浮遊帯域溶融法による化合物半導体単結晶の作製

日本マイクログラビティ応用学会誌

Print ISSN : 0915-3616

浮遊帯域溶融法による化合物半導体単結晶の作製

中谷功, 高橋聡

著者情報

ジャーナルオープンアクセス

1986 年 3 巻 4 号 p. 2-

DOI https://doi.org/10.15011/jasma.3.4.2

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 1986 日本マイクログラビティ応用学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

後続誌

International Journal of Microgravity Science and Application

Top