IV族半導体, V族半金属はその特徴ある結晶構造と
バンド構造
のために物性屋の好個の研究対象となってきた. とくにV族半金属の特異な結晶構造は早くから物性理論家の注目をひき, Mott-Jones以来幾人かの人がその電子構造と結晶構造との関係をなかば現象論的に論じている. またIV, V族結晶の
バンド構造
は, パラメター・フィッティングの経験的ポテンシャルの立場で詳しく調べられている. これらの現状を紹介し, さらに一歩進んで, 原子データに基づいたトップ・ホップフィールド型のポテンシャルを用いて, これら結晶の凝集機構と
バンド構造
とがどこまで統一的に取り扱えるかを明らかにする.
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