抄録
高次の液晶相を発現する(ベンゾチエノベンゾチオフェン)BTBT誘導体を用いて、多結晶材料としての有用性を検討した。溶液プロセスでの薄膜作製では低次の液晶相しか発現しない従来のBTBT誘導体に比べ、亀裂の無い均一な多結晶薄膜が容易に得られた。その多結晶薄膜を用い電界効果型トランジスタを作製したところ移動度が3cm2/Vs超すデバイスが作製できた。その上、この多結晶薄膜は高次の液晶相に加熱しても融解せず、従来のBTBT誘導体に比べ熱安定性が格段に改善され、高次の液晶相を示す材料が結晶材料としても有用であることが明らかになった。