理解できるが,同じ基板に複数の異なる面が現れている段差基板では単純な拡散律速の考え方は成立せず,ステップ端におけるGaとAsの流速比が重要であることが示された.最後に,今後に残された問題点を整理し,簡単な説明を加え解決への期待を述べた.
  • 野上 隆
    1994 年 63 巻 7 号 p. 674-681
    発行日: 1994/07/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    ここ2, 3年の闘に有機(分子性)強磁性体がせきを切ったように続々と発見されている. 30年余りの地道な有機磁性体の研究が,ここに来て,まさに華を開きつっある.本稿ではまず,有機強磁性体開発にとって基本的概念である (1) 軌道の重なりとスピン多重度との関係, (2) スピン分極,について説明する.次に,代表的有機強磁性体について,特に結晶構造との関連で,強磁性発現機構などについて説明する.
  • 纐纈 明伯, 高橋 直行, 関 壽
    1994 年 63 巻 7 号 p. 682-691
    発行日: 1994/07/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    原子層エピタキシー (Atomic Layer Epitaxy: ALE) とは,原料の供給回数により,成長膜厚を1分子層単位で制御する成長方法である. 1974年にこの原子層エピタキシーの概念が提案され, 20年になろうとしている.特に,この手法がIII-V族化合物半導体に応用された達985年から10年,原子レベルで制御できる究極のエピタキシャル成長法として,活発な研究がなされてきた.一方,成長機構については,種々の高感度なその場測定法の開発とともに,まだ完全ではないが,そのべ一ルがはがされようとしている.また,本方法は単に超薄膜結晶を成長でぎるという方法の一つを越え,結晶成畏機構そのものの解明の有力な手段となりっpある.ここでは, III-V族化合物半導体に焦点をあて,原子層エピタキシーについて概説する.
  • 彦坂 正道
    1994 年 63 巻 7 号 p. 692-699
    発行日: 1994/07/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    ひどくこんがらがった毛糸や釣り糸をほどくのは,ほとんど絶望的だというのに,長いひも状の分子である高分子は,複雑にからみ合った液体から,整然とした単結晶や,巧妙な高次構造を自己形成し,その柔らかく,ダイナミックな振る舞いによって,高度な物性,機能を発現しています.ひも状分子の,このような巧妙な秩序構造形成のメカニズムは,長年の間なぞでした.筆者はこのなぞが,ひも状分子のトポロジー的本性を反映した“分子鎖の滑り拡散”という概念を使うことによって解明できることを,明らかにしました.この解説では,最も典型的な構造形成機構である結晶化や,新たに見いだした,“液晶化”などを例にとり,このなぞ解きを試みます.
  • 橋本 哲
    1994 年 63 巻 7 号 p. 700-703
    発行日: 1994/07/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    蒸着法によらずに,融液から直接的に薄膜結晶を作製する方法を紹介する.これは2枚の石英板で作った容器(セル)の狭いすき間に,毛細管現象,液面への加圧,気相輸送などを組み合わせて融液を導入し,固化するという方法である.約0.1μmの膜厚のCuCl, GeSe2, CuGaxIn1-xSe2 (x=0.25), RbxCs1-x (x=0.5) 薄膜の光学特性を示し,この方法の将来性を検討する.
  • 山田 正理, 井手 雄一
    1994 年 63 巻 7 号 p. 704-708
    発行日: 1994/07/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    低温かつ低損傷の表面清浄化技術として,原子状水素 (H・) によるGaAs表面酸化物の除去が注目されている.本報告ではその反応機構を,昇温脱離, X線光電子分光法,低速電子線回折,脱離種の実時間観測により調べた結果を紹介する. H・には,高温まで安定で除去しにくいGa2O3型酸化物を,低温で脱離するGa2O型酸化物に改質する作用のあること, As酸化物とGa酸化物の共存する自然酸化膜の場合には,まず, As酸化物がH・により還元されて, As分子として脱離除去され,次いでGa酸化物がGa2O型酸化物へと還元され,脱離することがわかった.このGa2O型酸化物の挙動が,酸化膜除去反応の全体像を理解するカギであることを示す.
  • 横山 浩, 井上 貴仁, 伊藤 順司
    1994 年 63 巻 7 号 p. 709-712
    発行日: 1994/07/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    走査型マクスウェル応力顕微鏡 (SMM) は,探針と試料との閾の電気的なマクスウエル応力を検出する非接触型SFM (Scanning Force Microscope) の一つである.探針に,複数の周波数成分からなる交流電圧を印加することにより,試料の表面形状,表面電位・電荷,誘電率とその高周波分散などの複数の電気物性情報を,対応する異なる周波数における探針の振動から検出することができる, SMMの分解能は,クーロンカの長距離性に強く影響されて現状では数十nm程度にとどまっているが,電気力そのものに代わって,電気力こう配を検出することで,原理的な分解能向上が見込まれる.ここでは,そのための新しい手法である機械電気混変調法を紹介する.
  • 塚本 勝男
    1994 年 63 巻 7 号 p. 713-716
    発行日: 1994/07/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    溶液から成長する結晶表面を,光学的手法で,詳細に動的観察を行おうとすると,いくつかの困難を克服しなくてはならない。最近のAFMの発達とともに光学的手法の見直しが行われており,その結果,これまでの干渉法や位相差顕微鏡法に取って代わるリアルタイム位相シフト干渉法が発達してきた.この方法は,これまでの干渉じまの変位量の測定に代わって,複数の干渉強度分布から直接位相分布を得ようとする方法であり,これまでの干渉法の屡100倍程度の感度がありながら,顕微鏡的な画像も同時に得られる新しいものである.高感度であるために,成長/溶解速度がこく遅い難溶性結晶にも適用が可能となり,方解石のステップの観察とステップ速度の測定にも成功した.
  • 表 和彦, 早稲田 嘉夫
    1994 年 63 巻 7 号 p. 717-720
    発行日: 1994/07/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    高温融液の構造解析を行うため,液体表面を水平に保持したまま測定できるEXAFS装置を開発した.また,それにより,有用な結晶材料であるBi2O3-GeO2 (BGO) 系の融液構造を測定した.その結果,高温融液中でも,ゲルマニウムは酸素と強く結合しGeO4四面体を保持しているのに対し,ビスマスの酸素との結びつきは弱く,周囲にはっきりした構造が形成されていないことが明らかになった.これらの点から, BGO系の融液はGeO4四面体とBiおよび酸素原子が乱雑に入り交じった構造をしていると推定される.この融液構造に基づき,粘性,光透過率などの測定結果を,定性的に説明することができる.
  • 伊藤 寛, 伊藤 稔
    1994 年 63 巻 7 号 p. 721-724
    発行日: 1994/07/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    アンジュレーター光によりフッ化バリウム結晶を強く励起したとき,オージェ・フリー発光が誘導放出する可能性が実験的に示された.この発光は185nmから240nmに広く分布し,紫外波長可変固体レーザーへの応用が考えられる.またこの光増幅過程は,従来のように電子遷移に着目するよりも,正孔(ホール)遷移に伴う分布反転の形成という観点からよく理解される.
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