我々の研究室では、Agを担持した酸化ガリウムが、水を電子源としたCO
2の光還元に高い活性を示し、表面をZnGa
2O
4修飾することで水素の生成が抑制され、CO生成への選択性が著しく向上することを報告している。そこで本研究では、ZnGa
2O
4修飾による光触媒表面の吸着種の変化についてin-situ FT-IRにより検討した。触媒にCO
2を導入し、光照射した際の吸着種の変化を観察したところ、ZnGa
2O
4修飾によりGa
3+上の吸着種が変化し、中間体であるformate種の生成挙動が異なることを見出した。
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