東北大学電気通信研究所
1981 年 35 巻 5 号 p. 383-391
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第3のトランジスタSITは, わが国で着想され開発された.SITはまず個別デバイスとして高周波高速大電力用デバイスに応用され, 従来の半導体デバイスの性能を完全に凌駕した.集積回路分野への応用も開始されており, その優れた特長からすでに一部実用化されている.極徴細化デバイスとしてもっとも有望なSITを, その応用面から概観する.
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