マイクロビア技術は, 国によりビルドアップ, 逐次積層 (SBU) , 高密度コネクト (HDI) 等呼び方が変わるが, ファインラインアンドスペース, 微小ビアによる高密度基板技術のことである。マイクロビア技術は, ビア径150μmφ以下, パッド径350μmφで定義。マイクロビア技術の, 2つの市場すなわち, 基板, ICパッケージの需要動向について記述。また, マイクロビア技術の将来として, 到達するであろうライン/スペース, ビア径/パッド径についても記載。マイクロビア技術は, 将来ますます用途が広がり, 生産量も増え, 価格も下がってくるだろう。

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鉛フリーはんだのうち, 今後の開発が必要とされる低融点はんだであるSn-Zn-3BiはんだとCu電極との界面反応に及ぼすめっきの影響について明らかにするために, 基礎実験としてSn-Zn-3Biはんだにめっきの成分であるAg, Bi, Cu, Pbを添加し, これらの作製はんだをCu板に時間と温度を変化させてソルダリングし, 界面反応層およびその成長過程を調査した。また, リフローソルダリング後に高温放置試験を行い, 同様に評価を行った。その結果, Agを添加したはんだを用いた場合において, リフロー過程および高温放置過程のいずれにおいても界面反応層の成長が抑制されることがわかった。

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Sn-Zn系はんだとCuとの界面反応について, 125, 135, 150℃で高温保持により組織の変化を調べた。Sn-Zn-3BiとSn-Zn/Cu接合体の場合, 高温保持の初期段階では, 界面反応層は平坦に成長するが, 時間の経過と共にすべての温度で凹凸になった。界面の層とはんだ内部の相は, 多量のCuがはんだ側に拡散することで形成される。Zn相の相への変化は, すべての温度でSn-ZnよりSn-Zn-3Bi/Cuが早い。長時間保持するとはんだと界面反応層の間に多数のボイドの形成が観察される。なお, 界面反応層とCuの間に, Snの逆拡散によるSn-Cu相とSn相が形成する。一方, Sn-20ZnとSn-30Zn/Cu接合体では長時間の高温保持でもボイドや異常界面の形成が少なく, 比較的安定した界面構造を維持する。

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VLSIチップおよびパッケージのEMCに関する問題についていくつかの例をあげ, それぞれの問題についてモデリングの方法を示した。解析する問題の種類により, 利用すべきモデリング技術が異なるため, 与えられたモデルを, あるモデリング技術の適用が最適になるように分割し, 複数のモデリング技術を用いて解析を行う方法 (Multi-stage Modeling) について言及した。正しくEMIのモデリングを行うためには, 種類の異なるいくつかのモデリング技術が必要であり, 問題に合わせて使うべき技術を選択しなければならない。

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For smart textiles applications, textile compatible power supplies are required to ensure autonomous operation. Inspired by textile technologies, we have already developed an energy harvesting yarn where the spherical solar cell array is arranged in parallel. In this report, we show a new photovoltaic textile that weaves the energy harvesting yarn with the fabric weft, and some of its properties.

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For smart textiles applications, textile compatible power supplies have been highly anticipated to ensure autonomous operation. Inspired by textile technologies, we have successfully prototyped an energy harvesting yarn with a spherical solar cell array arranged in parallel.

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The new LTCC material has been developed by crystallization of glass compositions in the firing process so that the major amount of glass becomes cordierite. The new material has CTE (coefficient of thermal expansion) of 3.4-/degree Celsius and dielectric constant of .. The CTE of the new LTCC material is very close to that of silicon, which realizes high mounting reliability of a silicon device. We have measured the maximum principal stress in a silicon device mounted on test packages, using a piezoelectric element built-in the device. In the case of our new LTCC package, the stress in the device was around 0 Mp, while a Build-Up package (CTE: 17.0 -/degree Celsius) has shown the stress about MPa. Our new LTCC material can be co-fired with copper conductor, which realized high effective conductivity and low transmission loss. The new LTCC material has been confirmed to be a promising solution of packages for Low-k and Ultra Low-k devices.

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本研究は，ランダムフォレストとニューラルネットワークを使用し，ロボット芝刈り機が走行する際に芝の長さと地面の状態を推定し，地面によって走行制御を変えることにより効率の良い芝刈りをすることを目的とする。現在市販されている主なロボット芝刈り機は，芝の長さや，土などの芝以外の地面の状態を認識できない。このため，ロボット芝刈り機は指定された範囲をランダムに走行しながら常に刈刃を最高速で回転させている。効率的な芝刈りを行うために，センサと機械学習を用いて，芝の長さや地面の状態を推定し，適切な制御を行うことを提案する。その結果，地面の状態の推定において，正解率90%以上を達成したことを実験的に示した。

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