Published: December 01, 1981Received: November 04, 1981Available on J-STAGE: August 07, 2009Accepted: November 04, 1981
Advance online publication: -
Revised: -
Correction information
Date of correction: August 07, 2009Reason for correction: -Correction: CITATIONDetails: Wrong : 1) I. Ohdomari and K. Suguro, J. Vac. Soc. Japan, 12 (1979) 411. 2) J. O. McCaldin, J. Vac. Sci. Technol., 11 (1974) 990, E. H. Rhoderick, Metal-Semiconductor Contacts (Clarendon Press, Oxford, 1978) 3) M. Hagino, J. Surf. Sci. Soc. Japan, 2 (1981) 244. 4) K. Spiegel, Surf. Sci., 7 (1967) 125. 5) E. Bauer and H. Poppa, Thin Solid Films, 12 (1972) 167. 6) G. Le Lay, G. Quentel, J. P. Faurie and A.Masson, Thin Solid Films, 35 (1976) 273, 289. 7) G. Le Lay, M. Manneville and R. Kern, Surf.Sci., 72 (1978) 405. 8) F. Wehking, H. Beckermann and R. Niedermayer, Surf. Sci., 71 (1978) 364. 9) A. Mckinley, R. H. Williams and A. W. Parke, J. Phys. C., 12 (1979) 2447. 10) G. V. Hansson, R. Z. Backrach, R. S. Bauer and P. Chiaradia, J. Vac. Sci. Technol, 18 (1981) 550; Phys. Rev. Lett., 46 (1981) 1033. 11) J. P. Gaspard, Surf. Sci., 99 (1980) 183. 12) V. Barone and G. Del Re, Surf. Sci., 99 (1980) 223. 13) Y. Gotoh and S. Ino, Japan. J. Appl. Phys., 17 (1978) 2097. 14) M. Saitoh, F. Shoji, K. Oura and T. Hanawa, Japan. J. Appl. Phys., 19 (1980) L 421. 15) T. Narusawa, S. Komiya and A. Hiraki, Appl. Phys. Lett., 20 (1972) 272. 16) T. Narusawa, S. Komiya and A. Hiraki, Appl. Phys. Lett., 22 (1973) 389. 17) A. Hiraki and M. Iwami, Japan. J. Appl. Phys., suppl. 2 Pt. 2 (1974) 749. 18) A. K. Green and E. Bauer, J. Appl. Phys., 47 (1976) 1284. 19) G. Le Lay, M. Manneville and R. Kern, Surf. Sci., 65 (1977) 261. 20) G. Le Lay and J. P. Faurie, Surf. Sci., 69 (1977) 295. 21) S. Ino, Japan. J. Appl. Phys., 16 (1977) 891. 22) N. Osakabe, Y. Tanishiro, K. Yagi and G. Honjo, Surf. Sci., 97 (1980) 393. 23) L. Braicovich, C. M. Garner, P. R. Skeath, C.Y. Su, P. W. Chye, I. Lindau and W. E. Spicer, Phys. Rev., B20 (1979) 5131. 24) K. Okuno, T. Ito, M. Iwami and A. Hiraki, Solid State Commun., 34 (1980) 493. 25) P. Perfetti, S. Nannarone, F. Patella, A. Savoia, F. Cerrina and M. Capozi, Solid State Commun., 35 (1980) 151. 26) I. Abbati, L. Braicovich, A. Franciosi, I. Lindau, P. R. Skeath, C.Y. Su and W. E. Spicer, J. Vac. Sci. Technol., 17 (1980) 930. 27) I. Abbati, L. Braicovich and A. Franciosi, Solid State Commun., 33 (1980) 881. 28) K. Okuno and A. Hiraki, J. Surf. Sci. Soc. Japan, 2 (1981) 174. 29) T. Narusawa, K. Kinoshita, W. M. Gibson and A. Hiraki, J. Vac. Sci. Technol., 18 (1981) 872. 30) T. Narusawa, K. Kinoshita and W. M. Gibson, Proc. 4th Int. Conf. Solid Surf., Cannes 1980 Vol. 1, p. 673. 31) J. J. Lander and J. Morrison, Surf. Sci., 2 (1964) 553. 32) J. J. Lander, G. Goberi and J. Morrison, J. Appl. Phys., 34 (1963) 2298. 33) Y. W. Chung, W. Siekhaus and G. Somorjai, Phys. Rev. B15 (1977) 959. 34) J. E. Rowe, G. Margaritondo and S. B. Christman, Phys. Rev., B 15 (1977) 2195. 35) G. Margaritondo, J. E. Rowe and S. B. Christman, Phys. Rev. B14 (1976) 5396. 36) K. C. Pandey and J. C. Phillips, Phys. Rev. Lett., 32 (1974) 1433. 37) H. I. Zhang and M. Schlüter, Phys. Rev. B18 (1978) 1923. 38) J. R. Chelikowsky, Phys. Rev., B 16 (1977) 3618. 39) K. L. I. Kobayashi, Y. Shiraki, F. Gerken, J. Barth and C. Kunz, Phys. Rev. B24 (1981) 3575 40) K. L. I. Kobayashi, Y. Shiraki and Y. Katayama, Inst. Phys. Conf. Ser., 43C (1979) 211. 41) K. L. I. Kobayashi, F. Gerken, J. Barth and C. Kunz, J. Phys. Soc. Japan, 49 (1980) Suppl. Ap. 1059. 42) K. L. I. Kobayashi, F. Gerken, J. Barth and C.Kunz, Solid State Commun., 39 (1981) 851 43) J. J. Lander and J. Morrison, J. Appl. Phys., 36 (1965) 1706. 44) S. Baba, M. Kawaji and A. Kinbara, Surf. Sci., 85 (1979) 29. 45) M. Kawa ji, S. Baba and A. Kinbara, Appl. Phys. Lett., 34 (1979) 748. 46) G. Margaritondo, S. B. Christman and J. E. Rowe, J. Vac. Sci. Technol., 13 (1976) 329. 47) A. Kawazu, K. Akimoto, T. Oyama and G.Tominaga, Proc. 4th Int. Conf. Solid Surf., Cannes, 1980 Vol. 2, p. 1015. 48) A. Kawazu, T. Otsuki and G. Tominaga, Japan. J. Appl. Phys., 20 (1981) 553. 49) T. Oyama, S. Ohi, A. Kawazu and G. Tominaga, Surf. Sci., 109 (1981) 82. 50) A. Kawazu, Y. Saito, T. Otsuki and G. Tominaga, Surf. Sci., 86 (1979) 108. 51) Y. Saito, A. Kawazu and G. Tominaga, Surf. Sci., 103 (1981) 563. 52) J. E. Rowe, S. B. Christman and G. Margaritondo, Phys. Rev. Lett., 35 (1975) 1471. 53) M. Nishida, Phys. Lett., 69A (1978) 231.
Right : 1) I. Ohdomari and K. Suguro, J. Vac. Soc. Japan, 12 (1979) 411. 2) J. O. McCaldin, J. Vac. Sci. Technol., 11 (1974) 990, E. H. Rhoderick, Metal-Semiconductor Contacts (Clarendon Press, Oxford, 1978) 3) M. Hagino, J. Surf. Sci. Soc. Japan, 2 (1981) 244. 4) K. Spiegel, Surf. Sci., 7 (1967) 125. 5) E. Bauer and H. Poppa, Thin Solid Films, 12 (1972) 167. 6) G. Le Lay, G. Quentel, J. P. Faurie and A.Masson, Thin Solid Films, 35 (1976) 273, 289. 7) G. Le Lay, M. Manneville and R. Kern, Surf.Sci., 72 (1978) 405. 8) F. Wehking, H. Beckermann and R. Niedermayer, Surf. Sci., 71 (1978) 364. 9) A. Mckinley, R. H. Williams and A. W. Parke, J. Phys. C., 12 (1979) 2447. 10) G. V. Hansson, R. Z. Backrach, R. S. Bauer and P. Chiaradia, J. Vac. Sci. Technol, 18 (1981) 550; Phys. Rev. Lett., 46 (1981) 1033. 11) J. P. Gaspard, Surf. Sci., 99 (1980) 183. 12) V. Barone and G. Del Re, Surf. Sci., 99 (1980) 223. 13) Y. Gotoh and S. Ino, Japan. J. Appl. Phys., 17 (1978) 2097. 14) M. Saitoh, F. Shoji, K. Oura and T. Hanawa, Japan. J. Appl. Phys., 19 (1980) L 421. 15) T. Narusawa, S. Komiya and A. Hiraki, Appl. Phys. Lett., 20 (1972) 272. 16) T. Narusawa, S. Komiya and A. Hiraki, Appl. Phys. Lett., 22 (1973) 389. 17) A. Hiraki and M. Iwami, Japan. J. Appl. Phys., suppl. 2 Pt. 2 (1974) 749. 18) A. K. Green and E. Bauer, J. Appl. Phys., 47 (1976) 1284. 19) G. Le Lay, M. Manneville and R. Kern, Surf. Sci., 65 (1977) 261. 20) G. Le Lay and J. P. Faurie, Surf. Sci., 69 (1977) 295. 21) S. Ino, Japan. J. Appl. Phys., 16 (1977) 891. 22) N. Osakabe, Y. Tanishiro, K. Yagi and G. Honjo, Surf. Sci., 97 (1980) 393. 23) L. Braicovich, C. M. Garner, P. R. Skeath, C.Y. Su, P. W. Chye, I. Lindau and W. E. Spicer, Phys. Rev., B20 (1979) 5131. 24) K. Okuno, T. Ito, M. Iwami and A. Hiraki, Solid State Commun., 34 (1980) 493. 25) P. Perfetti, S. Nannarone, F. Patella, A. Savoia, F. Cerrina and M. Capozi, Solid State Commun., 35 (1980) 151. 26) I. Abbati, L. Braicovich, A. Franciosi, I. Lindau, P. R. Skeath, C.Y. Su and W. E. Spicer, J. Vac. Sci. Technol., 17 (1980) 930. 27) I. Abbati, L. Braicovich and A. Franciosi, Solid State Commun., 33 (1980) 881. 28) K. Okuno and A. Hiraki, J. Surf. Sci. Soc. Japan, 2 (1981) 174. 29) T. Narusawa, K. Kinoshita, W. M. Gibson and A. Hiraki, J. Vac. Sci. Technol., 18 (1981) 872. 30) T. Narusawa, K. Kinoshita and W. M. Gibson, Proc. 4th Int. Conf. Solid Surf., Cannes 1980 Vol. 1, p. 673. 31) J. J. Lander and J. Morrison, Surf. Sci., 2 (1964) 553. 32) J. J. Lander, G. Goberi and J. Morrison, J. Appl. Phys., 34 (1963) 2298. 33) Y. W. Chung, W. Siekhaus and G. Somorjai, Phys. Rev. B15 (1977) 959. 34) J. E. Rowe, G. Margaritondo and S. B. Christman, Phys. Rev., B 15 (1977) 2195. 35) G. Margaritondo, J. E. Rowe and S. B. Christman, Phys. Rev. B14 (1976) 5396. 36) K. C. Pandey and J. C. Phillips, Phys. Rev. Lett., 32 (1974) 1433. 37) H. I. Zhang and M. Schlüter, Phys. Rev. B18 (1978) 1923. 38) J. R. Chelikowsky, Phys. Rev., B 16 (1977) 3618. 39) K. L. I. Kobayashi, Y. Shiraki, F. Gerken, J. Barth and C. Kunz, Phys. Rev. B24 (1981) 3575 40) K. L. I. Kobayashi, Y. Shiraki and Y. Katayama, Inst. Phys. Conf. Ser., 43C (1979) 211. 41) K. L. I. Kobayashi, F. Gerken, J. Barth and C. Kunz, J. Phys. Soc. Japan, 49 (1980) Suppl. Ap. 1059. 42) K. L. I. Kobayashi, F. Gerken, J. Barth and C.Kunz, Solid State Commun., 39 (1981) 851 43) J. J. Lander and J. Morrison, J. Appl. Phys., 36 (1965) 1706. 44) S. Baba, M. Kawaji and A. Kinbara, Surf. Sci., 85 (1979) 29. 45) M. Kawa ji, S. Baba and A. Kinbara, Appl. Phys. Lett., 34 (1979) 748. 46) G. Margaritondo, S. B. Christman and J. E. Rowe, J. Vac. Sci. Technol., 13 (1976) 329. 47) A. Kawazu, K. Akimoto, T. Oyama and G.Tominaga, Proc. 4th Int. Conf. Solid Surf., Cannes, 1980 Vol. 2, p. 1015. 48) A. Kawazu, T. Otsuki and G. Tominaga, Japan. J. Appl. Phys., 20 (1981) 553. 49) T. Oyama, S. Ohi, A. Kawazu and G. Tominaga, Surf. Sci., 109 (1981) 82. 50) A. Kawazu, Y. Saito, T. Otsuki and G. Tominaga, Surf. Sci., 86 (1979) 108. 51) Y. Saito, A. Kawazu and G. Tominaga, Surf. Sci., 103 (1981) 563. 52) J. E. Rowe, S. B. Christman and G. Margaritondo, Phys. Rev. Lett., 35 (1975) 1471. 53) M. Nishida, Phys. Lett., 69A (1978) 231.
The present status of the study of adsorption of metal atoms on clean Si (111) surfaces is reviewed. In particular we give an outline of the growth processes of the adsorbed layers, and the structures and phase transitions of two dimensional phases on the silicon surfaces. Electronic structures of these surfaces are also discussed.