エキシマレーザ露光用およびX線露光用レジストとしてのLB膜の評価
1988 年 42 巻 1 号 p. 56-62_1
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1988 年 42 巻 1 号 p. 56-62_1
ハーフミクロン・ポトリソグラフィ実現のため, エキシマレーザ露光およびX線露光によりLB膜の評価を行った.評価した材料は, エキシマ用としてジアセチレン誘導体3種 (トリコサジイノイック酸 : TDA, ペンタコサジイノイック酸 : PDA, ヘプタコサジイノイック酸 : HDA) とオクタデジノレアクリル酸 : ODA, ω-トリコシイノイック酸 : TCAの5種類, X線用としてTCA, TSA, ADAの各3種類である.エキシマ露光ではPDAを用いて0.3μmパターン, X線露光ではTCAを用いて0.4μmパターンがそれぞれ形成された.エキシマレーザ露光の0.3μmは, 我々の使用したレンズの解像限界であり, X線露光の0.4μmは, 我々の入手したマスクの最小寸法である.なお, 実際にLB膜をレジストとして適用していくためには, 今後LB膜の製造能率を向上する必要がある.
