Epitaxial GaAs Films Deposited by Molecular Beam Method

M. NAGANUMA; K. TAKAHASHI

doi:10.1541/ieejfms1972.93.434

Molecular beam法によるGaAs薄膜のエピタキシャル成長

永沼充, 高橋清

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ジャーナルフリー

1973 年 93 巻 10 号 p. 434-440

DOI https://doi.org/10.1541/ieejfms1972.93.434

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発行日: 1973/10/20 受付日: 1973/05/01 J-STAGE公開日: 2008/06/30 受理日: - 早期公開日: - 改訂日: -
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訂正日: 2008/06/30 訂正理由: - 訂正箇所: 発行日訂正内容: 訂正前 : 19731015
訂正後 : 19731020

訂正日: 2008/06/30 訂正理由: - 訂正箇所: 引用文献情報訂正内容: Wrong : (1) A. Y. Cho: J. Appl. Phys. 42, 2074 (1971)
(3) K. Takahashi: J. Vac. Sci. Tech. 9, 502 (1972)
(5) J. R. Arthur: J Phys. Chem. Solids 28, 2257 (1967)
(6) K. G. Gunther: "Compound Semiconductor I" ed. by R. K. Willardson, et al. p. 313 (1962)
(7) M. H. Franconbe, et al.: "The Use of Thin Flms in Physical Investigations" ed. by J. C. Anderson p. 165 (1966)
(8) J. R. Arthur: J. Appl. Phys. 39, 4032 (1968)
(9) H. L. Caswell: J. Appl. Phys. 32, 105 (1961)
(9) H. L. Caswell: J. Appl. Phys. 32, 105 (1961)
(10) A. Y. Cho & M. B. Panish: J. Appl. Phys. 43, 5118 (1972)
(12) R. A. Smith: "Semiconductors" p. 193 (1959)
(14) M. A. Lampert, et al.: "Current Injection in Solids" p. 22 (1970)
(16) R. E. Honig: RCA Rev. 23, 567 (1962)
(16) R. E. Honig: RCA Rev. 23, 567 (1962)
(16) R. E. Honig: RCA Rev. 23, 567 (1962)
(19) J. R. Arthur: J Appl. Phys. 39, 4032 (1968)

Right : (1) A. Y. Cho: J. Appl. Phys. 42, 2074 (1971)
(3) K. Takahashi: J. Vac. Sci. Tech. 9, 502 (1972)
(5) J. R. Arthur: J Phys. Chem. Solids 28, 2257 (1967)
(6) K. G. Gunther: "Compound Semiconductor I" ed. by R. K. Willardson, et al. p. 313 (1962)
(7) M. H. Franconbe, et al.: "The Use of Thin Flms in Physical Investigations" ed. by J. C. Anderson p. 165 (1966)
(8) J. R. Arthur: J. Appl. Phys. 39, 4032 (1968)
(9) H. L. Caswell: J. Appl. Phys. 32, 105 (1961)
(10) A. Y. Cho & M. B. Panish: J. Appl. Phys. 43, 5118 (1972)
(12) R. A. Smith: "Semiconductors" p. 193 (1959)
(13) J. W. Allen: Nature 187, 403 (1960)
(14) M. A. Lampert, et al.: "Current Injection in Solids" p. 22 (1970)
(16) R. E. Honig: RCA Rev. 23, 567 (1962)
(19) J. R. Arthur: J Appl. Phys. 39, 4032 (1968)

訂正日: 2008/06/30 訂正理由: - 訂正箇所: PDFファイル訂正内容: -

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