応用物理
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71 巻 , 9 号
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  • 森野 明彦
    2002 年 71 巻 9 号 p. 1085
    発行日: 2002/09/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
  • 廣瀬 全孝
    2002 年 71 巻 9 号 p. 1091-1101
    発行日: 2002/09/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    システム・オン・チップ (SOC) の概念は, LSI技術の発展過程で生まれ,今も進化を続けている.人々の行動する生活空間全体に高度な分散情報処理機能をもたせ,個人の活動を常にサポートするユビキタス.コンピューティングの時代を支える中核技術としてSOCを位置づけることができる.社会活動を大きく変革し,新市場を創出し,ディファクトをとる戦略から, SOC技術の仕様を明確に定義することが必要である. SOC開発のために挑戦すべき半導体技術の壁とこれを突破するための研究開発の状況をレビューし,今後の進むべき方向を考えるのが本稿の目的である.
  • 米原 隆夫, 近江 和明, 中山 潤, 坂口 清文, 佐藤 信彦, 山方 憲二, 柳田 一隆, 柿崎 恵男
    2002 年 71 巻 9 号 p. 1102-1112
    発行日: 2002/09/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    21世紀を迎え,シリコンデバイスはいよいよ0.1μmの世代へ突入する.より高性能なデバイスを実現するための一つの有効な技術にSOl (Silicon-On-lnsulator) 技術がある. SOIデバイスは高速化や低消費電力化の特徴をもち,従来のパルク・シリコンウエ八一をしのぐ期待が高まってきている. 1990年より独自に高品質SOIウエ八一を開発し,ELTRANと名づけて実用化をめざしてきた.本報告ではELTRANの紹介だけではなく, SOlウエ八一作製技術の現状と課題を整理し, 0.1μm時代に必要な大面積,超極薄SOlウエ八-技術について総合的な報告を行う.
  • 安浦 寛人
    2002 年 71 巻 9 号 p. 1113-1119
    発行日: 2002/09/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    SOC時代の設計技術は,複雑化/高機能化への対応,設計期間の短縮への対応,微細化/高速化への対応が求められている.設計対象が従来の部品設計から製品としてのシステム設計に変化し,設計手法の本質的な転換が求められている.従来とは異なる新しい設計パラメーターや評価関数を設定し,設計手法とツールを刷新することが設計技術における競争力向上につながる.例として,電源電圧やデータパスのビット幅などをシステム設計者が制御できるパラメーターとして開放する手法を紹介する.
  • 彦坂 幸信, 恵下 隆
    2002 年 71 巻 9 号 p. 1120-1125
    発行日: 2002/09/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    富士通は, 1999年に世界に先駆けて0.5μmFFIAM;を出荷し,さらに2001年より0.35μm FRAMの量産も開始した.FRAMの製造では,従来のOMOS論理LSIプロセスとFRAM独自の強誘電体キャパシターの形威プロセスの融舎(混載化)が大きな課題であった.本稿では,FRAMの応屠分野について外観した後に,スパッタ法による強誘電体(ジルコン酸チタン酸鉛: PbZrTiO3) の成膜技術,強誘電体キャパシタ-を形成する貴金属電極と強誘電体薄膜の加工技術,配線と層間膜形成条件時における強誘電体膜の劣化抑制技術など, FRAMとGMO$論理L$1の混載化技術について述べる.また最後に,将来のFRAMの技術展開について述べる.
  • 北畑 裕之, 吉川 研一
    2002 年 71 巻 9 号 p. 1126-1132
    発行日: 2002/09/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    生命のなぞに迫るためには,エネルギーや物質が流入・流出する散逸系であることを踏まえなければならない.これまで,散逸系の代表例として反応拡散系が取り上げられ,同心円やスパイラルなどの動的パターンの発生やチューリング (Turing) 不安定性など,実験,理論の両面から盛んに研究が行われてきた.ここでは,反応拡散系での基本的な仮定である「反応場が実空間上で静止している」という制約を取り除き,反応拡散対流系という枠組みを考える.これによって,本来,スカラー量の化学エネルギーからベクトル的な運動を直接取り出すことが可能となることを示す.
  • 小野 篤樹
    2002 年 71 巻 9 号 p. 1133-1137
    発行日: 2002/09/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    90nmテクノロジ-ノードのGMOS技術を開発した.この世代のトランジスタの特徴はゲート長が65nmであり,ゲート絶縁膜は酸窒化膜から成る換算膜厚がL6nmとなる.ここでは, 130nmからの性能向上のためのスケーリングシナリオを議論し,それを実現するSOG対応のプロセス技術;を論じた.特にカギとなるのは,薄いゲート・絶縁膜で低リーク電流となるプラズマ酸窒化によるゲート・絶縁摸と,多結晶SiGeを用いたゲ-卜電極によるゲート・形成技術と考える.また,低エネルギーイオン注入法とスパイクRTA, さらに,オフセットスペーサ-を用いた接合形成技術,銅配線/低誘電率膜による配線構進を紹介する.
  • 神垣 良昭, 南 眞一
    2002 年 71 巻 9 号 p. 1138-1142
    発行日: 2002/09/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    最近,急激な市場の立ち上げを見せているICカードは,CPU,RAM,ROMのほかに,電気的にデータの書き換えが可能な不揮発性メモリーEEPROMを搭載している.MONOS型のEEPROMメモリーセルは高信頼性,高生産性に加えて,標準の半導体製造プロセスとの整合性がよい. ロジツク混載半導体チップへの適用が比較的容易なことから,MONOS型はシステム・オン・チップ(SOC)における有望な不揮発性メモリーといえる.シリコン窒化膜内の捕獲中心に電荷を蓄える構造のMONOS型は,従来,トンネル方式プログラムを採用しているが,局所的なメモリー現象を利用するホットキャリア方式が現れ,高集積・高速を実現している.MONOS型不揮発性メモリーの開発経緯,応用,今後の展開を述べる.
  • 庭野 道夫, 篠原 正典, 木村 康男
    2002 年 71 巻 9 号 p. 1143-1147
    発行日: 2002/09/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    われわれは,赤外分光法を用いてシリコン結晶ウエ八ーの表面や界面の反応過程を調べている.分析の表面感度を上げるために用いている手段が,多重内部反射(MIR)法である.この方法では,光ファイバーの中を赤外線が伝搬する場合と同じ原理で,シリコン結晶ウエハー中を赤外線が多数回内部反射しながら通過する.内部反射回数を数十回,数百回と大きくできるため,ウエハー表面の化学状態や反応過程の超高感度分光解析が可能となる.また,表面を裏から観察するこの手法は,液体中も含め,さまざまな外部環境下のシリコン表面の反応解析を可能にする。本稿では,MR法を用いて行った,シリコン結晶の電気化学エッチング過程とシリコン結晶成長反癒素過程の観察結果を紹介し,この手法が半導体表面・界面反応の“その場”観察に威力を発揮することを示す.
  • 百生 敦, 武田 徹, 板井 悠二
    2002 年 71 巻 9 号 p. 1148-1151
    発行日: 2002/09/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    X線透視法において,X線の位相情報でコントラストを生成すれば,吸収では:コントラストがつきづらい構造であってもそれを描出することができる.この位相コントラスト法が近年,注目を集めているが,中でもX線干渉計を用いる方法が特に感度に優れ,生体軟部組織の無造影観察が可能である.血管の観察においても,従来法では重元素を含む造影剤の注入が必要不可欠であるのに対して,血液自体による位相シフトが血管像を生成する.ここでは,シンクロトロン放射光;を用いてこのことを実証した動物粟験;を紹介する.
  • 須田 精二郎
    2002 年 71 巻 9 号 p. 1152-1156
    発行日: 2002/09/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    水素化ホウ素錯イオン化含物のアルカリ水溶液(ポロ八イドライド)を直接水素供給源とする小型燃料電池(ポロ八イドライド燃料電池:BFC)にっいて解説する.常温・常圧下で高い性能を発揮できる理由を,BH4-のような水素化錯イオン体中にプロタイド(H-)として存在するマイナスイオン状水素の電気化学的特性によって説明する.また,この特徴が,一次電池と二次電池の中間に位置するような燃料補給型の小型電池の構成を可能にすることを実験的な事例によって紹介する.
  • 芳賀 恒之
    2002 年 71 巻 9 号 p. 1157-1159
    発行日: 2002/09/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
  • 松沢 一也
    2002 年 71 巻 9 号 p. 1161-1164
    発行日: 2002/09/10
    公開日: 2009/02/05
    ジャーナル フリー
    シリ調ンデバイスにおけるデバイス・シミュレーション技術に関して概説する.まず,デバイス・シミュレーションで用いられているモデルと方程式系に関して説明する.次に,微細デバイスで必要となるシミュレーション技術と未踏デバイスに向けたシミュレーシ繋ンの試みを紹介する.
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