25aC01 分子線結晶成長その場反射率モニターによる共振器構造の評価(結晶評価・その場観察(1),第34回結晶成長国内会議)

水谷 充宏; 寺前 文晴; 成塚 重弥; 丸山 隆浩

doi:10.19009/jjacg.31.3_143

水谷充宏, 寺前文晴, 成塚重弥, 丸山隆浩

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ジャーナルフリー

2004 年 31 巻 3 号 p. 143-

DOI https://doi.org/10.19009/jjacg.31.3_143

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抄録

Molecular beam epitaxy (MBE) was observed using in situ reflectivity monitor system. The thickness of the grown layer is able to be controlled by the real time monitor of the resonant wave length of the cavity.

責任著者(Corresponding author)

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