本論文ではス
ロットリング
共振器を用いた第8次高調波発振器の構成法を提案し,その基礎検討を行っている.この発振器はス
ロットリング
共振器,マイクロストリップ線路出力回路,HEMTを用いた2つの負性抵抗回路から構成している.この負性抵抗回路によりス
ロットリング
共振器に高周波信号が励振され,マイクロストリップ線路出力回路によって共振器より第8次高調波を選択的に取り出している.本発振回路は,両平面回路技術を用いることによって,回路構成の簡易化と小型化を同時に実現している.また,発振半導体素子はX帯用HEMTを採用しており,簡易で低コストなミリ波帯発振器の実現に有効である.
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