NaGaSi₂O₆輝石の構造

抄録

1500°C, 60 Kbで合成したNaGaSi₂O₆輝石の結晶構造を精密化した。格子常数はa=9.557 Å, b=8.679 Å, c=5.260 Å, β=107.68°, V=415.70 ųで,空間群はC2/cである。 7種のNaM³⁺Si₂O₆輝石の構造とNaGaSi₂O₆輝石の構造とを比較したところ, Si-O距離とM³⁺イオンの電気陰性度との関係は二つの系列にわかれる。一方はSc-Cr-V-Ti-Al系列であり,他方はIn-Fe-Ga系列である。 Ga³⁺イオンの電気陰性度はポーリングの尺度で1.9となる。