超高速半導体デバイス

抄録

シリコンおよびIII-V化合物を中心として, 超高速半導体デバイスの動作原理, 最近の動向, 特徴および今後の見通しについて述べる.シリコン高速デバイスであるバイポーラLSIは, 従来のプレーナ技術の限界を越えた新デバイスを使用し, 化合物半導体は, 電子移動度やヘテロ接合などの本質的特長を生かして高性能化が進められている.