数百から数千個のガス原子や分子の集合であるクラスターを用いる新しいイオンビーム技術を開発した.本報告では,クラスターサイズ選別機構を持つ実用装置の開発,クラスターイオンの固体への照射によって引き起こされるユニークな相互作用,従来の単原子分子イオンビーム照射では得られない固体表面プロセスの代表的な例を示した.種々の実験結果と,分子動力学法を用いた解析をもとに,クラスターイオン特有の超高密度照射に基づく非線形相互作用を明らかにした.応用として,半導体への浅いイオン注入効果を, 0.1μm対応の超LSIのMOSトランジスターの製作,ラテラルスパッタ効果による高効率スパッタと超平坦面形成効果を,金属,半導体材料さらにダイヤモンドなどの難加工材料の微細加工で示した.その他,薄膜形成や表面改質,表面クリーニング効果など,ガスクラスターイオンがもつ,極めて小亡い比電荷の特長をいかした応用例を示した.
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