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熊谷 将也, 清原 修二, 田口 佳男, 杉山 嘉也, 小俣 有紀子, 倉島 優一, 滝川 浩史, 柏木 大幸
セッションID: 5P-056S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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ネガ型の特性を持つポリシロキサンをレジスト材料として提案し,直径500nm,高さ600 nmのドットアレイを持つダイヤモンドモールドを作製した。さらに,本研究で開発した室温で高粘性,空気中の水分と反応して徐々に硬化するポリシロキサンを転写材料とした室温硬化インプリントにより,高精度なナノドットマスクパターンを形成し,その試料をECR酸素イオンビーム加工後,ダイヤモンドナノドットアレイを作製した。
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小畑 恵子, 大西 洋, 木村 憲明, 木村 建次郎
セッションID: 5P-057S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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HDDの磁区構造観察には、磁気力顕微鏡が広く用いられている。HDDの磁性体薄膜上部には保護膜が存在し、探針が磁区に接近できないため、磁区からの磁場が拡がり見かけ上の空間分解能が低下する。今回我々は、2次元磁場分布を境界条件として電磁場の方程式を解き、磁区上部の3次元磁場分布を断層的に可視化する方法を開発した。本研究では、この手法を垂直磁気記録HDDに適用した結果について報告する。
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小林 中, 谷野 光平, 中村 善典, 熊谷 寛
セッションID: 5P-058S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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電界イオン顕微鏡にパルス計測機能を組み込んだ装置を用い、Heをイメージングガスとして、W試料(112)面における単一原子位置から放射される電界イオンを計数計測した。従来の巨視的な電界イオン電流量に対するイメージングガス圧およびTip印加電圧依存性と比較した結果、単一原子直上の局所領域ではガス圧に対して凡そ1次比例するが、電圧に対しては電場強度やガス原子の分極効果などの影響により次数の高い依存性を示すことが分かった。
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坂根 宏樹, 寺村 拓也, 打越 純一, 森田 瑞穂, 有馬 健太
セッションID: 5P-059S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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Si(111)表面上へと異方性エッチングにより形成されるステップテラス構造を利用し、基板表面のステップ端へと容易に並列な金属ナノワイヤ群が形成されることが知られている。
本研究では、金属ワイヤ形成時の酸化・還元反応により金属ワイヤの近傍へと形成された一次元Si酸化物をテンプレートとして、有機シラン分子を基板表面へと局所的に修飾させる技術を開発した。本結果は、バイオセンシング等に展開できる将来性を有する。
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山本 ひかる, 中村 耕生, 宮岡 裕樹, 市川 貴之, 小島 由継
セッションID: 5P-060S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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大気非暴露環境下で取り扱った軽元素系水素貯蔵物質(主にLi系)のX線光電子分光測定を行った。
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小島 領太, Maksudur Rahman Mohammad, El Fassy Fihry Mehdi, 木村 康男, 庭野 道夫
セッションID: 5P-061S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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酸化チタンナノチューブは、色素増感太陽電池の陰極材料として注目されている材料であり、陽極酸化は、陰極に垂直方向に成長した酸化チタンナノチューブ膜を形成する有力な手法の1つである。本研究では、電解液としてフッ化アンモニウムおよび水を含むエチレングリコール溶液を用い、チタン薄膜の陽極酸化過程に及ぼすフッ化アンモニウムや水の濃度の影響を調べ、それらが陽極酸化過程に大きく影響していることがわかった。
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小林 中, 中村 善典, 谷野 光平, 熊谷 寛
セッションID: 5P-062S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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電界イオン顕微鏡にパルス計測機能を組み込んだ装置を用い、Neをイメージングガスとして、W試料の(011)面と(112)面における単一原子位置から放射される電界イオンを計数計測した。生成する電界イオン数のTip印加電圧とNeガス圧依存性を測定した結果、異なる原子位置でのイオン生成率は、局所的な電場強度、ガス供給率およびイオン化によるガス密度減少の寄与割合の違いによって大きく変化することが分かった。
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山本 恭千, 市木 和弥, 二宮 啓, 瀬木 利夫, 青木 学聡, 松尾 二郎
セッションID: 5P-063S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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二次イオン質量分析法(SIMS)を用いた質量イメージングは工業や医学への応用が期待されている。しかし、従来の数keVのモノマーイオンを用いたSIMS分析では有機試料の分子構造を破壊してしまうという問題がある。我々は低損傷での照射が可能なクラスターイオンを用いたSIMSについて研究しており、今回の研究ではArクラスターSIMSを用いた高面分解能の質量イメージングを取得するための装置開発を行った。
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澤田 大輔, 瀧本 遼介, 平山 直樹, 森田 健一, 杉本 宜昭, 阿部 真之, 森田 清三
セッションID: 5P-064Y
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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AFMとSTMの同時測定は化学結合力等の力学特性と状態密度等の電子物性との相関を調べる有用な実験手法である.本研究ではSi(111)-(7x7)表面およびSi(111)-(7x7)表面上に形成したSiナノクラスター構造についてAFM/STM同時測定を行い,探針と試料表面との化学結合によって引き起こされる状態密度への影響について報告する.
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石井 大佑, 藪 浩, 下村 政嗣
セッションID: 5P-065Y
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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ナノピラー構造をもつ超撥水表面に、親水性金属からなるマイクロ構造を自己組織的に導入することで、吸着性をもつ超撥水表面を作製できる。吸着性は親水性マイクロ構造の導入量で制御可能であり、導入量は温度や濃度等の自己組織化条件により、容易に変えることができる。この手法を用いると、リソグラフィーなどの作製法では困難な同一表面上で吸着力の制御された超撥水表面を作製でき、微小液滴操作への応用が可能である。
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西野宮 卓, 林 俊一, 久保田 直義, 竹中 久貴
セッションID: 5P-066Y
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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従来の二次イオン質量分析法(SIMS)では、マトリックス効果により、深さ方向分析の定量測定に難があった。そこで、共鳴多光子イオン化によるスパッタ中性粒子分析法(SNMS)を用いてSi/Ti多層膜の深さ方向分析を行い、マトリックス効果の影響の小さい定量測定が可能なことを示した。さらに、SIMS/SNMSおよびXPSによる検討により、Si/Ti界面におけるTiSi2の存在がマトリックス効果の原因となりうることが判明したので、これについて報告する。
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伊藤 茅, 清原 修二, 田口 佳男, 杉山 嘉也, 小俣 有紀子, 倉島 優一, 滝川 浩史
セッションID: 5P-067S
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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室温で高粘性であり空気中の水分と反応し、徐々に硬化する特性を有するポリシロキサンを転写材料として提案し、マイクロラインパターンを有するガラス状炭素モールドを用いて室温硬化インプリントした。その過程で、湿度が転写パターンに与える影響について検討した。その結果、高湿度(80%)~低湿度(50%)において転写パターンに影響はなく、高精度にインプリントできることが分かった。
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塩足 亮隼, 熊谷 崇, 八田 振一郎, 奥山 弘, 有賀 哲也
セッションID: 5P-068
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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水を吸着させたCu(110)面上において、水素結合によって[001]方向に配列する水酸基多量体(OH)
2,(OH)
3および(OH)
4をSTMマニピュレーションにより生成し観察した。それらのIETSを測定した結果、水素結合したO-H伸縮振動のピークは各クラスターの原子配置に強く依存し、特異的なピークシフトを生じさせていることが明らかにした。
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小川 浩二, 東 純平, 高橋 和敏, 鎌田 雅夫
セッションID: 5P-069
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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我々はフェムト秒レーザーを用いた時間・角度分解2光子光電子光法によりCu(111)の表面電子状態ダイナミクスを研究している.前回ポンプ・プローブ光遅延時間により鏡像準位のピーク位置がシフトする事を報告した.今回その原因解明を目的に異なる励起エネルギーでの測定ならびに二次電子強度の時間分解測定を行った.ポンプ光を二倍波から基本波に変更したところシフト量は減少した.この変化と二次電子強度との相関を議論する.
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北田 祐介, 佐々木 悠祐, 大久保 雄平, 碇 智徳, 内藤 正路, 中尾 基, 西垣 敏
セッションID: 5P-070
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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SiC基板を真空中で通電加熱するとグラフェンが形成されることが知られている。グラフェンはSiより高い電子移動度を持つことから、デバイスへの応用が期待され盛んに研究が行われている。しかし少しの格子欠陥で電子移動度は著しく低下しているのが現状である。そこで我々はSTMとLEEDを用いてSiC表面のグラフェン形成過程を明らかにし、格子欠陥のないデバイス化に向けたグラフェンを選択成長させることを目的として研究を行った。
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植田 謙介, 上村 一平, 竹堂 公貴, 碇 智徳, 内藤 正路, 西垣 敏, 中尾 基
セッションID: 5P-071
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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Si及びガラス基板上へのCVD法を用いたCNT成長において、バッファ層の膜厚が及ぼす影響について調べた。バッファ層にはAl、Ni、Co、Tiを使用し、これらの膜厚を変化させることによってCNTの成長が変化するのか観測した。又同条件のバッファ層をSi基板、ガラス基板上に作製し、基板によるCNT成長の変化についても比較した。
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大櫨 浩司, 辛山 慶訓, 山崎 絢也, 今村 裕鎮, 碇 智徳, 山内 貴志, 内藤 正路, 西垣 敏, 生地 文也
セッションID: 5P-072
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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本研究ではカーボンナノチューブ(CNT)の生成方法として、SiC表面分解法を用いた。SiC表面分解法は触媒が不要で、真空中でSiC単結晶を熱処理するだけでCNTが生成できる方法である。CNTの生成には、SiCの構造が関係していると考えられている。そこで、本研究では熱処理前の試料表面にArイオンを照射して、表面の構造を変化させて熱処理を行い、TEMを用いて観察し、イオンを照射することによるCNT生成への影響を調べた。
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市原 寛也, 古屋 貴明, 別府 亜由美, 米岡 賢, 長谷川 繁彦, 朝日 一
セッションID: 5P-073
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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近年の磁気記憶媒体の高密度化に伴い、ナノスケールでの磁性体の磁区構造の解明が強く望まれている。
今回我々は、電子ビーム蒸着法によりGaN基板上にFeを蒸着し、Feナノドットを形成した。そして、SP―STM(スピン偏極走査型トンネル顕微鏡)を用いて表面磁性を観察しながら、形成したFeナノドットの磁気抵抗の計測を試みた。
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磯村 典武, 平田 裕人, 渡邊 佳英
セッションID: 5P-074
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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自動車用排気ガス浄化触媒における反応機構の解明を目指し、原子数を厳密に制御した金属クラスタを堆積できる装置を用いた解析を行っている。今回は、TiO
2 (110)上サイズ選別Ptクラスタ(Pt
n; n≦15)の電子状態について調べた。Pt価電子準位Pt5dの結合エネルギーは、クラスタサイズの増加と共にフェルミ準位側にシフトした。クラスタの電子状態はサイズが大きいほど金属に近い状態であることが示唆される。
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黒田 健太, 有田 将司, 宮本 幸治, 叶 茂, 木村 昭夫, Krasovskii E. E, Chulkov E. V, 姜 健, 岩 ...
セッションID: 5P-075
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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トポロジカル絶縁体は完全スピン偏極ディラック電子状態を持った特殊な物質として知られる。本研究では角度分解光電子分光法によるトポロジカル絶縁体Bi
2Se
3におけるディラック電子の直接観測及び第一原理計算により、ディラック電子状態に異方性がある事を初めて明らかにした。この異方性からフェルミ面のネスティングが生じ、新たな量子相を導く事が期待される
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坂上 護, 上羽 弘, 宗像 利明, 笠井 秀明
セッションID: 5P-076
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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金属および半導体表面の二光子光電子スペクトルに対する正孔散乱とファノ干渉の効果を理論的に調べる。
Cu(111)の光電子スペクトルには占有準位からの二光子過程と非占有準位からの一光子過程に由来するピーク構造が観測されるが、半導体ではピーク構造の片側が見えなくなる。
この現象をファノ干渉の効果で説明する試みが始まっているが、本研究では正孔散乱からの干渉効果も考慮した微視的理論により解析を行う。
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山田 洋一, 山田 俊太郎, 中山 拓人, 佐々木 正洋, 都留 智仁
セッションID: 5P-077
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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有機薄膜太陽電池等において、フラーレン(C60)と金属電極との界面は重要である。近年特に、C60吸着による基板原子の再構成が注目されている。特にCu(111)基板上では、基板再構成に伴うC60薄膜への顕著な電子移動が報告された。本研究では、Cu(111)上のC60二分子層、単分子層、基板再構成のある単分子層を制御して作製し、その電子状態を調べた。講演ではPtやAu基板の場合と比較し考察する。
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矢治 光一郎, 大坪 嘉之, 八田 振一郎, 武市 泰男, 奥山 弘, 有賀 哲也
セッションID: 5P-078
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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我々は,PbとBiをGe(111)表面上に共吸着することにより,これまで報告されていない新奇な表面超構造を作成することに成功した。講演では,この表面の電子状態について報告する。角度分解光電子分光及びスピン分解光電子分光より,この表面にはスピン偏極した金属的表面電子状態が存在することがわかった。これは,今後の固体表面でのスピン輸送の研究に向けて重要な発見である。
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柳生 進二郎, 吉武 道子, Tsud Nataliya, 知京 豊裕
セッションID: 5P-079
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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リン酸は、電極表面に有機分子を固定するアンカー材として注目されている。リン酸は、電極表面での酸素の存在によって、その解離吸着プロセスが異なると考えられている。本研究では吸着構造を制御する目的で、Al(111)及び酸化させたAl(111)(アモルファスと結晶性アルミナ)を用いてリン酸基を含むフェニルリン酸を吸着させ、その吸着構造について、反射赤外分光法やケルビンプローブを用いて検討を行った。
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村澤 裕子, 片岡 憲秀, 吉野 恭平, 永富 隆清, 高井 義造, 森田 幸弘, 西谷 幹彦, 北川 雅俊
セッションID: 5P-080
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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プラズマディスプレイパネル(PDP)内部にはプラズマエッチングからガラスを保護するためにMgO膜が用いられており,このMgO膜のイオン誘起二次電子収率γがPDPの特性を大きく左右する.本研究では,MgO膜のγと表面特性の相関を明らかにすることを目的としている.本講演では,PDP製造プロセスにおいて不可欠である加熱処理がMgO膜のγと表面特性へ与える影響について調べた結果について報告する.
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小倉 鉄平, 石元 孝佳, 古山 通久
セッションID: 5P-081
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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固体酸化物形燃料電池(SOFC)において硫黄系不純物の混入により起こる電池性能の劣化メカニズム解析のため、硫黄被毒表面反応機構の計算解析を行った。平面波基底の密度汎関数法を用いて、燃料極触媒表面におけるH,O,Sから成る各化学種を考慮し、平衡被覆率の計算、硫化水素濃度依存性等の検討を行った。
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山端 大樹, 亀川 孝, 山下 弘巳
セッションID: 5P-082
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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2,3-ジヒドロキシナフタレンを前駆体に用い、炭素で被覆したTiO
2担持メソ多孔性シリカ光触媒を調製した。それらのキャラクタリゼーションを各種分光測定により行った。光触媒反応活性を水中の2-プロパノールとアセトアルデヒドガスの分解反応により評価した結果、薄層炭素被覆により光触媒反応活性が大きく向上することを見いだした。これらの詳細について報告する。
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山西 貴翔, 桑原 泰隆, 亀川 孝, 森 浩亮, 山下 弘巳
セッションID: 5P-083
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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酵素と同程度の大きさに細孔径を制御したメソポーラスシリカ(MCM-41)に、含浸法によりCa及びPを修飾した。Ca, P修飾メソポーラスシリカは未修飾のものに比べ、短時間で高い酵素(HRP)吸着量を示した。酵素固定化後の試料はオルトフェニレンジアミンの酸化重合反応においても高活性を示した。メソポーラスシリカ表面の物理化学特性を制御することにより、酵素特性を損なうことなく酵素を安定に固定化することに成功した。
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清水 佑樹, 堀内 悠, 亀川 孝, 森 浩亮, 山下 弘巳
セッションID: 5P-084
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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マイクロ波照射を利用したTi含有メソポーラスシリカ薄膜へのCo-Mo触媒の担持、および超撥水性表面の形成を目的としたカーボンナノチューブ(CNT)の合成を行った。SEM・TEM観察およびRaman測定から、欠陥の極めて少ないCNTの合成が確認された。合成後の薄膜は超撥水性を発現した。また、マイクロ波照射およびTi含有量が撥水性の向上に重要な役割を果たしているがわかった。
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服部 賢, 稲葉 雄一, 安居 麻美, 大門 寛, 柳澤 将, 森川 良忠
セッションID: 5P-085
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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室温Si(111)7x7表面上ではNO分子は解離吸着することが知られている。今までに我々はSTMを用いて反応アドアトムにはそのバイアス依存性から大きく分けて2種類の吸着状態があることを明らかにしてきた。また、DFT-STATEの第一原理計算を用いて、Si(111)2x2表面上の吸着シミュレーション結果について紹介してきた。今回は、より7x7表面に近い4x2-H表面上での吸着シミュレーション結果について報告し、STM結果の解釈について議論する。
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春山 潤, 胡 春平, 渡辺 一之
セッションID: 5P-086
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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近年、グラフェンは水素吸蔵物質などの候補として注目を集めており、グラフェンに水素が吸着することで電子状態を制御しようという試みもある。我々はこのグラフェンやグラファイト表面に吸着した水素原子の脱離ダイナミクスに注目し、熱脱離とレーザー照射脱離シミュレーションを時間依存密度汎関数法と分子動力学法を組み合わせた手法を用いて行った。発表ではその結果における同位体効果などについて議論する。
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渡邊 健太郎, 河嶋 将慈, 森 浩亮, 山下 弘巳
セッションID: 5P-087
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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光応答性を有する[Pt(tpy)Cl]
+錯体を様々な細孔構造を有するメソポーラスシリカに固定化した試料を作製した。この錯体は均一系では室温で発光しないが、固定化することで
3LCと
3MLCTに起因する強い発光を示すことを見出した。また光酸化反応に応用し、光照射下での酸素を用いたスチレン類の酸化を試みた。さらに、細孔構造や錯体の固定化量による影響についても検討した。
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石見 洋平, 春山 潤, 胡 春平, 渡辺 一之
セッションID: 5P-088
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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グラフェンは高い電気伝導性や、熱伝導性により次世代のナノデバイスの材料として期待されている。
ナノデバイスへの応用を考えたとき、微細加工や欠陥形成などイオン照射は非常に有用であり、グラフェンへの影響を精査することが重要である。
本研究では、電子の励起状態を第一原理的に扱うことのできる時間依存密度汎関数法と分子動力学法を組み合わせたシミュレーションにより、グラフェンのイオン照射に対する応答を議論する。
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WUNGU TRIATI DEWI KENCANA, DIPOJONO HERMAWAN KRESNO, 中西 寛, 笠井 秀明
セッションID: 5P-089
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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This study deals with the effect of the isomorphic substitute on the sorption of 2 Li atoms on montmorillonite (MMT) using DFT.Results show that the 2 Li atoms are located at the vacant tetrahedral and the vacant octahedral site for both of the 2 MMT systems, the isomorphic and the non-isomorphic system.The band structure of the bulk-Li-MMT along high symmetry lines shows metallic behavior for the non-isomorphic system and insulator for the isomorphic substitution.
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加藤 信彦, 工藤 正博
セッションID: 5P-090
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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固体酸化物型燃料電池は次世代の燃料電池として注目されている。固体酸化物型燃料電池の燃料は主にメタン、プロパンやブタンのような燃料ガスであるが近年水素や一酸化炭素を高効率に電力に変換する技術も開発されている。しかし酸化物表面におけるこれらの燃料ガスの酸化のメカニズムはまだ解明されていない。そこで本研究では固体酸化物型燃料電池として応用されているニッケル-イットリア安定化ジルコニア界面をモデル化しその界面におけるH
2およびCO分子の酸化反応を量子化学計算を用いて解析する。
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豊島 章雄, 田中 宏和, 菊地 貴司, 間瀬 一彦, 雨宮 健太, 伊藤 健二
セッションID: 5P-091
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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有機薄膜研究用真空紫外軟X線アンジュレータービームラインBL-13Aを建設した。研究対象は主に基板上に原子レベルで制御して作製した有機薄膜・生体分子とし、角度分解紫外光電子分光、高分解能内殻光電子分光、高分解能軟X線吸収分光を駆使して、有機薄膜・生体分子とその界面の構造、電子状態、振電相互作用、ダイナミクス、およびそれらの時間的・空間的変動を精密に研究する。本発表ではBL-13Aの詳細と性能評価の結果を報告する。
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池滝 慶記
セッションID: 5P-092
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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2波長のレーザー光を波面制御して分子に照明すると、回折限界を上回る分解能をもつ超解像蛍光計測法が可能となる。第1のレーザー光(励起光)で分子をS1に励起した後、第2のレーザー光(消去光)でS1分子の消失させて蛍光を抑制する。更に消去光を空間整形し、励起光と同時照射すると、3次元的な蛍光スポット領域が回折限界以下に収縮する。本研究では、本計測法の検証実験結果について報告する。
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谷舗 浩紀, 永富 隆清, 高井 義造, 荻原 俊弥, 田沼 繁夫, K. J. Kim
セッションID: 5P-093
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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層状構造を持つデバイスの深さ方向分析法として用いられているAESやXPSスパッタ深さ分析では,微量元素を検出するためには高深さ分解能に加えて高感度も要求される.そこで本研究では,プローブやスパッタ用一次イオンの斜入射や信号の高角検出を用いて,高感度で高深さ分解能のスパッタ分析を実現することを目的とする.本講演では高感度高深さ分解能でのデルタドープ層分析について報告する.
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鈴木 雅彦, 橋本 道廣, 安江 常夫, 桑原 真人, 真野 篤志, 中川 靖英, 奥見 正治, 中西 彊, 金 秀光, 山本 尚人, 宇治 ...
セッションID: 5P-094
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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高輝度、高偏極度、長寿命を有するスピン偏極電子源を搭載したスピン偏極低エネルギー電子顕微鏡の開発を行った。その結果、視野径6μmにおいて1フレームあたり0.02秒で磁区像の観察を行うことに成功した。
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赤嶺 雄太
セッションID: 5P-095
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
会議録・要旨集
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我々はW(110)の上にPtやPdを蒸着させて、電子源の先端を単原子で終端させたナノチップの研究も現在進めている。この電子源は先端が壊れてもまた加熱処理だけで復旧可能という性能を持ち半永久的に用いる電子源として期待されている。また、ナノチップの電子放出領域は狭いこと、電子ビームの開き角が小さいため高い指向性を持つことなどから、電子源としての性能の向上が期待される。今回、570時間に及ぶ長時間の計測を行い、単原子電子源の放出電流の安定性及び、寿命の評価を行った。
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加藤 豪
セッションID: 5P-096
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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本研究は密度汎関数理論に基づく第一原理計算を用いて、結晶多形同士によって構成される「ホモマテリアル・ヘテロ界面構造」の電子状態について評価することを目的とする。窒化ホウ素結晶多形を用いて、3C(111)/nH(0001)(n=2,4,5,6)界面を持つ超格子モデルに対して、その電子状態、特にバンド不連続の積層構造依存性を調べた。
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望月 出海, 深谷 有喜, 河裾 厚男
セッションID: 5P-097
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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Ge(001)面にPt原子を0.25ML蒸着すると、金属的な一次元原子鎖が形成する。この原子鎖上では約70K以下でパイエルス転移が起こる可能性が報告された。また、これまでPtダイマーと考えられていた原子鎖は、近年の第一原理計算の結果Geダイマーであると報告され、その構造決定にも関心が寄せられている。この表面の正確な原子配置と相転移機構の解明のため、高速陽電子回折法を用いた原子構造解析を行った。
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千葉 雅史, 舞薗 三紀彦, 吉田 勇太, 清田 英夫, 本城 貴充, 久慈 俊郎
セッションID: 5P-098
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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我々はMg-Cを母相とする導電性を示す透明薄膜の開発に成功し,それはITO等の透明電極の代替材料として有望視されている.非固溶のMgとCをスパッタ法にて一旦化合化してから水酸化処理を施すことで,導電性を確保しながらに透明な膜へと導く.今回は水酸化処理過程における水蒸気量と,出発材料のMg-C組成比をパラメータとして,種々の薄膜を合成し,さらにそれらの諸特性と構造について検討を行った.
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掛札 洋平, 角田 日向子, 枝元 一之, 米田 忠弘
セッションID: 5P-099
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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直径10nmの金微粒子を分散させた水溶液を用い、Si(100)基板表面に自己組織化的に堆積させた。表面をArスパッタによってエッチングし、X線光電子分光を行うことで金微粒子の電子状態の深さ方向分析を行った。その結果、微粒子の表面は金原子のみで構成されているが、基板-微粒子界面では金シリサイドが形成されていることが明らかになった。
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吹留 博一, 半田 浩之, 高橋 良太, 今泉 京, 猪俣 州哉, 末光 眞希, 遠田 義晴, 小嗣 真人, 大河内 拓雄, 木下 豊彦, ...
セッションID: 5P-100
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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微細加工を施した表面上のエピタキシャル・グラフェンをエネルギー分光型光電子顕微鏡により研究した。その結果、エピタキシャルグラフェンの層数及びステップ密度のナノ制御に成功し、ほぼ完全に近いグラフェンエピタキシャル膜が得られた。本研究結果は、エピタキシャル・グラフェンを用いた電子デバイスの実用化を大きく前進させるものである。
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平野 博紀, 根岸 良太, 小林 裕慶, 大野 恭秀, 前橋 兼三, 松本 和彦
セッションID: 5P-101
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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我々はこれまでの研究で、グラファイトの機械剥離により絶縁基板上へ転写したグラフェンを成長核としたグラフェンの膜成長が可能であることを見出してきた。本研究では、ラマン分光法と走査型原子間力顕微鏡によるグラフェンの膜成長の詳細な解析を進めたので報告する。
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高橋 良太, 半田 浩之, 阿部 峻佑, 今泉 京, 齋藤 英司, 吹留 博一, 遠田 義晴, 末光 眞希
セッションID: 5P-102
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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Si(111)基板上SiC(111)薄膜上のグラフェン形成過程と表面電子構造をLEED及びPESで観察した。6H-SiC(0001)バルク基板上と同様、形成過程は√3×√3-R30→6√3×6√3-R30→グラフェン-1×1と変化し、表面電子構造もグラフェン層数に依存してK点でバンドギャップが発生した。SiC薄膜上グラフェンは原理的にSiCバルク基板上と同程度まで高品質化できると示唆される。
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小紫 大希, 東野 剛之, 塚本 貴広, 保原 麗, 平原 徹, 長谷川 修司, 荻野 俊郎
セッションID: 5P-103
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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現在、実験で得られるグラフェンのキャリア移動度は理論値に遠く及ばない。その一つの要因と考えられる基板の及ぼす影響を検証するため、機械的剥離法を用いて基板に貼り付けたグラフェンのSEM中四探針測定を行った。それに伴い電子線がグラフェンに与えるダメージについて原子間力顕微鏡を用いて考察した。
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藤井 雄人, 中村 淳
セッションID: 5P-104
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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列状に酸素が吸着したカーボンナノ物質の新規モデル、多角柱型カーボンナノシリンダーについて、密度汎関数理論に基づく第一原理基底状態計算を行った。物質設計の立場から、その構造安定性と電子物性を評価する。
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杉山 滋, 若山 純一, 川嶋 悌照, 村松 宏
セッションID: 5P-105
発行日: 2010年
公開日: 2010/11/04
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原子間力顕微鏡及びマイクロ光造形法により作製した大きな先端径を有する樹脂製探針を用いて、基板に固定した抗原とカンチレバーに固定した抗体との相互作用検出を試みた。界面活性剤やブロッキング剤等の添加による溶液条件の最適化により、基板上に微量(1μg/ml)に存在するタンパク質分子の検出が可能であった
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