シラン（SiH4）および他の材料ガス（X）のSiH4-X-Arブロー放電プラズマ中の分解効率（η）を質量分析法により測定し,SiH4およびガスXの解離反応におけるSiH4に対するXの相対的な反応速度定数（Kd,x/Kd,SiH4）を求めた．ここで，ガスXはジシラン（Si2H6），ゲルマン（GeH4），アセチレン（C2H2），アンモニア（NH3），メタン（CH4），炭酸ガス（CO2）、四弗化炭素（CF4）および四弗化珪素（SiF4）である．また，材料ガスがSiH4，CH4およびC2H2の場合について，シリコン源活性種と炭素源活性種がアモルファス・水素化炭化シリコン（a-SiC:H）膜に取り込まれる過程およびその結果である膜中炭素含有量［C]を分解効率ηSiH4，ηCH4およびηC2H2を用いて議論した．さらに，SiH4-CH4-Arグロー放電プラズマ中のηSiH4およびηCH4をコントロールしながらアモルファス・水素化シリコン/水素化炭化シリコン（a-Si:H/a-SiC:H）二層構造型感光体を作製した．そして、それらの電子写真特性を示した．
