日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
Print ISSN : 0385-6275
ISSN-L : 0385-6275
Si単結晶の現状と将来への課題
津屋 英樹
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1997 年 24 巻 2 号 p. 96-

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抄録
Silicon crystal technology is now in a big revolution era.Present status and issues of Si single crystals for subquarter micron devices are discussed in terms of grown in defects,epitaxial growth, 300mm and SOl.
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© 1997 日本結晶成長学会
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