電子写真用感光体として，高光導電性の哺硼素ドープ水素化非晶質シリコン(a-Si: H(B))を電荷発生層(CGL)に，低誘電率・高抵抗の硼素ドープ水素化非晶質炭化シリコン(a-SiC: H(B))を電荷輸送層(CTL)に用いたa-Si/a-SiC二層構造の感光体を提案した．この二層構造の感光体はa-Si:H(B)CGL/a-SiC: H(B)CTLの膜厚比を最適化することにより、a-Si: H(B)先導電層のみからなる単層構造の感光体と比較して高い受容電位と高い感度をもつことを明らかにした．また，a-Si: H(B)/a-SiC: H(B)接合界面における正孔(ホール)に関するエネルギーレベル・マッチングと二層構造感光体の電子写真特性について詳しく考察した．
