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応用物理
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8 号 p. 663-
7 号 p. 557-
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2 号 p. 49-
1 号 p. 3-
23 巻 (1954)
12 号 p. 543-
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9 号 p. 387-
8 号 p. 337-
7 号 p. 293-
6 号 p. 243-
5 号 p. 193-
4 号 p. 145-
3 号 p. 97-
2 号 p. 51-
1 号 p. 3-
22 巻 (1953)
11-12 号 p. 369-
10 号 p. 327-
9 号 p. 287-
7-8 号 p. 251-
6 号 p. 211-
5 号 p. 169-
4 号 p. 131-
3 号 p. 89-
2 号 p. 45-
1 号 p. 3-
21 巻 (1952 - 1953)
12 号 p. 418-
10-11 号 p. 383-
9 号 p. 339-
8 号 p. 291-
7 号 p. 243-
6 号 p. 195-
5 号 p. 147-
4 号 p. 103-
2-3 号 p. 43-
1 号 p. 1-
20 巻 (1951 - 1952)
8-9 号 p. 263-
6-7 号 p. 207-
5 号 p. 163-
4 号 p. 123-
3 号 p. 83-
2 号 p. 41-
1 号 p. 1-
19 巻 (1950 - 1951)
9-12 号 p. 243-
7-8 号 p. 211-
6 号 p. 179-
5 号 p. 143-
4 号 p. 107-
3 号 p. 65-
2 号 p. 33-
1 号 p. 1-
18 巻 (1949 - 1950)
10-12 号 p. 293-
8-9 号 p. 229-
6-7 号 p. 163-
4-5 号 p. 97-
2-3 号 p. 49-
1 号 p. 1-
17 巻 (1948)
11-12 号 p. 337-
10 号 p. 289-
8-9 号 p. 241-
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6 号 p. 145-
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3-4 号 p. 49-
1-2 号 p. 209-
16 巻 (1947)
10 号 p. 161-
9 号 p. 129-
6-8 号 p. 97-
3-5 号 p. 65-
2 号 p. 33-
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15 巻 (1946)
7 号 p. 1-
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5 号 p. 1-
3-4 号 p. 2-
1-2 号 p. 2-
14 巻 (1945)
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1 号 p. 3-
13 巻 (1944)
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10 号 p. 307-
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2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
12 巻 (1943)
12 号 p. 553-
11 号 p. 503-
10 号 p. 453-
9 号 p. 403-
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12 号 p. 557-
11 号 p. 507-
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9 号 p. 403-
8 号 p. 353-
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10 巻 (1941)
12 号 p. 550-
11 号 p. 499-
10 号 p. 449-
9 号 p. 399-
8 号 p. 349-
7 号 p. 299-
6 号 p. 249-
5 号 p. 199-
4 号 p. 149-
3 号 p. 101-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
9 巻 (1940)
12 号 p. 549-
11 号 p. 502-
10 号 p. 451-
9 号 p. 401-
8 号 p. 351-
7 号 p. 301-
6 号 p. 251-
5 号 p. 201-
4 号 p. 151-
3 号 p. 101-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
8 巻 (1939)
12 号 p. 547-
11 号 p. 497-
10 号 p. 447-
9 号 p. 397-
8 号 p. 347-
7 号 p. 297-
6 号 p. 247-
5 号 p. 199-
4 号 p. 149-
3 号 p. 99-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
7 巻 (1938)
12 号 p. 549-
11 号 p. 499-
10 号 p. 451-
9 号 p. 402-
8 号 p. 351-
7 号 p. 301-
6 号 p. 251-
5 号 p. 201-
4 号 p. 151-
3 号 p. 101-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
6 巻 (1937)
12 号 p. 551-
11 号 p. 501-
10 号 p. 451-
9 号 p. 401-
8 号 p. 351-
7 号 p. 301-
6 号 p. 251-
5 号 p. 201-
4 号 p. 151-
3 号 p. 101-
2 号 p. 51-
1 号 p. 1-
5 巻 (1936)
12 号 p. 559-
11 号 p. 509-
10 号 p. 459-
9 号 p. 409-
8 号 p. 359-
7 号 p. 309-
6 号 p. 259-
5 号 p. 209-
4 号 p. 157-
3 号 p. 105-
2 号 p. 54-
1 号 p. 1-
4 巻 (1935)
12 号 p. 487-
11 号 p. 437-
10 号 p. 387-
9 号 p. 333-
8 号 p. 293-
7 号 p. 251-
6 号 p. 211-
5 号 p. 169-
4 号 p. 129-
3 号 p. 77-
2 号 p. 39-
1 号 p. 1-
3 巻 (1934)
12 号 p. 445-
11 号 p. 403-
10 号 p. 365-
9 号 p. 323-
8 号 p. 283-
7 号 p. 243-
6 号 p. 201-
5 号 p. 161-
4 号 p. 121-
3 号 p. 81-
2 号 p. 41-
1 号 p. 1-
2 巻 (1933)
12 号 p. 445-
11 号 p. 409-
10 号 p. 369-
9 号 p. 331-
8 号 p. 293-
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6 号 p. 211-
5 号 p. 169-
4 号 p. 125-
3 号 p. 87-
2 号 p. 48-
1 号 p. 1-
1 巻 (1932)
6 号 p. 221-
5 号 p. 178-
4 号 p. 131-
3 号 p. 1-
2 号 p. 1-
1 号 p. 1-
71 巻, 11 号
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光エレクトロニクスへの期待
末松 安晴
2002 年 71 巻 11 号 p. 1321
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
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自然科学者や技術者として最も大切なこと
沢 邦彦
2002 年 71 巻 11 号 p. 1324-1327
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1324
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短波長可視・紫外発光デバイス開発と半導体ヘテロエピタキシー
天野 浩
2002 年 71 巻 11 号 p. 1329-1334
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1329
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窒化物を用いた発光ダイオードおよびレーザーダィォードにおいて,事実上の標準となったこれまでの重要な技術を総括し,あわせてこれからの窒化物開発を展望する.
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(5165K)
3波長帯を用いた10Tbit/s超高密度波長多重光伝送
福知 清, 笠松 直史, 伊東 俊治
2002 年 71 巻 11 号 p. 1335-1341
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1335
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10Tbit/s-WDMの実現に向けて開発した技術を紹介する.10Tbit/s伝送に必要な100nm以上の光帯域を確保するために,S帯を増幅する利得シフトツリウム添加フアイバー増幅器を開発した.10Tbit/s伝送に最適化した設計によって,広帯域,低雑音,かつ低偏波モード分散特性の増幅器を得た.また,光ファイバー中の直交偏光軸に信号を多重する,偏光多重分離方式を開発し,40Gbit/s信号を50GHz間隔で多重分離することを可能とした.さらに,3波長帯伝送で問題となる,ラマン散乱起因のS帯信号の減衰を,分布ラマン増幅と八イブリッドファイバー伝送路にて抑えた.これらの技術を総合し,世界で初めて1ファイバーにて10Tblt/sを超える容量のWDM伝送に成功した.
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(1211K)
面発光レーザーの研究開発と進展
小山 二三夫, 伊賀 健一
2002 年 71 巻 11 号 p. 1342-1346
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1342
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面発光レーザーは,日本で生まれた独創的な技術として,その誕生後四半世紀が経過し,今では短距離系光ネットワークの中核的な光源として大きく成長を果たした。また,最近では,都市内ネットワーク,アクセス系光ネツトワーク用光源として,その波長域の拡大や,波長掃引素子の開発など,新たな展開を迎えている.ここでは,面発光レーザーの研究経緯を振り返りながら,低しきい値化,モード制御,アレイ化技術,長波長帯素子の開拓,波長可変技術,光ストレージへの展開など,最近の進展について述べる.
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(5063K)
MRAMの最新動向と展望
猪俣 浩一郎, 手束 展規
2002 年 71 巻 11 号 p. 1347-1351
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1347
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次世代不揮発性メモリーとして期待されている磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)について,動作原理,特徴,開発の現状と課題を紹介するとともに,スケーリングの観点から将来を展望した.MRAMは一つのMGSトランジスタと一つの強磁性トンネル接合素子を1bitとし,それをビット線とワード線の交点にマトリックス状に配置した構造をしている.MRAMは高速書き換え,無限の書き換え耐性,低電圧駆動および大容量性を特徴としており,すでに1MbitのMRAMが試作されている.さらにギガビット級の大容塁化を奨現するためには,書ぎ込み電力の低減と愕磐電圧の増大が主な技衛課題である.このための研究動向について紹介した.
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(2992K)
超高速半導体集積回路設計と光電子融合技術
尾辻 泰一
2002 年 71 巻 11 号 p. 1352-1356
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1352
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超高速トランジスタの素子単体の動作速度は,微細化技術の進展とともに本質的な限界に接近しつつある.加えて,動作周波数の向上とともに,信号波長が回路の物理的寸法に接近することに起因したさまざまな寄生効果により,半導体集積回路(IC)としての動作速度の向上も困難になりつつある.かかる超高速領域における,デバイス技術,IC設計技術の現状と将来動向を概観するとともに,速度限界・帯域限界の克服を目的とした光電子融合技術に関する最近の試みについて紹介する.
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(1961K)
フォトニック結晶による光子制御
野田 進, 浅野 卓, 山本 宗継
2002 年 71 巻 11 号 p. 1357-1361
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1357
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フォトニック結晶により,自在な光子制御が可能となるものと期待されている.本稿では,二次元フォトニツク結晶スラブおよび完全三次元フォトニック結晶を用いた光子制御の例を紹介したい.具体的には,二次元フォトニツク結晶スラブでは直線欠陥導波路および点欠陥を利用した光子制御およびその波長合分波機能デバイスへの応用について述べる.一方,完全三次元フオトニック結晶に関しては光チップ実現の基本となる90°。曲げ導波路に関して述べる.
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(3551K)
波長可変レーザーの開発動向とそのシステム応用への期待
吉國 裕三
2002 年 71 巻 11 号 p. 1362-1366
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1362
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インターネットの急成長に伴うネットワークトラフィック急増に伴って,波長分割多重(WDM)光通信で用いられるチャネル(波長)数は急増している.従来,WDM通信では各チヤネルの波長に対応した,固定波長の半導体レーザーを光源として用いてきたが,チャネル数の急増によってこのような方法は困難になりつつある.波長可変レーザーは,1種類の光源で多数のチャネルに対応した波長の光を発生できるため,WDM通信システムを簡略化できる可能性を有しており,注目されている.本稿では,次世代の光通信用光源として期待される波長可変半導体レーザーの最近の開発状況について概観し,通信システムへの応用の可能性について考察する.
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(4895K)
量子コンピューター研究の近況レポート
竹内 繁樹
2002 年 71 巻 11 号 p. 1367-1371
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1367
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NMR(核磁気共鳴)による因数分解アルゴリズムの案現に象微されるように,その種類,方法を問わず,量子計算観究の最近の展開は著しい.光子を用いる方法においても,昨年Kn溺らによって,線形光学素子を用いた,規模拡大の困難を解決した新しい方法が提案された.本稿では量子計算研究の最前線を概観した後,特に光子を用いた量子計算にっいて,Knlilらの提案ならびに,われわれの提案する,よりシンプルな光子に対する量子位相ゲートなどについて解説する.
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(1729K)
分布帰還型アレイ波長選択光源
小滝 裕二
2002 年 71 巻 11 号 p. 1372-1375
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1372
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波長多重通信システムに適した光源として,波長1.55μm帯分布帰還型レーザ-アレイを開発した.それぞれ異なった周期の回折格子を有する8個のλ/4シフト分布帰還型レーザーをアレイ化し,駆動する素子の切り替えにより波長を選択できる.温度可変と組み合わせることにより波長可変レーザーとして機能する.光出射側には光導波路を介して光合流器,およびその損失を補償する光増幅器をモノリシックに集積し,巣体レーザーと同等の光出力が得られた.
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(802K)
超高感度HARP撮像管
谷岡 健吉, 平井 忠明
2002 年 71 巻 11 号 p. 1376-1380
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1376
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HARPと呼ばれる新たな動作方式の超高感度撮像管を開発した.この撮像管は,強電界動作のアモルファスセレン光導電膜で生じるアバランシエ増倍現象を利用したもので,感度が高いのみならず,高解像度,低残像など,画質にも優れるという特長を有している.HARP撮像管を使用したカメラは,CCDカメラの約100倍もの高い感度が得られることから,夜間の緊急報道やオーロラ,夜行性動物の撮影などに活用されている.
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白色発光素子を用いた外科手術用照明ゴーグルの開発
川上 養一, 島田 順一, 藤田 茂夫
2002 年 71 巻 11 号 p. 1381-1385
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1381
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固体発光素子である白色発光ダィォード(LED)による照明革命が始まろうとしている.われわれは照明装置の新しい応尾として,InGaN系毒色LEDとYAG:Ce
3+
(Ge
3+
添加イットリウムアルミニウムガーネット)蛍光体からなる白色LEDをプラスチックゴーグルに取り付けたタイプの外科手衛用照明装置を考案・試作し,実際の外科手術に初めて用いた.このことにより,軽く,携帯性,高演色性を満たし2万lxの照度を実現する照明装置として白色LEDの可能性が示された.ここでは,試作した装置の詳細と外科手術を通じて明らかとなった技術課題,そしてそれを解決するための方策について報告する.
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シンクロトロン放射光によるX線回折画像計測技術の進歩
近浦 吉則, 飯田 敏, 川戸 清爾, 尾崎 徹, 鈴木 芳文
2002 年 71 巻 11 号 p. 1386-1390
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1386
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X線による物質可視化技衛の進歩の中で,放射光の利用によって,X線画像の画素情報;を与えるX線と物質との相互作用として回折,屈折,異常透過,位相,偏光など広範な現象を扱えるようになった.このような物質の不珂視1青報の町視化という概念の中で「放射光回折トポグラフィー」をとらえて,その意義を深めた.本稿では放射光トポグラフィーに関して,この数年,(財)高輝度光科学研究センター(SPring-8)でなされた新しい研究を取り上げた.
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(4038K)
半導体電子源のバンドエンジニアリング
三村 秀典, 横尾 邦義
2002 年 71 巻 11 号 p. 1391-1395
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
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https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1391
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半導体デバイスはエネルギーバンド構造に基づく多機能性に優れており,一方,翼窒デバイスは高効率,高電力性,高速性,酎環境性などに優れている.したがって,半導体と真空デバイスとの機能を融禽することにより,高機能デバイスの開発に新たな展開が期待できる.本稿では,MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トンネル陰極,接合トランジスタ構造を内蔵したSi電界放射陰極,GaAs/AIAs共鳴トンネル陰極,マイクロ波帯の集群電子ビーム発生のためのガン効果を用いたGaAs陰極などの半導体のバンドエンジニアリングに墓つく微小電子源の電子放射特性と,これら半導体電子源のデバイス応用への展望について述べる.
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(3066K)
半導体レーザーのシミュレーション
横山 清行
2002 年 71 巻 11 号 p. 1397-1402
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1397
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高機能半導体レーザーの設計に必須なシミュレーション技術の考え方を,電子デバイスとの相違について述べることで概説する.半導体光デバイス特有のひずみ量子井戸構造を含む基板設計の重要性について記してある.レーザー共振器断面でのシミュレーションについては,電子デバイスのキャリア輸送に加えて屈折率や利得で光が閉じ込められるモデルを解説する.寸法がけた違いに大きな共振器方向については,主として光学特性に注目したシミュレーションを解説する.さらに高度化するシミュレーション技術の例として,最適化手法について言及する.
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超伝導の基礎理論
永長 直人
2002 年 71 巻 11 号 p. 1403-1406
発行日: 2002/11/10
公開日: 2009/02/05
DOI
https://doi.org/10.11470/oubutsu1932.71.1403
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基礎物理学的にも工学的応用でも重要なテーマである超伝導の墓礎理論を解説する.超伝導体の示す不思議な性質,固体中の多電子の量子力学を記述する第2量子化法,そしてBCS理論を初学者にも理解でぎるように直観的な説明を交えながら説明する.
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