ポリイミド光配向膜上の高配向F8T2 -電界効果トランジスタの特性

抄録

高分子有機半導体として注目されているpoly(9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene) (F8T2)は高温で液晶性を示すことから、熱的に安定な液晶用配向膜を用いて配向させることができる。我々は、アゾベンゼンを骨格構造に含むポリイミド（Azo-PI）光配向膜を用いて高配向F8T2 -電界効果トランジスタを作製した。平行配向素子、垂直配向素子共に、ヒステリシスがほとんどないノーマリーオフのp-チャンネル・トランジスタ動作を示し、飽和領域における電界効果移動度はそれぞれ、0.016 cm²V^-1s^-1, 0.002 cm²V^-1s^-1 であった。