NEA (Negative Electron Affinity) デバイス

テレビジョン学会誌

Online ISSN : 1884-9652
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NEA (Negative Electron Affinity) デバイス

萩野実, 助川徳三

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ジャーナルフリー

1978 年 32 巻 8 号 p. 670-678

DOI https://doi.org/10.3169/itej1978.32.670

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抄録

半導体表面が負の電子親和力 (NEA) 伏態になると, 表面からの電子脱出の確率が大きくなる.これを利用して高性能のNEAデバイス, 例えば, 光電面, 2次電子面, 冷陰極などを作ることができる. NEA形成の機構, NEAデバイスの特性の解析法および, これまで行われた各種NEAデバイスについての研究結果を概観し, 問題点や今後の研究動向について解説する.

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