日本液晶学会討論会講演予稿集
Online ISSN : 2432-5988
Print ISSN : 1880-3490
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2000年 日本液晶学会討論会
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PAa06 放射光マイクロビーム時分割X線回折法による強誘電/反強誘電性液晶層構造の電場応答観察
*高橋 由美子飯田 厚夫高西 陽一小笠原 豊和石川 謙竹添 秀男
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p. 193-194

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抄録
A synchrotron time resolved microbeam X-ray diffraction was applied to the direct and real time measurement of the local layer response of an antiferroelectric liquid crystal. The transient local layer deformation process related to the field induced phase transition was observed. In the ferroelectric (FE) to antiferroelectric(AFE) phase transition process, the layer structure changed from the bookshelf to the quasi-bookshelf within 0.3ms and the transient structure of horizontal chevron appeared. For the AFE to FE transition, the reverse layer deformation occurred within 0.04ms.
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© 2000 日本液晶学会
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