信越半導体株式会社:スーパーシリコン研究所
2002 年 29 巻 2 号 p. 129-130
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従来、シリコンウェーハに係わる基本技術はことごとく欧米で培われてきたと見てよい。今回、産官学の支援・協力・助言を得て、世界で初めてφ400mmシリコンウェーハの開発に成功した。共同開発を通して日本が遅れている分野はシミュレーションソフト及び計測技術であることを再確認した。関連分野の協調が進み、世界に冠たるシリコンウェーハ要素技術を生み出すのが我々の使命である。
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