パワーエレクトロニクス学会誌
Online ISSN : 1884-3239
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論文・研究報告・講演資料
シングルエンデッドワイヤレスEV 充電装置におけるSiC-MOSFET とSi-IGBT の損失温度特性比較
山本 碧土大森 英樹福田 憲司道越 久人木村 紀之森實 俊充中岡 睦雄
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2017 年 43 巻 p. 158

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© 2017 パワーエレクトロニクス学会
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