日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
Print ISSN : 0385-6275
ISSN-L : 0385-6275
リッジ基板を用いたGaAs低角入射分子線エピタキシー : 入射角の効果 : エピキタシャル成長I
鈴木 喬, 丸山 隆浩, 成塚 重弥, 西永 頌
著者情報
ジャーナル フリー

2002 年 29 巻 2 号 p. 21-

詳細
PDFをダウンロード (159K)
メタデータをダウンロード RIS形式

(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)

BIB TEX形式

(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)

テキスト
メタデータのダウンロード方法
発行機関連絡先
抄録
We have conducted lateral growth by low angle incidence MBE. In this work, we carried out epitaxial lateral growth from ridge structure. The incidence angles were chosen as 12°and 21°in the growth and effect of incidence angle was studied.
著者関連情報
© 2002 日本結晶成長学会
前の記事 次の記事
お気に入り & アラート

閲覧履歴
このページを共有する
feedback
 Top