現像かぶりは現像液からハロゲン化銀粒子への電子注入によるかぶり中心 (銀クラスター) の形成に依るが, 粒子内部の強力な電子トラツブが現像かぶりの発生速度に影響を与えなかったことから, 現像液からの電子は臭化銀粒子の伝導帯へは注入されなかったことが分かった.また, 化学増感中心が一時的な電子トラップであることを考慮すると, 現像液からの電子は化学増感中心へも注入されなかったと考えられる.しかしながら, 化学増感中心は頻度項および活性化エネルギーの増加を伴いながら現像かぶりの発生速度を増加させた.
この結果は, 現像かぶり発生の最初の段階が, 現像液から表面の銀イオン対への電子注入による直接のAg
2形成であることを示唆している.銀イオン対は電子受容準位が高いほど密度が大きいが, 生成したAg
2は不安定であり, 化学増感中心はそのような不安定なAg
2を安定化することで, Ag
2の凝集による現像かぶり中心の発生を促進するものと考えられる.
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