8-5 a-Si TFT用ゲート絶縁膜の検討(第8部門 センシング)

井上 圭太; 瀬尾 北斗; 相原 聡; 林田 哲哉; 大竹 浩; 浜本 隆之

doi:10.11485/itewac.2007.0__8-5-1_

映像情報メディア学会冬季大会講演予稿集

Online ISSN : 2424-2306
Print ISSN : 1343-4357
ISSN-L : 1343-4357

セッションID: 8-5

DOI https://doi.org/10.11485/itewac.2007.0__8-5-1_

会議情報

会議名: 2007年映像情報メディア学会冬季大会

開催地: 工学院大学（新宿キャンパス）

開催日: 2007/12/18 - 2007/12/19

8-5 a-Si TFT用ゲート絶縁膜の検討(第8部門センシング)

井上圭太, 瀬尾北斗, 相原聡, 林田哲哉, 大竹浩, 浜本隆之

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抄録

We study the gate insulators of amorphous silicon thin film transistor(a-Si TFT). We confirmed that silicon oxide films using TEOS deposited by p-CVD is suitable for the gate insulator of a-Si TFT.

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