日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
Print ISSN : 0385-6275
ISSN-L : 0385-6275
減圧MOCVD法によるGaAsの選択エピタキシャル成長
香門 浩一, 高岸 成典, 森 英樹
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1984 年 11 巻 1 号 p. 32-

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© 1984 日本結晶成長学会
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